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[发明专利]包括高角度提取光学器件的装置以及系统-CN202180069041.4在审
发明人：科斯特尔·拜洛;杰伊·R·沃利斯;凯文·M·丹尼尔斯;法兰克·辛克莱;克里斯多夫·坎贝尔 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：一种用于离子束系统的提取板。所述提取板可包括绝缘体本体，所述绝缘体本体包括连接到等离子体腔室的第一侧的外围部分，且还包括界定凹的形状的中心部分。这样一来，提取开孔可沿着中心部分的第一表面布置，其中第一表面相对于第一侧以高角度进行取向。所述提取板还可包括图案化电极，所述图案化电极包括第一部分及第二部分，固定到绝缘体本体的外侧，背对等离子体腔室，其中第一部分通过绝缘间隙而与第二部分隔开。
包括角度提取光学器件装置以及系统

[发明专利]用于广角度离子束的可调谐提取组合件-CN202180039901.X在审
发明人：杰伊·R·沃利斯;科斯特尔·拜洛;凯文·M·丹尼尔斯 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种离子束处理系统，包含：等离子腔室；等离子板，安置在等离子腔室旁边，等离子板界定第一提取孔；射束阻断器，安置在等离子腔室内且面向提取孔；阻断器电极，安置在等离子腔室外部的射束阻断器的表面上；以及提取电极，安置在等离子腔室外部的等离子板的表面上。
用于角度离子束调谐提取组合

[发明专利]包括高角度提取光学器件的装置以及系统-CN202180038682.3在审
发明人：克里斯多夫·坎贝尔;科斯特尔·拜洛;彼得·F·库鲁尼西;杰伊·R·沃利斯;凯文·M·丹尼尔斯;凯文·T·莱恩;米纳布·B·特费里;法兰克·辛克莱;约瑟·C·欧尔森 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：一种处理系统可包括：等离子体腔室，能够操作以产生等离子体；以及提取总成，沿着等离子体腔室的一侧布置。所述提取总成可包括：提取板，包括提取开孔，所述提取板具有非平面形状且当衬底的平面与等离子体腔室的所述侧平行地布置时相对于所述衬底的所述平面的垂线以高入射角度产生提取离子束。
包括角度提取光学器件装置以及系统

[发明专利]处理设备及处理衬底的方法-CN201780024188.5有效
发明人：科斯特尔·拜洛;皮尔·卢比克;泰勒·洛克威尔;克里斯多夫·坎贝尔;维克拉姆·辛;凯文·M·丹尼尔斯;理查德·J·赫尔特;彼得·F·库鲁尼西;亚历山大·利坎斯奇 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种处理设备及处理衬底的方法，所述处理设备可以包含：等离子体腔室，以容纳等离子体并且具有包括电绝缘体的主体部分；提取板，沿着等离子体腔室的提取侧安置，所述提取板是导电的并且具有提取孔隙；衬底平台，安置在等离子体腔室的外部并且邻近提取孔隙，所述衬底平台处在接地电势；以及射频发生器，电耦合到所述提取板，当等离子体存在于等离子体腔室中时所述射频发生器相对于接地电势在提取板处建立正直流自身偏置电压。
处理设备衬底方法

[发明专利]改良工艺均匀性的衬底晕圈配置-CN201980015219.X在审
发明人：杰伊·R·沃利斯;赛门·罗芙尔;凯文·安葛林;泰勒·洛克威尔;克里斯多夫·坎贝尔;凯文·M·丹尼尔斯;理查德·J·赫尔特 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。所述衬底总成也可包括晕环，所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合以在其中容置衬底。
改良工艺均匀衬底配置

[发明专利]离子植入系统以及处理基板的方法-CN201380023331.0有效
发明人：具本雄;理查尔·M·怀特;史费特那·B·瑞都凡诺;凯文·M·丹尼尔斯;艾利克·R·科步;大卫·W·皮特曼 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明的处理基板的方法可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。
离子植入系统以及处理方法

