专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种具有沙砾岩土破碎功能的破碎车-CN202023080122.6有效
  • 唐茂中;王栋山;唐和明 - 甘肃博雅电子科技有限公司
  • 2020-12-21 - 2021-11-05 - B02C18/14
  • 本实用新型公开了一种具有沙砾岩土破碎功能的破碎车,包括破碎车车身,所述破碎车车身的前部固定设有设备主体,所述破碎车车身的前端设有力臂,所述力臂的一端固定连接有多个滚轮,所述滚轮与设备主体的底部固定连接,所述设备主体的外部固定连接有一厘米厚钢板,所述设备主体的中心设有动力仓和工作仓,所述工作仓的两侧设有两厘米厚钢板,所述两厘米厚钢板的两端与一厘米厚钢板的内侧壁固定连接,所述一厘米厚钢板的上端固定连接有电动机。本实用新型,由于第二传送轴带动钻头的转动,实现了对坚硬的沙砾岩土的破碎功能,提高了工程中沙砾岩土挖掘的工作效率,加速了坚硬的沙砾岩土的掘进进度。
  • 一种具有沙砾岩土破碎功能
  • [实用新型]晶圆级封装结构-CN202120075382.X有效
  • 唐和明 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2021-01-12 - 2021-09-10 - H01L23/498
  • 本实用新型公开一种晶圆级封装结构,包括芯片本体,芯片本体具有相互平行的第一表面以及第二表面,第一表面形成有芯片源极和芯片栅极,第二表面形成有芯片漏极,芯片漏极通过贯穿芯片本体的导电金属连接到第一表面,第一表面设置有通过重布线形成的金属焊盘,芯片源极、芯片栅极以及芯片漏极分别电连接于金属焊盘。通过在芯片漏极上设置贯穿芯片本体设置的导电金属,以使芯片漏极导出到第一表面上,以使三个电极能够位于同一平面上,不需要再采用引线框架进行电极导出,其能够直接安装在PCB板上,使得安装更加方便,同时,也有效地节省了整体生产成本。
  • 晶圆级封装结构
  • [实用新型]一种用于内埋基板的功率器件封装结构及基板及电子产品-CN202022913996.9有效
  • 郑明祥;唐和明 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2020-12-07 - 2021-08-24 - H01L23/495
  • 本实用新型公开一种用于内埋基板的功率器件封装结构包括源极引出端、栅极引出端、漏极引出端以及用于封装芯片的封装树脂,所述源极引出端、栅极引出端及漏极引出端分别暴露于所述封装结构的上表面或与所述上表面平行相对的下表面,所述漏极引出端为引线框架,所述源极引出端为堆叠焊接于所述芯片的源极的金球,所述栅极引出端为堆叠焊接于所述芯片的栅极的金球,所述芯片以漏极朝向所述引线框架的方向焊接在所述引线框架上。通过将源极、栅极、漏极分别通过源极引出端、栅极引出端以及漏极引出端引出至封装体的表面,从而使得封装体可以方便的埋设于基板内部,减小基板厚度及钻孔深度,从而有效减小基板体积,提升基板散热性能。
  • 一种用于内埋基板功率器件封装结构电子产品
  • [实用新型]一种智能功率模块及电力电子设备-CN202023046190.0有效
  • 曹周;王琇如;唐和明;郑明祥;黄源炜 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2020-12-15 - 2021-08-24 - H01L23/367
  • 本实用新型公开一种智能功率模块及电力电子设备,该智能功率模块包括:至少两个功率芯片,功率芯片为平面型的氮化镓芯片;功率芯片的电极均设于正面,背面设有绝缘的外延基底;引线框架,其包括基岛和若干引脚;若干功率芯片均设于基岛;功率芯片的背面固定于基岛的正面,电极通过电连接件与引脚电连接;封装体,其包封功率芯片,以及引线框架的一部分;基岛的背面、引脚露出封装体。该电力电子设备包括上述的智能功率模块。该智能功率模块,功率芯片采用平面型的氮化镓芯片,一基岛承载多个功率芯片,基岛的背面直接由封装体向外露出进行散热,无需对基岛进行绝缘隔离,从而提高了散热性能,降低了成本;该电力电子设备具有良好的散热性能。
  • 一种智能功率模块电力电子设备
  • [实用新型]一种半导体器件封装结构-CN202021789761.7有效
  • 王琇如;唐和明 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2020-08-24 - 2021-06-01 - H01L29/06
