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[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202210287250.2在审
发明人：高庭庭;吴采宇;刘小欣;杜小龙;孙昌志;袁伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法，该方法包括：在衬底上交替叠置牺牲层和绝缘层以形成叠层结构，将叠层结构图案化为多个台阶；在多个台阶上形成第一电介质层，在每个台阶处形成贯穿第一电介质层和叠层结构的虚拟沟道孔；在虚拟沟道孔的内表面形成绝缘阻隔层，在虚拟沟道孔的剩余空间填充虚拟沟道填充层；将第一电介质层、台阶上的部分绝缘阻隔层以及部分虚拟沟道填充层置换为隔离部，其中隔离部将虚拟沟道填充层分隔为位于其靠近衬底的一侧的第一虚拟沟道填充层和位于其远离衬底的一侧的第二虚拟沟道填充层；将牺牲层替换为栅极层；以及去除第二虚拟沟道填充层和部分隔离部以形成暴露台阶顶部的栅极层的空隙，并在空隙中填充导电材料。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]三维存储器件及其制造方法-CN202210276258.9在审
发明人：孙昌志;夏志良;刘小欣;高庭庭;杜小龙;刘佳裔 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供三维存储器件及其制造方法，制造方法包括：提供衬底，衬底上形有堆叠结构，堆叠结构包括交替层叠的牺牲层和绝缘层；沿垂直于衬底的纵向上形成贯穿堆叠结构的沟道孔；在沟道孔的内壁上形成第一功能层以及对应覆盖在第一功能层上的第二功能层，其中第一功能层包括沿围绕于沟道孔的中心轴线的方向上相互隔开的多个子电荷捕获层，第二功能层包括围绕于中心轴线的方向上相互隔开的多个子沟道层；在多个子沟道层的内表面上形成介质层，以使沟道孔被介质层填充。由于相互隔开的多个子沟道层形成多条存储串，一个子沟道层位于一个存储串中，不需要增加堆栈的层数就提高存储密度，相互隔开的多个子存储层避免相邻存储串之间发生串扰现象。
三维存储器件及其制造方法

[发明专利]用于制造三维存储器的方法及三维存储器-CN202210206232.7在审
发明人：杜小龙;高庭庭;孙昌志;刘小欣;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于制造三维存储器的方法及三维存储器。该方法包括：在划分有台阶区和存储区的叠层结构形成栅线缝隙槽，其中，叠层结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层，并且设置有包括电荷捕获层和电荷阻挡层的沟道结构；移除绝缘层的至少一部分以形成绝缘空间并暴露出沟道结构；去除电荷阻挡层的与绝缘空间对应的部分；以及处理电荷捕获层的与绝缘空间对应的部分，使电荷捕获层的与牺牲层对应的多个捕获部之间彼此电性隔绝。
用于制造三维存储器方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统-CN202210141495.4在审
发明人：黎姗;杜小龙;高庭庭;刘小欣;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高三维存储器的稳定性。该制备方法包括：在衬底的一侧形成初始叠层结构，初始叠层结构包括交替叠置的栅替换层和初始栅介质层；形成沟道孔；在沟道孔内形成初始沟道结构，初始沟道结构包括依次设置的阻挡层和初始电荷存储层，其中，阻挡层与初始栅介质层在同一工艺条件下的刻蚀速率不同；去除初始栅介质层，以形成第一缝隙；通过第一缝隙对初始电荷存储层的目标部位进行绝缘处理，以使目标部位转化为隔离部；在第一缝隙内填充绝缘材料。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
半导体结构及其制备方法三维存储器存储系统

[发明专利]半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统-CN202210143436.0在审
发明人：黎姗;杜小龙;袁伟;刘小欣;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开提一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高三维存储器的稳定性。该制备方法包括：在衬底的一侧形成初始叠层结构，初始叠层结构包括交替叠置的栅替换层和初始栅介质层；形成沟道孔，沟道孔贯穿初始叠层结构；在沟道孔内形成初始沟道结构，初始沟道结构包括初始电荷存储层；形成栅极隔槽，栅极隔槽至少贯穿初始叠层结构；经由栅极隔槽，去除初始栅介质层，以形成第一缝隙；通过第一缝隙对初始电荷存储层的目标部位进行改性处理，以使目标部位转化为隔离部，其中，隔离部将初始电荷存储层分隔为多个电荷存储部。所制备的半导体结构用以实现数据的读取和写入操作。
半导体结构及其制备方法三维存储器存储系统

