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- [发明专利]一种内嵌元件的封装方法及封装结构-CN202011536517.4有效
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唐和明;王琇如
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杰群电子科技(东莞)有限公司
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2020-12-22
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2022-04-22
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H01L21/48
- 本发明公开一种内嵌元件的封装方法及封装结构,该内嵌元件的封装方法,包括:采用结合材料将半导体元件的背面与引线框架的正面结合,形成一级结构;将DAF材料覆盖并压合于一级结构的正面,形成DAF层;在DAF层加工出将引线框架的正面露出的导通孔;在导通孔内填充金属核球,金属核球之间结合形成导电柱;将引线框架刻出图案;该内嵌元件的封装结构包括:引线框架;半导体元件,其背面结合于导电部的正面;DAF层;半导体元件的正面电极接点由DAF层露出;DAF层设有导通孔;导电柱填充于导通孔,导电柱包括若干相互连接的金属核球。该内嵌元件的封装方法及封装结构,缩小了产品体积,简化了方法和结构,引线框架可用于散热,导电柱的导通性能好。
- 一种元件封装方法结构
- [发明专利]一种埋置元件的封装方法及封装结构-CN202011536527.8有效
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王琇如;唐和明
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杰群电子科技(东莞)有限公司
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2020-12-22
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2022-04-22
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H01L21/56
- 本发明公开一种埋置元件的封装方法及封装结构,该埋置元件的封装方法,包括:将半导体元件结合于引线框架;压合DAF材料,形成DAF层;加工第一导通孔;设置第一导电结构;将引线框架刻为图案化导电层,形成第一导电部;位于半导体元件相对两侧的第一导电结构与同一第一导电部电连接,形成电磁干扰屏蔽结构;该埋置元件的封装结构包括:引线框架,其为图案化导电层,其包括第一导电部;半导体元件,其结合于第一导电部;DAF层,其覆盖引线框架的正面及半导体元件;半导体元件的正面电极接点露出;第一导电结构,其与第一导电部结合形成电磁干扰屏蔽结构。该埋置元件的封装方法及封装结构,在缩小产品尺寸的同时具备电磁干扰防护功能,散热性能良好。
- 一种元件封装方法结构
- [实用新型]一种半导体器件封装结构-CN202021789761.7有效
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王琇如;唐和明
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杰群电子科技(东莞)有限公司
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2020-08-24
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2021-06-01
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H01L29/06
- 本实用新型公开一种半导体器件封装结构,包括:半导体管芯,在其第一端上设有正面电极,在其第二端上设有背面电极,第一端与第二端相对;导电结合层;封装容器,其包括连接板和侧壁板;侧壁板由连接板延伸并弯折,以与连接板围成封装空间;半导体管芯设于封装空间内,半导体管芯的第二端通过导电结合层与连接板连接;侧壁板用于将背面电极与外部的电路载体电连接;在连接板接近半导体管芯的一端,和/或在半导体管芯接近连接板的一端设有凹槽,凹槽用于容纳导电结合层的材料。该半导体器件封装结构,采用了封装容器对半导体管芯进行封装,且在封装结构内设置了凹槽,以控制导电结合层周围的焊角的高度;该封装容器具有良好的散热效果,且封装可靠性得到提高。
- 一种半导体器件封装结构
- [发明专利]一种半导体模块的封装方法及半导体模块-CN202011531222.8在审
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王琇如;唐和明
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杰群电子科技(东莞)有限公司
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2020-12-22
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2021-04-23
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H01L21/48
- 本发明公开一种半导体模块的封装方法及半导体模块,该半导体模块的封装方法包括:准备步骤、第一结合步骤、压合步骤、第二结合步骤、穿孔步骤、导通步骤、撤板步骤以及刻图案步骤;该半导体模块包括:引线框架,其包括第一导电部;晶片,其结合于第一导电部;DAF层,其覆盖引线框架的正面以及晶片;金属层,其结合于基板的正面,其包括第二导电部;正面电极与第二导电部电连接;导电结构,其设于DAF层内;导电结构的一端与第一导电部电连接,导电结构将背面电极引至半导体模块的正面。该半导体模块的封装方法及半导体模块,将晶片嵌入基板内,产品更薄,产品尺寸更小,可提高元件密集度,可实现双面散热,提高了散热效果,电极均可由同一面引出。
- 一种半导体模块封装方法
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