  • 本实用新型公开一种半导体器件封装结构,包括:半导体管芯,在其第一端上设有正面电极,在其第二端上设有背面电极,第一端与第二端相对;导电结合层;封装容器,其包括连接板和侧壁板;侧壁板由连接板延伸并弯折,以与连接板围成封装空间;半导体管芯设于封装空间内,半导体管芯的第二端通过导电结合层与连接板连接;侧壁板用于将背面电极与外部的电路载体电连接;在连接板接近半导体管芯的一端,和/或在半导体管芯接近连接板的一端设有凹槽,凹槽用于容纳导电结合层的材料。该半导体器件封装结构,采用了封装容器对半导体管芯进行封装,且在封装结构内设置了凹槽,以控制导电结合层周围的焊角的高度;该封装容器具有良好的散热效果,且封装可靠性得到提高。
  • 一种半导体器件封装结构
  • [发明专利]一种半导体功率模组及半导体功率模组的封装方法-CN202110038666.6在审
  • 王琇如;唐和明 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2021-01-12 - 2021-05-11 - H01L23/538
  • 本发明公开一种半导体功率模组及半导体功率模组的封装方法,该半导体功率模组包括:晶片载体;第一晶片,其底面通过第一结合层结合于晶片载体的顶面;第一晶片的底面设有第一底部电极,第一底部电极与晶片载体电连接;第一晶片的内部设有导电柱,导电柱的一端与第一底部电极电连接,另一端由第一晶片的顶面露出;第二晶片,其底面通过第二结合层结合于第一晶片的顶面;第二晶片的底面设有第二底部电极;第二底部电极通过导电柱与第一底部电极电连接。该封装方法用于封装上述半导体功率模组。本发明的半导体功率模组及半导体功率模组的封装方法,将不同功能的晶片堆叠封装,实现了晶片间的电性互连,同时缩小了产品尺寸,可满足更高的应用需求。
  • 一种半导体功率模组封装方法
  • [发明专利]一种功率模块封装结构及功率模块制造方法-CN202110039127.4在审
  • 王琇如;唐和明 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2021-01-12 - 2021-05-11 - H01L23/488
  • 本发明公开一种功率模块封装结构及功率模块制造方法,该功率模块封装结构包括:载体;功率晶片,其第一表面设有第一源极接点、第一栅极接点和第一漏极接点,第二表面设有第二源极接点、第二栅极接点和第二漏极接点;第一表面通过第一结合层结合于载体;第一表面的电极接点分别通过第一电连接件与载体电连接;第二表面的第二电极接点分别通过第二电连接件与载体电连接。该功率模块制造方法包括:准备步骤、第一结合步骤、第一电连步骤和第二电连步骤。该功率模块封装结构,对双面分别设有源极、栅极和漏极的功率晶片进行封装,在具备更多功能的同时,还可缩小体积;该功率模块制造方法,可制成具备更优性能且体积较小的功率模块封装结构。
  • 一种功率模块封装结构制造方法
  • [发明专利]一种堆叠封装结构及其封装工艺及电子产品-CN202011483410.8在审
  • 唐和明;曹周;黄源炜;郑明祥 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2020-12-15 - 2021-04-23 - H01L23/538
  • 本发明公开一种堆叠封装结构,包括GaN芯片以及控制芯片,GaN芯片非设置有电极的一侧布置有电路图形,控制芯片电连接于电路图形,电路图形与GaN芯片的栅极通过贯穿GaN芯片的导电金属电连接,通过金属导线与用于固定GaN芯片的引线框架电连接,同时本实施例中还公开了上述堆叠封装结构的加工工艺以及采用该堆叠封装结构的电子产品。本方案中通过将控制芯片堆叠设置在GaN芯片的背面,并通过设置在GaN芯片背面的电路图形以及贯穿GaN芯片的导电金属使得控制芯片的电极与GaN芯片的栅极能够实现电连接,由此可以把控制芯片和GaN芯片的电极之间的距离最小化,最大限度的降低电感、提升开关速度。
  • 一种堆叠封装结构及其工艺电子产品
  • [发明专利]一种半导体模块的封装方法及半导体模块-CN202011531222.8在审
  • 王琇如;唐和明 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2020-12-22 - 2021-04-23 - H01L21/48