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202110628570.5有效
发明人： 刘小欣;夏志良;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成包括交替叠置的电介质层和牺牲层的叠层结构，并形成贯穿所述叠层结构的沟道孔；经由沟道孔去除牺牲层的朝向沟道孔的一部分，以形成第一沟槽；在第一沟槽内依次形成阻挡层和电荷捕获层；以及在沟道孔的侧壁上形成隧穿层，以覆盖电荷捕获层和所述阻挡层。该三维存储器及其制备方法能够有效地抑制每个栅极层对应的电荷捕获层中的电荷扩散，从而提高电荷捕获层的存储可靠性，进而提高制备完成后的三维存储器的存储保持特性。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]一种粉末自动筛分装置-CN202111573987.2在审
发明人：刘超;刘小欣;樊恩想;吴欢欢;曹章轶;廖文俊 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B07B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种粉末自动筛分装置，包括：加粉部，加粉部用于通粉的加入；第一筛分装置，第一筛分装置与加粉部连接，第一筛分装置用于将通粉筛分为粗粉和细粉；粗粉罐，粗粉罐与第一筛分装置连接；第二筛分装置，第二筛分装置与第一筛分装置连接，第二筛分装置用于将细粉与气体相分离；细粉罐，细粉罐与第二筛分装置连接；粉末烘干装置；第一送粉装置，第一送粉装置与粗粉罐连接，粉末烘干装置与第一送粉装置连接；第二送粉装置，第二送粉装置的与粉末烘干装置连接，第二送粉装置与加粉部连接。通过对本发明的应用，将筛分和烘干形成一个可循环的整体，提高了通粉筛分的收得率，尽量避免了通粉受潮受污染，还提高了通粉的筛分效率和筛分质量。
一种粉末自动筛分装置

[发明专利]一种雾化喷嘴-CN202111471214.3在审
发明人： 刘小欣;曹彰轶;廖文俊;樊恩想;吴欢欢 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明公开一种雾化喷嘴，包括：第一端盖和第二端盖沿第一方向相对地设置，且能够沿第一方向相对地移动；第一端盖的外缘与装配法兰之间、第二端盖的外缘与装配法兰之间均密封配合，且装配法兰、第一端盖和第二端盖之间合围形成气体腔室；第一端盖具备沿第一方向且朝向第二端盖延伸的凸柱，凸柱的外表面的至少一部分形成一配合面；第二端盖具备第一孔，凸柱的至少一部分位于第一孔内，配合面和第一孔的内壁之间形成缝隙，缝隙与气体腔室连通；缝隙被配置为缝隙的宽度随第一端盖和第二端盖沿第一方向相对地移动而变化。该喷嘴的缝隙的宽度可调，既可以制备不同粒径分布的粉末，也可以解决不同加工批次的喉径尺寸不同导致的制粉批次不稳定的问题。
一种雾化喷嘴

[发明专利]制备三维存储器的方法-CN202110302061.3有效
发明人：高庭庭;刘小欣;耿万波;孙昌志;杜小龙;李拓;吴采宇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种制备三维存储器的方法，该方法包括：在衬底上形成源极牺牲层、位于源极牺牲层上方的叠层结构、以及贯穿叠层结构和源极牺牲层并延伸至衬底中的沟道孔；在沟道孔的内壁上依次形成功能层和非晶硅层；在叠层结构的远离衬底的顶表面形成诱发金属薄膜，使诱发金属薄膜与非晶硅层接触；诱发非晶硅层结晶，以形成结晶硅沟道层；以及去除源极牺牲层以及功能层的邻近于衬底的部分，以部分地暴露衬底和结晶硅沟道层；以及在所暴露的衬底上形成源极连接层，使之与所暴露的结晶硅沟道层接触。由此，可以改善三维存储器的沟道结构的载流子迁移率，从而改善半导体器件整体的电池电流。
制备三维存储器方法

[发明专利]3D NAND存储器件及其制造方法-CN202010000209.3有效
发明人： 刘小欣;薛磊;薛家倩;耿万波;黄波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种3D NAND存储器件及其制造方法。上述3D NAND存储器件，包括：衬底；在所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括交错间隔设置的多个横向延伸的栅极层和第一绝缘层；纵向延伸穿过所述堆叠层的沟道结构，所述沟道结构包括存储功能层、沟道层以及沟道填充层；纵向延伸穿过所述堆叠层的栅极隔槽，相邻所述栅极隔槽之间包括多个所述沟道结构；其中，多个所述第一绝缘层中形成有气隙。本发明提供的3D NAND存储器件，通过在堆叠层中的第一绝缘层中形成有气隙，降低了寄生电容，提高了存储器件的运行速度和稳定性。
nand 存储器件及其制造方法

