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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN202310362129.6在审
  • 白奉官;林俊赫;千正焕;韩奎熙;白宗玟;柳庚玟;申定候;张相信 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-06 - 2023-10-20 - H01L29/78
  • 提供了具有改善的性能和可靠性的半导体器件和用于形成其的方法。半导体器件包括在第一方向上延伸的有源图案、在有源图案上在第一方向上彼此间隔开的栅极结构、在有源图案上的源极/漏极图案、在源极/漏极图案上的源极/漏极接触、以及沿着源极/漏极接触的侧壁延伸的接触衬垫。接触衬垫的第一点处的接触衬垫的碳浓度不同于接触衬垫的第二点处的接触衬垫的碳浓度，第一点在距有源图案的上表面的第一高度处，第二点在距有源图案的上表面的第二高度处，第一高度小于第二高度。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体装置-CN202210865237.0在审
  • 白宗玟;申定候;张相信;千正焕;朴径范;朴水贤 - 三星电子株式会社
  • 2022-07-21 - 2023-02-03 - H01L23/532
  • 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，具有有源区；第一绝缘层，在基底上；第二绝缘层，在第一绝缘层上；蚀刻停止层，在第一绝缘层与第二绝缘层之间；过孔触点，在第一绝缘层中，并且电连接到有源区；互连电极，在第二绝缘层中，并且电连接到过孔触点；导电阻挡层，在互连电极的侧表面和下表面上，并且具有延伸到过孔触点的侧表面的部分区域的延伸部；以及侧绝缘层，在导电阻挡层的延伸部下方在过孔触点的侧区域上，侧绝缘层包括与蚀刻停止层的材料相同的材料。
  • 半导体装置
  •  1 
  • 共 3 条
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