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[发明专利]感光性纤维形成用组合物及纤维图案的形成方法-CN202080012817.4在审
发明人： 横山义之;岸冈高广 -专利权人：富山县;日产化学株式会社
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： D01F1/10 文献下载
摘要：本发明的课题是提供将表面具有金属层的基材使用具有特定的组成的感光性纤维进行了加工的金属图案的制造方法、金属图案的制造方法、用于制造该感光性纤维的组合物，优选提供便宜且柔软的透明配线图案。解决手段是本发明的感光性纤维为包含正型感光性材料的感光性纤维。正型感光性材料可以包含酚醛清漆树脂等。本发明的金属图案的制造方法包含下述工序：在表面具有金属层的基材上形成由感光性纤维构成的纤维层的第1工序；将该纤维层经由掩模进行曝光的第2工序；将该纤维层通过显影液进行显影，形成感光性纤维图案的第3工序；以及将该金属层利用蚀刻液进行蚀刻，进一步将感光性纤维除去，从而形成网眼状金属图案的第4工序。
感光性纤维形成组合图案方法

[发明专利]感光性纤维及其制造方法-CN201480057069.6有效
发明人：岸冈高广;横山义之 -专利权人：日产化学工业株式会社;富山县
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： D01F6/52 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种纤维，所述纤维可以直接通过利用光刻法的简便方法进行形状加工，并且可以形成复杂且微细的纤维图案。一种纤维，其含有：(A)高分子化合物，所述高分子化合物包含下述结构单元，所述结构单元在侧链上具有选自羟基、羟甲基及碳原子数为1～5的烷氧基甲基中的至少1种有机基团，所述有机基团；及(B)光产酸剂。
感光性纤维及其制造方法

[发明专利]微孔阵列芯片及其制造方法-CN201210363985.5有效
发明人：村口笃;岸裕幸;时光善温;近藤佐千子;小幡勤;藤城敏史;横山义之;锅泽浩文;高林外广;谷野克巳 -专利权人：富山县政府;维涡里斯公司
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G01N33/543 文献下载
摘要：本发明涉及一种微孔阵列芯片，该微孔阵列芯片在基板的一侧主表面上具有多个微孔，上述微孔具有在一个微孔中仅可容纳一个生物体细胞的形状和尺寸，在与微孔的开口相同的基板表面上具有微孔的标记。还涉及一种微孔阵列芯片，该微孔阵列芯片在基板的一侧主表面上具有多个微孔，上述微孔具有在一个微孔中仅可容纳一个生物体细胞的形状和尺寸，上述微孔的开口部具有突起部，使开口部变狭窄。又涉及上述微孔阵列芯片的制造方法，该方法具有以下步骤：在基板的至少一侧主表面上形成膜的步骤；在形成的膜上涂布抗蚀剂的步骤；经由具有微孔图案的掩模，对上述抗蚀剂面进行曝光，除去抗蚀剂的非硬化部分的步骤；蚀刻上述膜和基板的暴露部分，打微孔阵列形状的孔的步骤；以及除去抗蚀剂的步骤。还涉及一种微孔阵列芯片，该微孔阵列芯片具有多个微孔，是用于在各微孔中容纳1个被检生物体细胞的硅制微孔阵列芯片。上述微孔具有在一个微孔中仅可容纳1个生物体细胞的形状和尺寸。
微孔阵列芯片及其制造方法

[发明专利]微孔阵列芯片及其制造方法-CN200480034519.6无效
发明人：村口笃;岸裕幸;时光善温;近藤佐千子;小幡勤;藤城敏史;横山义之;锅泽浩文;高林外广;谷野克巳 -专利权人：富山县政府;村口笃;岸裕幸;时光善温;近藤佐千子
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G01N33/53 文献下载
摘要：本发明涉及一种微孔阵列芯片，该微孔阵列芯片在基板的一侧主表面上具有多个微孔，上述微孔具有在一个微孔中仅可容纳一个生物体细胞的形状和尺寸，在与微孔的开口相同的基板表面上具有微孔的标记。还涉及一种微孔阵列芯片，该微孔阵列芯片在基板的一侧主表面上具有多个微孔，上述微孔具有在一个微孔中仅可容纳一个生物体细胞的形状和尺寸，上述微孔的开口部具有突起部，使开口部变狭窄。又涉及上述微孔阵列芯片的制造方法，该方法具有以下步骤：在基板的至少一侧主表面上形成膜的步骤；在形成的膜上涂布抗蚀剂的步骤；经由具有微孔图案的掩模，对上述抗蚀剂面进行曝光，除去抗蚀剂的非硬化部分的步骤；蚀刻上述膜和基板的暴露部分，打微孔阵列形状的孔的步骤；以及除去抗蚀剂的步骤。还涉及一种微孔阵列芯片，该微孔阵列芯片具有多个微孔，是用于在各微孔中容纳1个被检生物体细胞的硅制微孔阵列芯片。上述微孔具有在一个微孔中仅可容纳1个生物体细胞的形状和尺寸。
微孔阵列芯片及其制造方法

[发明专利]感放射线组合物及图案形成方法及半导体装置的制造方法-CN02151388.0无效
发明人： 横山义之;服部孝司 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-11-20 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： G03F7/027 文献下载
摘要：本发明提供一种负型感放射线组合物，其适用于包含ArF受激准分子激光波长193nm的远紫外线的曝光，可避免因现像液的渗透所造成的膨润或图案的线间残留抗蚀膜而使解像度劣化，可形成高解像度的图案。本发明解决上述问题的方法是提供一种感放射线组合物，其包含在酯部上具有γ－羟基羧酸的丙烯酸酯聚合物及酸产生剂。
放射线组合图案形成方法半导体装置制造

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