“帕特里斯·贝塞”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]ESD保护装置、包括ESD保护装置的半导体装置和其制造方法-CN201910274173.5在审
发明人：詹柔莹;简-菲利普·莱恩;叶夫根尼·尼科洛夫·斯特凡诺夫;阿兰·塞勒;帕特里斯·贝塞 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种用于保护集成电路(IC)免于ESD事件的影响的ESD保护装置包括：第一端，其耦合到所述IC的输入/输出焊盘；第二端，其耦合到参考电压或接地电压；可控硅整流器(SCR)装置，其具有连接到所述第一端的阳极和连接到所述参考电压或所述接地电压的阴极；以及pnp晶体管，其与所述SCR装置并联耦合。所述pnp晶体管具有耦合到所述第一端的发射极、耦合到所述第二端的集电极和耦合到所述SCR的栅极的基极。所述pnp晶体管包括形成于衬底的第一侧处的接触区域，所述第一接触区域被形成于所述衬底的所述第一侧处的STI层包围。在所述第一接触区域和所述STI层的相交点处形成有绝缘结构。
耦合到接触区域参考电压接地电压衬底输入/输出焊盘可控硅整流器阴极半导体装置阳极并联耦合绝缘结构第一端发射极集电极相交点集成电路包围制造

[发明专利]单堆叠双极型ESD保护装置-CN201811153334.7在审
发明人：詹柔莹;帕特里斯·贝塞 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了ESD保护装置结构和相关制造方法。示例性半导体保护装置包括：具有第一导电类型且由第一和第二区构成的基极阱区，所述第一基极阱区具有更高掺杂浓度，且所述第二基极阱区定位于所述第一基极阱区与具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型的集电极区之间；所述第一基极阱区内的具有所述第二导电类型的发射极区；所述第一基极阱区内的第一和第二浮置区，所述第一浮置区在所述发射极区与所述第二浮置区之间，具有所述第二导电类型，所述第二浮置区在所述第一浮置区与所述第二基极阱区之间，具有所述第一导电类型。所述第一基极阱区内的所述浮置区邻接并电连接。
浮置区阱区第一导电类型导电类型发射极区半导体保护集电极区电连接高掺杂双极型邻接堆叠制造

[发明专利]适用于静电放电（ESD）保护的半导体装置-CN201810498379.1在审
发明人：叶夫根尼·斯特凡诺夫;帕特里斯·贝塞;让·菲利普·莱涅 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置和制造所述装置的方法，所述半导体装置包括在衬底中的具有第一导电性的埋层，其中可选择两个邻近末端之间的距离以实现所要的击穿电压。具有第二导电类型的第一掺杂浓度的深阱注入所述埋层的所述两个邻近末端上方的外延层中。图案化掺杂区域形成于所述深阱中且延伸到所述外延层中，所述外延层在所述埋层中的所述两个邻近末端上方且与其分开一定距离。所述图案化掺杂区域具有所述第二导电类型的第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度。
半导体装置外延层掺杂埋层图案化掺杂导电类型邻近深阱导电性击穿电压静电放电区域形成衬底延伸制造

[发明专利]集成电路器件、控域网驱动模块及其方法-CN201180074314.0无效
发明人：亚历克西斯·于奥-马尔尚;帕特里斯·贝塞;斯特凡妮·克勒沃-布里;米里耶勒·德拉热 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H04L29/12 文献下载
摘要：包括了至少一个控域网、CAN、驱动模块的集成电路器件包括至少一个驱动组件。该至少一个驱动组件包括被布置成接收至少一个控制信号的至少一个控制输入，以及可操作地耦合于至少一个CAN总线线路并且被布置成至少部分地基于接收的至少一个控制信号可控地输出负载电流的至少一个输出。该集成电路器件进一步包括可操作地耦合于所述至少一个CAN总线线路的至少一个静电放电、ESD保护组件。至少一个CAN驱动模块进一步包括被布置成感测由所述至少一个驱动组件输出的负载电流并生成包括了指示由所述至少一个驱动组件输出的所述负载电流的至少一个负载电流信号的至少一个负载电流感测组件；以及被布置成接收由所述至少一个负载电流感测组件生成的至少一个负载电流信号并且如果指示所述负载电流的所述至少一个负载电流信号超过阈值，则使得所述至少一个驱动组件至少部分地限制由此输出的所述负载电流的至少一个负载电流限制组件。所述至少一个ESD保护组件包括包括了至少一个快速跳回性能的至少一个ESD保护元件和可操作地跨所述至少一个ESD保护元件并联耦合的至少一个非快速跳回保护元件，所述至少一个非快速跳回保护元件包括小于所述至少一个ESD保护元件的击穿电压的击穿电压。
集成电路器件控域网驱动模块及其方法

