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[发明专利]太阳能面板模块-CN201210099807.6有效
发明人：曾煌棊;李权庭;李韦杰;杨峻鸣;东冠妏;黄明远;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能面板模块，其包括一太阳能面板、一支架结构以及一导流装置。支架结构与太阳能面板连结，用以支撑太阳能面板并使太阳能面板以倾斜于一水平面的一倾斜角设置。导流装置设置于太阳能面板的下方，用以将由侧向吹向导流装置的风导向一出风方向，其中出风方向朝向太阳能面板的一底面。
太阳能面板模块

[发明专利]一种太阳能电池模组及其导电线路层-CN201110141569.6无效
发明人：胡雁程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池模组，其包括基板、若干太阳能电池及背板。所述太阳能电池模组进一步包括导电线路层。所述导电线路层包括基体和嵌在所述基体中的多个导电条。所述基板与所述导电条位于所述基体的相对两侧。所述太阳能电池设置在所述基体上且每一个太阳能电池位于一对相邻的导电条之间并与相应的导电条接触。所述太阳能电池与所述导电线路层夹设在所述基板与所述背板之间。本发明的太阳能电池模组及其导电线路层中的导电条镶嵌在基体上，且与太阳能电池之间仅接触而没有焊接，因而，可以极大的减少焊接处的数量，或不需要焊接，这可以降低加工时间和成本，而且可降低整个太阳能电池模组的接触电阻。
一种太阳能电池模组及其导电线路

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201210165274.7有效
发明人：胡雁程;何伟硕;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池包括半导体基板以及第一抗反射层。半导体基板具有相对的第一型半导体表面与第二型半导体表面。第一抗反射层包括多个折射凸块以及覆盖层。这些折射凸块设置于第二型半导体表面，其中各折射凸块具有第一折射部与第二折射部。第二折射部共形地覆盖第一折射部，且第一折射部的折射率大于第二折射部的折射率。覆盖层覆盖第二型半导体表面及这些折射凸块，且覆盖层的折射率小于这些第二折射部的折射率。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]太阳能电池-CN201210068605.5有效
发明人：赖良星;胡雁程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池，包含第一电极、埋入电极、光电转换层以及第二电极。光电转换层位于第一电极以及第二电极之间，且配置在第一电极和埋入电极上。埋入电极设于第一电极上，且埋入电极嵌设于光电转换层。本发明可提高整体太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池

[发明专利]制作太阳能电池的方法-CN201210063161.6有效
发明人：胡雁程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种制作太阳能电池的方法，包括利用掺杂胶于半导体基底的第一表面形成选择性射极，并藉由掺杂胶的屏障使选择性射极具有非粗糙化表面，以及利用粗糙化阻障层使半导体基底的第二表面具有非粗糙化表面。
制作太阳能电池方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201110409132.6有效
发明人：吕智成;胡雁程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种太阳能电池，其包括半导体基材、掺杂材料层、第一接触电极、电极层、散热材料层以及第二接触电极。半导体基材具有第一表面以及第二表面。掺杂材料层位于靠近第一表面的半导体基材之上或内。第一接触电极位于掺杂材料层上。电极层位于半导体基材的第二表面上。散热材料层覆盖电极层。第二接触电极位于散热材料层上，且第二接触电极与电极层电性连接。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201110335105.9无效
发明人：邱铭晖;杨士贤;胡雁程;陈钰君;陈宗保;王冠程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的制造方法。提供一第一型基底，其具有一第一表面与一第二表面。使用一第一掺质对第一型基底的第一表面进行一第一掺杂工艺，以形成一第一型淡掺杂层。使用一第二掺质对部分第一型淡掺杂层进行一第二掺杂工艺，以形成一第二型重掺杂区，其中第二掺质的原子量大于第一掺质的原子量，第一掺杂工艺的温度高于第二掺杂工艺的温度。于第二型重掺杂区上形成一第一电极。于第一型基底的第二表面上形成一第二电极。本发明的方法能于淡掺杂层中清楚地定义深度较浅的重掺杂区，使得作为选择性射极的重掺杂区能对电极提供良好的欧姆接触，进而有效地提升太阳能电池中的再结合效率，使得太阳能电池具有较佳的效率。
太阳能电池制造方法

[发明专利]太阳能电池的制作方法-CN201110204348.9无效
发明人：赖良星;胡雁程;陈人杰;吴振诚;何玄政 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池的制作方法包括以下步骤。首先，提供第一型半导体基板，其具有相对的第一表面以及第二表面。然后，形成第一金属层，覆盖第二表面。接着，对第一表面进行制绒，以形成制绒表面。之后，在该制绒表面形成第二型半导体层，以于第一型半导体基板与第二型半导体层之间形成电性异质接面。随后，在第二型半导体层上形成前电极，电性连接至第二型半导体层。此太阳能电池的制作方法有利于简化工艺，提高生产效率。
太阳能电池制作方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法、制备含气隙图案的光罩的方法-CN201010540003.6有效
发明人：苏淑慧;黄震麟;杨景峰;吴振诚;吴仁贵;陈殿豪;米玉杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构、制造半导体结构的方法以及制备含有气隙图案的光罩的方法。半导体结构包括一第一含金属层、一介电材料帽盖层、一第二含金属层和一导电垫。第一含金属层包括一组金属结构、一介电材料填充物和一气隙区域，其中介电材料填充物占据第一含金属层的一部分，以及气隙区域由至少该组金属结构和介电材料填充物来界定，且紧邻该组金属结构的至少一部分。第二含金属层包括至少一介层窗插塞，其电性连接至该组金属结构的一部分。导电垫和介层窗插塞与气隙区域不重叠。
半导体结构及其制造方法制备含气隙图案

