专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果34个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202110656086.3有效
  • 王喜瑜;张煜;张濛;刘海军;芦浩;代云飞;司泽艳;孙保全;蔡小龙 - 中兴通讯股份有限公司;西安电子科技大学
  • 2021-06-11 - 2022-07-12 - H01L29/778
  • 本发明公开了半导体器件及其制作方法,其中,半导体器件包括外延基片和复合钝化层,外延基片包括势垒层,势垒层上表面设有源电极、漏电极和栅电极;复合钝化层包括第一钝化层和第二钝化层,第二钝化层位于第一钝化层的上层,复合钝化层设置于源电极和漏电极之间,栅电极设置于复合钝化层,第一钝化层含有负离子,在栅电极和漏电极之间的第一钝化层设置有至少一个开孔,以形成负离子孤岛阵列。本发明采用复合钝化层,在沉积第一钝化层时直接加入负离子,然后在栅电极和漏电极之间的第一钝化层选区开孔,形成负离子钝化孤岛,达到类浮空场板技术效果。此外,由于未引入场板结构,避免密勒负反馈电容的产生,提升了器件的频率特性和增益。
  • 半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺-CN201910677844.2有效
  • 马晓华;张鹏;孙保全;宓珉翰 - 西安电子科技大学
  • 2019-07-25 - 2022-04-22 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺,包括:在势垒层上形成第一光刻胶层;在第一光刻胶层上沉积第一金属层;在第一金属层上形成第二光刻胶层;在第二光刻胶层上沉积第二金属层;进行电子束光刻,形成第一区域;进行干法刻蚀,在第一区域的底面上形成势垒凹槽;对势垒凹槽进行栅金属沉积形成第一结构,第一结构包括T型栅;对第一结构进行剥离,得到凹槽型浮空T型栅。本发明实施例通过设置第一金属层和第二金属层,可以避免第一光刻胶层与第二光刻胶层之间发生互溶,并且金属层能够释放电子束光刻中剩余的电荷,消除对曝光图像的不利影响,从而形成形貌规整的T型栅,有效地抑制栅极寄生电容,有效的提高饱和电流截止频率fT
  • 用于抑制沟道效应栅极及其制造工艺
  • [发明专利]一种高频半导体栅极的制作方法-CN201910677856.5有效
  • 张鹏;孙保全;马晓华;宓珉翰 - 西安电子科技大学
  • 2019-07-25 - 2022-04-22 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种新型高频半导体栅极的制作方法,包括:选取势垒层;在势垒层上形成夹层结构,其中,夹层结构自下而上依次包括:第一光刻胶层、第一金属层、第二光刻胶层和第二金属层;光刻夹层结构后形成第一结构;对第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构;在T形凹槽结构的表面淀积栅金属层后形成第二结构;对第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。本发明通过第一金属层来避免两种光刻胶之间互溶层的形成,从而将栅脚与栅头分离,第二金属层作为阻挡层,易于栅金属的剥离,且第一金属层、第二金属层释放电子束光刻中剩余的电荷,对曝光图形不影响,由此得到形貌规整的T形栅,可以更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT
  • 一种高频半导体栅极制作方法
  • [发明专利]一种半导体栅极的制作方法-CN201910677866.9有效
  • 张鹏;孙保全;马晓华;武盛 - 西安电子科技大学
  • 2019-07-25 - 2022-03-11 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种新型半导体栅极的制作方法,包括:在势垒层上形成第一光刻胶层;在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层;在第二光刻胶层上沉积第一金属层;对第一金属层、第二光刻胶层和第一光刻胶层进行电子束光刻并显影,形成台阶状第一区域;进行干法刻蚀形成势垒凹槽,在第一光刻胶层上形成Y型斜边;在势垒凹槽内进行栅金属沉积形成第一结构,所述第一结构包括Y型栅;采用剥离工艺得到凹槽型浮空Y型栅。本发明通过较为简单的工艺方法能够制作出形状规整的凹槽型浮空Y型栅金属,能够更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT,同时减小了势垒层厚度,避免了短沟道效应对器件的影响。
  • 一种半导体栅极制作方法
  • [发明专利]一种浮空Y形栅的制备方法-CN201910678795.4有效
  • 张鹏;孙保全;马晓华;武盛 - 西安电子科技大学
  • 2019-07-25 - 2022-03-11 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种浮空Y形栅的制备方法,包括:选取势垒层;在所述势垒层上形成夹层结构,其中,所述夹层结构自下而上依次包括第一光刻胶层、第二光刻胶层和金属层;光刻所述夹层结构后形成第一结构;对所述第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构;刻蚀所述T形凹槽结构后形成具有Y形凹槽的Y形结构;在所述Y形结构的表面淀积栅金属层后形成第二结构;对所述第二结构进行剥离后形成浮空Y形栅。本发明采用一次曝光一次显影,其制备过程简单,且所述金属层形成undercut结构,避免在剥离时栅金属层脱落,所述金属层还可以释放电子束光刻中剩余的电荷,对曝光的图形不影响,从而形成规整的浮空Y形栅。
  • 一种制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top