“张天夫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果34个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种预制墙体现浇节点模板-CN202221945308.X有效
发明人：刘骥;彭燕军;李志敏;刘建民;张天夫 -专利权人：北京城建八建设发展有限责任公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B28B7/00 文献下载
摘要：本申请涉及工程现浇模板的技术领域，尤其是涉及一种预制墙体现浇节点模板，包括抵接在预制墙体两侧的第一模板和第二模板以及用于固定第一模板和第二模板的夹持机构；第一模板和第二模板的结构相同，第一模板和第二模板关于预制墙体对称设置，第一模板包括中间板、铰接在中间板两侧上的铰接板、两侧分别固定连接在中间板和铰接板侧面上的铰接合页以及用于固定中间板和铰接板之间角度的支撑件，铰接合页设置在中间板和铰接板远离预制墙体的侧面上，支撑件与中间板和铰接板滑动连接。本申请具有当浇段宽度较大时，工作人员可以延长第一模板和第二模板的长度，在支模的时候不需要更换模具，简化工作人员的操作，提高施工效率的效果。
一种预制墙体节点模板

[发明专利]一种基于相似度感知的神经机器翻译方法-CN202010384024.7有效
发明人：冯冲;张天夫 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06F40/58 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于相似度感知的神经机器翻译方法，属于自然语言处理机器翻译技术领域。首先构建结构翻译记忆库和对应结构相似度算法。然后构建模板翻译记忆库和对应模板相似度算法。之后对测试集中的字符串、结构和模板维度的高潜力语句进行预先识别。而后构建多维度相似度先验知识，对训练集中所有平行语句进行多维度相似度检索。同时，利用后验正则目标函数，将离散相似度先验知识融入到神经机器翻译目标函数中，并不断迭代更新先验知识的参数，指导训练过程。最后利用训练完成的神经翻译模型，对多维度高潜力待翻译语句进行分别翻译。本发明可以更细粒度的获取最相似语句，减少了人类译员的审阅时间。
一种基于相似感知神经机器翻译方法

[发明专利]文本转视频的方法、装置、电子设备以及可读存储介质-CN202210572962.9在审
发明人：王金正;周天;张天夫 -专利权人：北京奇艺世纪科技有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06F40/151 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种文本转视频的方法、装置、电子设备以及可读存储介质；其中，方法通过为待处理文本生成对应的图片数据和音频数据，所述图片数据用于通过图片描述所述待处理文本，所述音频数据用于通过音频描述所述待处理文本；根据所述图片数据和所述音频数据生成所述待处理文本的目标视频文件；其中通过为待处理文本生成音频数据和图片数据，在根据音频数据和图片数据生成目标视频文件，从而将文本转换为对应的目标视频文件，通过视频的形式让用户进行信息获取，增加了用户获取文字信息的方式，同时视频形式降低了用户阅读的难度，解决了用户阅读文本较为费时费力，无法快速高效获取文本信息的问题，提升了用户体验。
文本视频方法装置电子设备以及可读存储介质

[发明专利]光催化结构及其制备方法-CN201910075877.X有效
发明人：王营城;金元浩;肖小阳;张天夫;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光催化结构，该光催化结构包括一碳纳米管结构和一设置在所述碳纳米管结构表面的光催化活性层和金属层；所述碳纳米管结构包括多个有序排列且交叉设置的碳纳米管从而形成多个微孔；所述光催化活性层包覆于该多个碳纳米管的表面，所述金属层包覆于该光催化活性层的表面；所述金属层包括多个纳米颗粒，所述纳米颗粒分散于所述光催化活性层的表面。
光催化结构及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管及其制备方法-CN202011447903.6在审
发明人： 张天夫;张立辉;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种场效应晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一石墨烯纳米带复合结构，该石墨烯纳米带复合结构包括一衬底和多个石墨烯纳米带，该多个石墨烯纳米带间隔设置在所述衬底上并且沿同一方向延伸，所述衬底具有多个间隔设置的凸起；在每个石墨烯纳米带的两端间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与该石墨烯纳米带电连接；形成一绝缘层于所述多个石墨烯纳米带远离衬底的表面；以及形成一栅极于所述绝缘层远离衬底的表面。
场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管及其制备方法-CN202011447911.0在审
发明人： 张天夫;张立辉;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种场效应晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一石墨烯纳米带复合结构，该石墨烯纳米带复合结构包括一衬底和多个石墨烯纳米带，所述衬底具有多个间隔设置的凸起，该多个石墨烯纳米带间隔设置在所述衬底上，并且相邻凸起之间具有一所述石墨烯纳米带；以及将一叉指电极设置在所述石墨烯纳米带复合结构的表面，所述叉指电极覆盖所述多个凸起，并与所述多个石墨烯纳米带电连接。
场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]石墨烯纳米带复合结构及其制备方法-CN202011450273.8在审
发明人： 张天夫;张立辉;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：一种石墨烯纳米带复合结构的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，该衬底包括多个间隔设置的凸起；在一生长基底上生长石墨烯膜；将一粘胶层设置在所述石墨烯膜远离生长基底的表面；去除所述生长基底，并利用水或有机溶剂清洗；将所述衬底与所述石墨烯膜、所述粘胶层复合，并干燥，得到一第一复合结构，该第一复合结构包括所述衬底、所述石墨烯膜和所述粘胶层，所述石墨烯膜位于所述粘胶层与所述衬底之间；去除所述粘胶层，得到一第二复合结构，该第二复合结构包括所述衬底和所述石墨烯膜，所述石墨烯膜位于所述衬底上，并且所述石墨烯膜在每一凸起附近形成一褶皱；从所述石墨烯膜远离衬底的表面进行刻蚀，将除褶皱以外的石墨烯膜去除。
石墨纳米复合结构及其制备方法