  • 本发明公开一种半导体模块的封装方法及半导体模块,该半导体模块的封装方法包括:准备步骤、第一结合步骤、压合步骤、第二结合步骤、穿孔步骤、导通步骤、撤板步骤以及刻图案步骤;该半导体模块包括:引线框架,其包括第一导电部;晶片,其结合于第一导电部;DAF层,其覆盖引线框架的正面以及晶片;金属层,其结合于基板的正面,其包括第二导电部;正面电极与第二导电部电连接;导电结构,其设于DAF层内;导电结构的一端与第一导电部电连接,导电结构将背面电极引至半导体模块的正面。该半导体模块的封装方法及半导体模块,将晶片嵌入基板内,产品更薄,产品尺寸更小,可提高元件密集度,可实现双面散热,提高了散热效果,电极均可由同一面引出。
  • 一种半导体模块封装方法
  • [发明专利]一种半导体模组封装工艺及半导体模组-CN202011536519.3在审
  • 王琇如;唐和明 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2020-12-22 - 2021-04-23 - H01L23/373
  • 本发明公开一种半导体模组封装工艺,用于封装具有若干芯片的半导体器件,将若干所述芯片按预定方位布置后,通过掺杂银的玻璃胶对其进行整体封装,封装后通过切割工艺独立各个芯片,之后于切割位置填充封装树脂对其再次封装,使其所有所述芯片形成一整体。本方案中通过掺杂银的玻璃胶对芯片进行封装,首先掺杂银的玻璃胶能够起到支撑固定芯片的作用,使得若干独立的芯片可以固定为一个整体,同时,在玻璃胶中掺杂银后其散热性能会大幅度提升,由此掺杂银的玻璃胶取代了引线框架的支撑功能同时其散热性能优于铜制引线框架,使得其散热性能更佳。
  • 一种半导体模组封装工艺
  • [发明专利]一种内埋元件的封装结构及封装方法-CN202011536520.6在审
  • 唐和明;王琇如 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2020-12-22 - 2021-04-23 - H01L23/31
  • 本发明公开一种内埋元件的封装结构及封装方法,该内埋元件的封装结构包括:引线框架;半导体元件,其背面结合于导电部的正面;DAF层;半导体元件的正面电极接点由DAF层露出;DAF层设有导通孔;导电结构设于导通孔,导电结构与导电部连接;该内埋元件的封装方法,包括:采用结合材料将半导体元件的背面与引线框架的正面结合,形成一级结构;将DAF材料覆盖并压合于一级结构的正面,形成DAF层;在DAF层加工出将引线框架的正面露出的导通孔;在导通孔内设置导电结构;将引线框架刻出图案。该内埋元件的封装方结构及封装方法,将引线框架与DAF材料结合作为基板,半导体元件嵌入基板内,有利于缩小产品体积,简化了方法和结构,引线框架还可用于散热。
  • 一种元件封装结构方法
  • [实用新型]一种散热良好的管芯封装结构-CN202021785521.X有效
  • 唐和明;王琇如 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2020-08-24 - 2021-04-20 - H01L23/373
  • 本实用新型公开一种散热良好的管芯封装结构,包括:半导体管芯,在其第一端上设有正面电极,在其第二端上设有背面电极,第一端与第二端相对;导电结合层;金属容器,其包括容器本体和石墨散热体,容器本体包括连接板和侧壁板,在连接板的内部掺杂有若干石墨散热体;侧壁板由连接板延伸并弯折,以与连接板围成封装空间;半导体管芯设于封装空间内,第二端通过导电结合层与连接板连接;侧壁板包括外引端,背面电极通过导电结合层、连接板与外引端电连接。该散热良好的管芯封装结构,具有良好的散热性能,可靠性高。
  • 一种散热良好管芯封装结构
  • [实用新型]一种焊接介质体及层叠封装体-CN202021063127.5有效
  • 唐和明;郑明祥;周刚 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2020-06-10 - 2021-03-09 - H01L23/488
  • 本实用新型公开一种焊接介质体及层叠封装体,该焊接介质体包括支撑芯体和焊材层,所述焊材层包裹于所述支撑芯体的外表面,所述芯体的熔点高于所述焊材层的熔点,所述焊接介质体用于将不同半导体器件进行连接;该层叠封装体包括上述焊接介质体,还包括至少两件半导体器件,若干所述半导体器件依次堆叠,相邻层的所述半导体器件之间设置所述焊接介质体并通过所述焊接介质体连接;所述半导体器件与所述焊材层连接。本实用新型的焊接介质体该焊接介质体的位于内部的支撑芯体的熔点高于位于外层的焊材层的熔点;该层叠封装体,能够保证上下层半导体器件之间的平行度,以提高层叠封装体的封装品质,且便于制造。
  • 一种焊接介质层叠封装

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