[发明专利]存储器、存储器制造方法及存储系统-CN202111625414.X在审
发明人： 刘小欣 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储器、存储器制造方法及存储系统，所述制造方法包括：在衬底上形成第一堆叠结构；其中，所述第一堆叠结构包括依次堆叠的第一层间绝缘层和底部选择栅极层；形成贯穿所述第一堆叠结构以及部分所述衬底的第一沟道孔；在所述第一沟道孔中填充第一半导体材料，形成所述底部选择栅极层对应的第一导电沟道；在所述第一堆叠结构上形成第二堆叠结构，并在所述第二堆叠结构中形成存储单元串。
存储器制造方法存储系统

[发明专利]一种病理样本脱水监测系统-CN202111641781.9在审
发明人： 刘小欣;华中秋;赵晓伟 -专利权人：深圳乐易通医疗设备研发有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种病理样本脱水监测系统。所述系统包括：图像采集模块，用于获取第一图像和第二图像；第一图像为放置在脱水篮中的病理样本脱水后的图像；第二图像为放置在脱水篮中的病理样本脱水前的图像；样本批量扫描识别模块，用于根据脱水篮的样式检测第一图像中各样本盒上的标签信息，得到第一标签信息；根据脱水篮的样式检测第二图像中各样本盒上的标签信息，得到第二标签信息；将第一标签信息和第二标签信息进行匹配，得到匹配结果；匹配结果包括：样本盒是否有丢失和丢失样本盒的信息。本发明能对脱水样本进行监测，保证脱水样本的准确性。
一种病理样本脱水监测系统

[实用新型]一种试剂瓶抓取装置及加液系统-CN202122969015.7有效
发明人： 刘小欣;华中秋;蔡传喜 -专利权人：深圳乐易通医疗设备研发有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B01L9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种试剂瓶抓取装置及加液系统，其中，试剂瓶抓取装置包括用于夹取试剂瓶的夹爪组和用于驱动夹爪组的夹取装置。夹爪组包括第一夹爪和第二夹爪；夹取装置具有第一夹取端和第二夹取端，第一夹爪和第二夹爪分别固定于第一夹取端和第二夹取端上，第一夹取端和第二夹取端相向运动时能够带动夹爪组夹紧试剂瓶，第一夹取端和第二夹取端相背运动时能够带动夹爪组松开试剂瓶。相比于现有技术，本实用新型采用将试剂瓶抓取后进行挤压的方式进行加液，避免出现试剂的交叉污染问题。
一种试剂抓取装置系统

[实用新型]玻片架-CN202122969046.2有效
发明人： 刘小欣;华中秋;蔡传喜 -专利权人：深圳乐易通医疗设备研发有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B01L9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种玻片架，包括第一支架和驱动装置。第一支架包括玻片盖板转动支架、压片架和第一弹簧，玻片盖板转动支架用于安装玻片盖板，玻片盖板转动支架与压片架通过第一弹簧弹性相连，压片架具有压片架第一端和压片架第二端，压片架第一端与玻片盖板转动支架转动连接，压片架第二端为载玻片的压片端；驱动装置能够驱动第一支架旋转。相比于现有技术，本实用新型通过在抬起玻片盖板时对载玻片进行限位，能够防止载玻片脱离。
玻片架

[实用新型]包埋盒激光打印机-CN202122969047.7有效
发明人： 刘小欣;华中秋;蔡传喜 -专利权人：深圳乐易通医疗设备研发有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B41J2/47 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种包埋盒激光打印机，包括上料盒、输送装置和激光打印机。输送装置包括夹块和钩块，夹块与钩块能夹住和释放包埋盒。激光打印机用于在包埋盒被输送装置输送时对包埋盒的打印面上进行打印。相比于现有技术，本实用新型在将包埋盒从上料盒内取出后，通过钩块和夹块完成包埋盒的稳定夹持，在该稳定夹持过程中完成对包埋盒的打印，保证包埋盒上打印位置的准确性，防止包埋盒在输送过程中脱落。
包埋激光打印机