[发明专利]一种基于局部短语句法增强机制的神经机器翻译方法-CN202111314481.X在审
发明人：冯冲;张天夫;惠子杨;王黎超 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G06F40/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于局部短语句法增强机制的神经机器翻译方法，属于自然语言处理机器翻译技术领域。首先构建各个元素的局部短语序列，通过局部短语序列构建相对短语位置向量矩阵。然后，识别冗余头，根据句法注意力的平均权重动态确定训练过程中每个头的重要性。最后使用基于局部短语的句法增强的注意力机制代替原本的冗余头，以激活其潜在能力。本发明能够准确地识别多头注意力机制中的重要头和冗余头，并通过基于局部短语的句法增强机制来对冗余头进行修改，所构建的自注意力网络可用于机器翻译研究，取得了良好的效果。
一种基于局部短语句法增强机制神经机器翻译方法

[发明专利]一种基于依存树句法增强机制的神经机器翻译方法-CN202111315938.9在审
发明人：冯冲;惠子杨;张天夫;王黎超 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G06F40/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于依存树句法增强机制的神经机器翻译方法，属于自然语言处理机器翻译技术领域，解决了现有多头自注意力网络无法有效发挥冗余自注意力头作用的技术问题。本方法构建的依存树，利用依存矩阵作为掩码来对不存在直接依存关系的词汇之间的注意力进行建模。同时，本方法提出了一种动态的、轻量级的冗余头激活策略，精确地识别了并在句法层面上激活了Tranformer编码器端的冗余头，提升了多头注意力网络中注意力头的运行效率。本方法通过句法增强的注意力机制模拟了重要头的特定功能，相比于现有的改进的自注意力方法，在测试集上的提升效果更为明显。
一种基于依存句法增强机制神经机器翻译方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN201710048821.6有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，其包括：一栅极、一绝缘介质层及至少一肖特基二极管单元，所述栅极通过绝缘介质层与所述至少一肖特基二极管绝缘设置。所述肖特基二极管包括：一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一碳纳米管结构。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管-CN201710045812.1有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，其包括：一栅极、一绝缘介质层及至少一肖特基二极管单元，所述栅极通过绝缘介质层与所述至少一肖特基二极管绝缘设置。所述肖特基二极管包括：一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。
薄膜晶体管

[发明专利]肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法-CN201710051536.X有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。
肖特基二极管阵列制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN201611114617.1有效
发明人：霍雨佳;赵宇丹;肖小阳;王营城;张天夫;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括；一基底；一栅极，所述栅极设置于所述基底的一表面；一电介质层，所述电介质层将所述栅极覆盖；所述电介质层包括层叠设置的第一子电介质层和第二子电介质层；一半导体层，所述半导体层设置于所述电介质层远离所述基底的表面，且所述半导体层包括多个纳米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置且分别与所述半导体层电连接；其中，所述第一子电介质层为反常迟滞材料层，且与所述栅极直接接触；所述第二子电介质层为正常迟滞材料层，且设置于所述第一子电介质层与半导体层之间。本发明的薄膜晶体管具的迟滞曲线明显减小甚至消除。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN201611114659.5有效
发明人：霍雨佳;赵宇丹;肖小阳;王营城;张天夫;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括；一基底；一半导体层，所述半导体层设置于所述基底的一表面，且所述半导体层包括多个纳米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置且分别与所述半导体层电连接；一电介质层，所述电介质层设置于所述半导体层远离所述基底的表面；所述电介质层包括层叠设置的第一子电介质层和第二子电介质层；一栅极，所述栅极设置于所述电介质层远离所述基底的表面；其中，所述第一子电介质层为反常迟滞材料层，且与所述栅极直接接触；所述第二子电介质层为正常迟滞材料层，且设置于所述第一子电介质层与半导体层之间。本发明的薄膜晶体管的迟滞曲线明显减小甚至消除。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种逻辑电路-CN201611114838.9有效
发明人：赵宇丹;霍雨佳;肖小阳;王营城;张天夫;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种逻辑电路，其包括两个双极性的薄膜晶体管，且每个双极性的薄膜晶体管包括；一基底；一半导体层；一源极和一漏极；一电介质层，所述电介质层为双层结构，其包括层叠设置的第一子电介质层和第二子电介质层；一栅极；所述两个双极性的薄膜晶体管的栅极电连接，且所述两个双极性的薄膜晶体管的源极或漏极电连接；其中，所述第一子电介质层为反常迟滞材料层，且与所述栅极直接接触；所述第二子电介质层为正常迟滞材料层，且设置于所述第一子电介质层与半导体层之间。本发明的薄膜晶体管的迟滞曲线明显减小甚至消除；采用减小或消除迟滞曲线的薄膜晶体管制备的逻辑器件具有优异的电学性能。
一种逻辑电路

1
2
3
下一页»
尾页
共 34 条