[发明专利]接地丢失监控电路以及包括其的集成电路-CN201180071213.8有效
发明人：菲利普·吉弗林;帕特里斯·贝塞;艾丝特尔·忽恩 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：参考电压丢失监控电路包括第一参考节点（51）和第二参考节点（52）。所述参考节点被布置为连接到电压参考（Vref）。第一连接设备（1）被布置为将所述第一参考节点连接到所述第二参考节点，并且包括被布置为允许电流从所述第一参考节点流向所述参考接地节点但反之不然的第一二极管（11）。所述第一二极管包括被连接为作为二极管操作的第一主晶体管（12）。第二连接设备（2）被布置为将所述第二参考节点连接到所述第一参考节点，并且包括被布置为允许电流从所述第二参考节点流向第一参考节点但反之不然的第二二极管（21）。所述第二二极管包括被连接为作为二极管操作的辅助晶体管（22）。每个所述第一和第二连接设备还分别包括与所述第一和第二连接设备的所述主晶体管镜像的辅助晶体管（14、24）。所述辅助晶体管包括被排列以耦合于诊断电路（90）的输出以用于向所述诊断电路传输表示各自参考节点上的参考电压的丢失的信号。
接地丢失监控电路以及包括集成电路

[发明专利]集成电路、电子器件及其ESD保护-CN200780052758.8有效
发明人： 帕特里斯·贝塞;艾万·埃蒙;菲利普·兰斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-04-27 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：集成电路(200)包括被布置成向集成电路(200)的一个或多个外部连接器(230)提供ESD保护的静电放电(ESD)保护电路(210)。ESD保护电路(210)包括耦合至一个或多个外部连接器(230)用于向其提供ESD保护的至少一个ESD保护组件(240)。ESD保护电路(210)进一步包括ESD连接器(260)，ESD连接器(260)耦合至一个或多个外部连接器(230)，被布置成将附加ESD保护耦合至一个或多个外部连接器(230)。
集成电路电子器件及其 esd 保护

[发明专利]半导体开关装置和电子设备-CN200580026543.X无效
发明人：米歇尔·齐克里;卢卡·贝尔托利尼;帕特里斯·贝塞;玛丽斯·巴夫卢尔;尼古拉斯·诺希尔 -专利权人：飞思卡尔半导体公司;法国国家科学研究中心
申请日： 2005-08-03 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：一种半导体开关装置(300)，其包括双极型晶体管(302)和半导体功率开关(301)，其具有输入节点(306)、输出节点(304)和控制节点(305)，该控制节点(305)用于允许在所述输入节点(306)和输出节点(307)之间形成电流路径。双极型晶体管(302)连接在输入节点(306)和控制节点(305)之间，这样当接收到静电放电脉冲时，所述双极型晶体管(302)允许电流从输入节点(306)流到控制节点(305)，而当在输入节点(306)处超出预定电压时，则双极型晶体管(302)允许控制节点(305)使电流从输入节点(306)流到输出节点(307)。因此，所述双极型晶体管器件保护了例如LDMOS的所述半导体开关器件免于ESD，也就是保护其免于比如在小于1微秒内几安培的功率波动。
半导体开关装置电子设备

1
共 7 条