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[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法-CN201811063190.6有效
发明人：丁涛;韦春余;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。包括：提供至少两种衬底，衬底上设有掺杂氧元素的氮化铝层，至少两种衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度不同；提供一石墨基座，石墨基座上设有多个口袋；在每个口袋中放置一个衬底，分布在同一个圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度相同，分布在至少两个同心圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层中氧元素的掺杂浓度自至少两个同心圆的圆心沿至少两个同心圆的径向逐渐减少；同时在每个口袋中放置的衬底上的氮化铝层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层，形成氮化镓基发光二极管外延片。本发明可使得所有口袋中形成的外延片的翘曲一致。
一种氮化发光二极管外延生长方法

[发明专利]Micro LED外延片的生长方法及Micro LED外延片-CN201911001464.3有效
发明人：姚振;从颖;董彬忠;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开公开了一种Micro LED外延片的生长方法及Micro LED外延片，属于半导体技术领域。生长方法包括：将衬底放入反应设备内的承载体上，对衬底进行预处理；在衬底上依次生长低温缓冲层、高温外延层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，有源层包括依次层叠的多个周期结构，每个周期结构包括依次层叠的量子阱和量子垒；低温缓冲层、高温外延层、N型半导体层、量子阱、量子垒、电子阻挡层和P型半导体层均在停止向反应设备内通入反应气体，对反应设备提供的生长条件进行多个阶段的调整之后，向反应设备内通入反应气体生长形成。本公开可以满足Micro LED的要求。
micro led 外延生长方法

[发明专利]紫外发光二极管外延片及其制备方法-CN202010849125.7在审
发明人：刘旺平;郭炳磊;刘春杨;梅劲 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。在Al2O3衬底的第二表面上依次层叠AlN层与Al层形成反射层。反射层对紫外光的吸收率低，且有较高的紫外光的反射率，可以将较多的紫外光线反射，提高紫外发光二极管的出光率。AlN层与Al层结合形成双层膜，可以减少反射损失。AlN和Al之具有的较大的折射率差异，可以将AlN层与Al层的界面的全内反射效应可能被引入进来，提高出光效率。反射层仅包括AlN层与Al层双层结构，结构简单也易于制备，可以在提高紫外发光二极管的发光效率的同时降低紫外发光二极管的制备成本。
紫外发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]微型发光二极管的显示阵列及其制作方法-CN201911051010.7有效
发明人：兰叶;吴志浩 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管的显示阵列及其制作方法，属于半导体技术领域。所述显示阵列包括电路板和多个间隔设置在所述电路板上的发光芯片；每个所述发光芯片包括依次层叠在所述电路板上的P型电极、空穴产生层、有源层、电子产生层和N型电极；所述电子产生层的第一表面区域设有向所述有源层延伸的凹槽，所述第一表面区域内的点与所述发光芯片的边缘之间的距离小于第一阈值；所述凹槽内的所述电子产生层的第二表面区域注入有镁离子，所述第二表面区域内的点与所述发光芯片的边缘之间的距离在第二阈值和第三阈值之间，所述第二阈值小于所述第三阈值，所述第三阈值小于所述第一阈值。本公开可减少相邻两个Micro LED之间的光耦合。
微型发光二极管显示阵列及其制作方法

[发明专利]发光二极管外延生长反应腔的恢复方法及其外延生长方法-CN201910803412.1有效
发明人：从颖;姚振;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延生长反应腔的恢复方法及其外延生长方法，属于半导体技术领域。恢复方法包括：向反应腔内通入Ga源和NH3形成第一化合物涂层；向反应腔内通入Al源形成第二化合物涂层；停止向反应腔内通入Al源，向反应腔内通入石墨烯，石墨烯催化反应腔内的Al源掺入第二化合物涂层中；停止向反应腔内通入石墨烯，向反应腔内通入石Mg源形成第三化合物涂层；停止向反应腔内通入Mg源，向反应腔内通入石墨烯，石墨烯催化反应腔内的Mg源插入第三化合物涂层中；停止向反应腔内通入Ga源、NH3和石墨烯，完成反应腔的恢复。本发明快速恢复到反应腔正常生长所需的优良环境，最终提高MOCVD的生长效率和产品品质。
发光二极管外延生长反应恢复方法及其