[发明专利]图案化离子植入用的集成遮蔽光罩/载体-CN201180056752.4无效
发明人：尼可拉斯·P·T·贝特曼;凯文·M·丹尼尔斯;阿塔尔·古普塔;罗素·J·洛;班杰明·D·里欧登;罗伯特·J·米歇尔;史蒂芬·M·恩尔拉 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明揭示了改良的、低成本的制作基板的方法以创造太阳能电池。此外，还揭示了改良的基板载具。一般用以运载基板的载具被改良，以便来当作图案化植入的遮蔽罩幕。在一些实施例中，各种图案能够利用载具产生而出，使得可藉由改变载具或载具的位置来执行在基板上不同的制程步骤。另外，因为基板对载具的对准是重要的，所以载具可包括对准特征来确保基板能够在载具上适当地定位好。在一些实施例中，重力会被用来支撑在载具上的基板，且因此离子被引导离子以便使离子束向上朝向载具的底侧行进。
图案离子植入集成遮蔽载体

[发明专利]可控制地植入工件的装置与方法-CN201080051532.8无效
发明人：安东尼·雷诺;卢多维克·葛特;提摩太·J·米勒;约瑟·C·欧尔森;维克拉姆·辛;詹姆士·布诺德诺;迪帕克·瑞曼帕;拉塞尔·J·罗;阿塔尔·古普塔;凯文·M·丹尼尔斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置包括等离子体源，所述等离子体源经组态以在等离子体腔室中产生等离子体，以使得所述等离子体含有用于植入至工件中的离子。所述装置亦包含具有孔隙配置的聚焦板配置，所述聚焦板配置经组态以修改接近所述聚焦板的所述等离子体的等离子体外鞘的形状，以使得离开所述孔隙配置的孔隙的离子界定聚焦离子。所述装置还包含与所述聚焦板隔开的含有工件的处理腔室，以使得在所述工件处的所述聚焦离子的固定植入区域实质上比所述孔隙窄。所述装置经组态以藉由在离子植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。
控制植入工件装置方法

[发明专利]工作件处理系统-CN201080022632.8有效
发明人：班杰明·B·里欧登;凯文·M·丹尼尔斯;威廉·T·维弗;查理斯·卡尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-06-15 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种工作件处理系统(100)包含：处理腔室(114)，其经组态以支撑工作件用于离子植入；第一遮罩(172、174、176)，其储存于所述处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；以及机器人系统(106)，其经组态以自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩(172、174、176)，且将所述第一遮罩定位于所述工作件上游，使得所述工作件经由所述第一遮罩而接收第一选择性植入。一种方法包含：将第一遮罩(172、174、176)储存于处理腔室(114)外部且处于遮罩台(170)中；自所述遮罩台(170)撷取所述第一遮罩；将所述第一遮罩定位于已定位在所述处理腔室(114)中的工作件上游以用于离子植入；以及经由所述第一遮罩而执行第一选择性植入。
工作处理系统

[发明专利]处理基板的技术-CN201080021681.X有效
发明人： 凯文·M·丹尼尔斯;罗素·J·洛;班杰明·B·里欧登 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本文中揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可作为用于处理基板的方法而实现。所述方法可包括：沿离子束路径将包括多个离子的离子束自离子源引导至基板；在所述离子源与所述基板之间在所述离子束路径中安置遮罩的至少一部分；以及使所述基板及所述遮罩中的一者相对于所述基板及所述遮罩中的另一者平移。
处理技术

[发明专利]处理基板的技术-CN201080019578.1有效
发明人： 凯文·M·丹尼尔斯;罗素·J·洛;班杰明·B·里欧登 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明中揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：第一基座；以及多个指状物，其彼此间隔开以界定一或多个间隙。
处理技术

[发明专利]处理基板的技术-CN201080021679.2有效
发明人： 凯文·M·丹尼尔斯;罗素·J·洛;班杰明·B·里欧登;尼可拉斯·P·T·贝特曼 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：一或多个第一孔，其安置于第一列中；以及一或多个第二孔，其安置于第二列中，每一列沿所述遮罩的宽度方向延伸，其中所述一或多个第一孔及所述一或多个第二孔为非一致的。
处理技术

[发明专利]制造太阳能电池的技术-CN200980144167.2有效
发明人：朱利安·G·布雷克;凯文·M·丹尼尔斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种制造太阳能电池的技术。在一特定的例示性实施例中，所述技术可以包括在太阳能电池的上方设置罩幕，所述罩幕包括多个条状物，其中所述多个条状物彼此相间隔以定义出至少一狭缝；将所需物种的带状离子束导向所述太阳能电池，以离子植入所述太阳能电池的一部分，其中所述太阳能电池的所述部分由所述罩幕的所述至少一狭缝所定义；以及定向所述带状离子束，使所述带状离子束的较长剖面尺寸在一平面上与所述狭缝垂直。
制造太阳能电池技术

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