[发明专利]太阳电池的制造方法-CN201110052208.4有效
发明人：胡雁程;郭政彰;陈均维;李欣峯;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳电池的制造方法，其包括：提供一第一型掺杂半导体基材，其具有一第一表面以及一第二表面；于部分的第一型掺杂半导体基材中形成一第二型掺杂扩散区，第二型掺杂扩散区自第一表面延伸至第一型掺杂半导体基材中；于第一表面上形成一与第二型扩散层接触的抗反射层；于抗反射层上形成一导电胶，其包括导电粒子以及第二型掺质，并进行一共烧结工艺，以使导电胶穿过抗反射层而形成一嵌于抗反射层的第一接触导体，在共烧结工艺中，第二型掺质扩散至第二型掺杂扩散区以形成一第二型重掺杂区；以及于第一型掺杂半导体基材的第二表面上形成一第二接触导体。本发明的太阳电池的制造方法具有制造成本低廉、控制容易以及良率高等优势。
太阳电池制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201110026738.1有效
发明人：郭政彰;胡雁程;李欣峯;陈宗保;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，其中采用激光掺杂工艺来形成正型掺杂区与负型掺杂区，以提高制作掺杂区时的准确度。接点材料可直接利用激光形成开孔，因此，不会有金属接点的阶梯覆盖率不佳的问题。此外，太阳能电池采用梳状的第一电极以及片状的第二电极，搭配相应的第一型掺杂区以及第二型掺杂区，以充分利用半导体基板的空间，提供良好的光电转换效率。由于第二电极为片状并且可由铝等高反射物质制作，因此，有助于提局太阳能电池的光利用率。此太阳能电池的工艺简单，具有高工艺良率。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201110058501.1有效
发明人：胡雁程;李欣峯;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一半导体基底、一第一掺杂半导体层、一绝缘层、一第二掺杂半导体层以及一第一电极层。半导体基底具有第一掺杂型式。第一掺杂半导体层设置于半导体基底上，且第一掺杂半导体层包含一掺杂接触区。绝缘层设置于第一掺杂半导体层上且暴露出掺杂接触区。第二掺杂半导体层设置于绝缘层与掺杂接触区上。第一掺杂半导体层、掺杂接触区与第二掺杂半导体层具有第二掺杂型式，且第二掺杂半导体层的掺杂浓度实质上介于掺杂接触区的掺杂浓度与第一掺杂半导体层的掺杂浓度之间。第一电极层对应于掺杂接触区。本发明的太阳能电池及其制作方法，可提升太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201110051057.0有效
发明人：郭政彰;李欣峯;胡雁程;陈均维;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，包括一半导体基材、一重掺杂层、一淡掺杂层、一第一电极层以及一第二电极层。半导体基材具有一第一表面以及一第二表面。重掺杂层位于半导体基材内，且从半导体基材的第一表面往半导体基材之内部延伸一第一厚度。淡掺杂层位于半导体基材内，且从重掺杂层往半导体基材之内部延伸一第二厚度，其中重掺杂层的第一厚度小于淡掺杂层的第二厚度。第一电极层位于半导体基材的第一表面上。第二电极层位于半导体基材的第二表面上。本发明能提高太阳能电池的效能，并且能大幅缩减制造工艺时间与降低制造成本。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池结构-CN201110026719.9无效
发明人：陈钰君;赖忠威;陈宗保;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池结构，包括一基板、一第一半导体硅膜层、一第一透明导电层、一第一保护层、一第一金属电极、一第二半导体硅膜层、一第二透明导电层以及一第二金属电极。第一半导体硅膜层、第一透明导电层、第一保护层依序地配置于基板的一第一侧。第一保护层具有多个第一开口以暴露出部分第一透明导电层。第一保护层的材质为氮化硅。第一金属电极配置于第一保护层的第一开口中。第二半导体硅膜层配置于基板的一第二侧，且第一侧与第二侧相对。第二透明导电层配置于第二半导体硅膜层远离基板的一侧。第二金属电极配置于第二透明导电层远离基板的一侧。本发明透明导电层与保护层的堆栈结构可提供抗反射的作用，构成多层态样的抗反射涂层。
太阳能电池结构

[发明专利]太阳能电池-CN201110045950.2有效
发明人：胡雁程;陈芃;梁硕玮;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池，其包括半导体基底、掺杂层、量子阱层、第一钝化层、第二钝化层、第一电极以及第二电极。半导体基底具有前表面以及后表面，且半导体基底的前表面为纳米柱。掺杂层覆盖在纳米柱的表面。电极层覆盖掺杂层。量子阱层位于半导体基底上，量子阱层具有至少一第一掺杂区以及至少一第二掺杂区，其中量子阱层包括多晶硅化锗(Si1-xGex)。第一钝化层覆盖量子阱层的第一掺杂区。第二钝化层覆盖量子阱层的第二掺杂区。第一电极以及第二电极分别与量子阱层的第一掺杂区以及第二掺杂区电性连接。
太阳能电池