[发明专利]发光二极管外延片及其生长方法-CN201910427870.X有效
发明人：兰叶;陶羽宇;常远;吴志浩 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括依次层叠的衬底、N型限制层、有源层、P型AlInP限制层、过渡层和P型GaP窗口层，过渡层包括交替层叠的(N+1)个第一子层和N个第二子层，每个第一子层为AlGaInP层，(N+1)个第一子层中Al组分的含量沿从P型AlInP限制层到P型GaP窗口层的方向逐渐减小，(N+1)个第一子层中Ga组分的含量沿从P型AlInP限制层到P型GaP窗口层的方向逐渐增大；每个第二子层为GaP层，N个第二子层的总厚度为(N+1)个第一子层的总厚度的1/200～1/20。本发明可提高LED的发光效率。
发光二极管外延及其生长方法

[发明专利]发光二极管外延片、发光二极管模块及其制作方法-CN201911193467.1有效
发明人：兰叶;吴志浩 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片、发光二极管模块及其制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：分别在电路板上设置红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片，红光芯片和蓝光芯片分别与绿光芯片相对设置，红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片均包括依次层叠在电路板上的P型电极、透明导电层、空穴产生层、有源层、电子产生层和透明基板；采用激光剥离的方式去除红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片中的透明基板；在红光芯片和蓝光芯片中的电子产生层远离绿光芯片的区域上形成半透明薄膜；在红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片中的电子产生层上设置N型电极。本公开可改善LED模块整体发出光线的均匀性。
发光二极管外延模块及其制作方法

[发明专利]倒装发光二极管芯片及其制作方法-CN201910357270.0有效
发明人：兰叶;陶羽宇;常远;吴志浩 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述倒装发光二极管芯片包括透明基板、透明粘结层、窗口层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型电极和P型电极，所述透明基板；所述透明粘结层包括自所述透明基板向所述窗口层依次层叠的第一缓冲层、键合层和第二缓冲层；所述第一缓冲层的材料的热膨胀系数在所述透明基板的材料的热膨胀系数和所述键合层的材料的热膨胀系数之间，所述第二缓冲层的材料的热膨胀系数在所述键合层的材料的热膨胀系数和所述窗口层的材料的热膨胀系数之间。本发明有利于LED芯片的稳定使用，提高LED芯片的使用寿命。
倒装发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法-CN201811256110.9有效
发明人：张威;王江波 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、反光层、绝缘层、P型电极、N型电极、N型焊盘和P型焊盘；所述N型焊盘和所述P型焊盘之间的绝缘层上设有向所述反光层延伸的第二凹槽，所述第二凹槽的深度小于所述绝缘层的厚度，所述第二凹槽与所述N型焊盘之间的距离不等于所述第二凹槽与所述P型焊盘之间的距离。本发明通过增设的第二凹槽可以有效避免锡膏在粘接焊盘和支架时被挤出到两个焊盘之间而导致N型焊盘和P型焊盘导通，大大提高了倒装芯片的可靠性。
一种倒装 led 芯片及其制作方法

[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法-CN201910427755.2有效
发明人：兰叶;陶羽宇;常远;吴志浩 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括依次设置的透明基板、SiO2层、第一折射率渐变层、窗口层、P型限制层、有源层、N型限制层；所述第一折射率渐变层包括至少一个第一掺杂层，所述第一掺杂层为掺有第一杂质的聚酰亚胺层，所述第一杂质的折射率大于聚酰亚胺的折射率，且小于所述窗口层的折射率；每个所述第一掺杂层中第一杂质的掺杂浓度沿远离所述窗口层的方向逐渐降低。本发明通过在窗口层和SiO2层之间增设第一掺杂层，可以有效缓解窗口层和SiO2层之间折射率的巨大差异，减小光在两种介质的交界面的反射率，增大射出外延片的光线比例，提高出光效率。
发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法-CN201910152555.0有效
发明人：刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，应力释放层包括多个交替生长的第一超晶格结构和第二超晶格结构，第一超晶格结构为低温InGaN/GaN超晶格结构，第二超晶格结构为高温InGaN/GaN超晶格结构。本发明提供的发光二极管外延片可以优化V型坑的开口大小，提高LED的内量子发光效率，同时提高外延层的晶体质量。
氮化发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]紫外发光二极管外延片及其制造方法-CN201910124859.6有效
发明人：刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述紫外发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述多量子阱层由多个周期的超晶格结构组成，每个超晶格结构均包括依次层叠的GaN阱层和BAlN垒层。与现有的GaN/AlGaN异质结相比，GaN/BAlN异质结的价带偏移更小，导带偏移更大，能够更好的将电子限制在GaN阱层内，并能提高空穴的迁移，且GaN/BAlN异质结界面具有高浓度的二维电子气，能够提高载流子的横向迁移能力，最终提升电子、空穴的辐射复合效率，从而提高紫外LED的发光效率。
紫外发光二极管外延及其制造方法

[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法-CN201910427867.8有效
发明人：兰叶;陶羽宇;常远;吴志浩 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括透明基板、透明粘结层、窗口层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型电极、P型电极和若干金属颗粒；窗口层的第一表面具有凸起部和凹陷部，若干金属颗粒间隔设置在凸起部和凹陷部上；每个金属颗粒呈工字型，工字型包括依次设置在窗口层的第一表面上的底部、连接部和顶部；底部与金属颗粒的设置表面形成合金，连接部的第一截面的面积小于底部的第一截面的面积，顶部的第一截面的面积大于连接部的第一截面的面积。本发明可以有效避免窗口层和透明基板分离，提高LED芯片的稳定性和可靠性，延长LED芯片的使用寿命。
发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法-CN201811205142.6有效
发明人：洪威威;王倩;韦春余;周飚;胡加辉 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。N型GaN层与有源层之间依次设置低温N型GaN层与超晶格结构，低温N型GaN层的设置可使得超晶格结构与N型GaN层之间能够良好过渡，保证在N型GaN层上生长的超晶格结构的质量，避免超晶格结构中出现过多缺陷进而影响后续生长的有源层，而超晶格结构中交替层叠的铝镓氮子层、铟镓氮子层及GaN子层可起到释放外延层中的应力的作用，提高外延层整体的晶体质量，并且由于铝镓氮子层、铟镓氮子层及GaN子层三者之间的晶格常数差异较大，因此三者之间的界面可对位错进行阻挡，避免位错移动至超晶格结构之后的有源层中，保证了有源层的晶体质量。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片的蒸镀治具、方法及其芯片的固晶方法-CN201910541948.0有效
发明人：张圣君;胡根水;孙虎;李俊生 -专利权人： 华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片的蒸镀治具、方法及其芯片的固晶方法，属于发光二极管领域。蒸镀治具包括：支撑筒和压盖，支撑筒为两端敞口的圆筒，支撑筒的第一端的内周壁设有第一圆环，支撑筒在第一圆环处的横截面位于第一圆环所在平面内，第一圆环的开口大小与发光二极管外延片的待蒸镀面相配合，支撑筒的第二端的外周壁设有第二圆环，支撑筒在第二圆环处的横截面位于第二圆环所在平面内，第二圆环用于与蒸镀设备的镀锅边缘接触以将支撑筒套装于镀锅，压盖包括筒体和固定于筒体的盖体，筒体用于套装在支撑筒内、并将发光二极管外延片压紧在第一圆环上，盖体覆盖在筒体的一个敞口端上，盖体的外边缘用于与第二圆环接触。
发光二极管外延蒸镀治具方法及其芯片