|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 644个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]光波导微流体芯片的制造方法-CN202010052131.X有效
-
陈昌;刘博;豆传国
-
上海新微技术研发中心有限公司
-
2020-01-17
-
2021-11-30
-
B01L3/00
- 本发明提供一种光波导微流体芯片的制造方法，包括提供衬底，在衬底上形成牺牲层，在牺牲层上形成下包层；在下包层上形成波导层，波导层是氮化硅材料；以波导层形成光波导；在波导层上形成上包层；形成微流道，微流道由上而下贯穿上包层和波导层延伸进下包层；去除牺牲层，以将上包层、波导层和下包层与衬底剥离。具有有益效果：在柔性基底上沉积光学性能可调的氮化硅薄膜，扩展以氮化硅为光学器件材料应用的范围和形式，生产芯片级光学检测系统，把传统的台式甚至大型的光学系统缩小到芯片尺寸，保证同等甚至更出色的分析性能，实现微纳尺度下的生物样品的高通量芯片级光学检测和分析集成系统，大幅度降低系统成本。
- 波导流体芯片制造方法
- [发明专利]光栅波导微流体芯片的制造方法-CN202010053711.0有效
-
陈昌;刘博;豆传国
-
上海新微技术研发中心有限公司
-
2020-01-17
-
2021-11-30
-
B01L3/00
- 本发明提供一种光栅波导微流体芯片的制造方法，包括提供衬底，在衬底上形成牺牲层，形成下包层；形成波导层；形成光栅波导，包括出射光栅；在波导层上形成保护层，用于覆盖光栅波导并保护出射光栅；在保护层上形成上包层；形成微流道，贯穿上包层以暴露出保护层；出射光栅位于微流道下方用以将光沿垂直方向向上导入微流道内；去除牺牲层。具有有益效果：在柔性基底上沉积光学性能可调的氮化硅薄膜，扩展SiN光学器件材料的应用范围和形式，将传统光学系统通过集成光学或片上光学器件来实现，把传统的台式大型的光学系统缩小到芯片尺寸，保证出色的分析性能，实现微纳尺度下的生物样品的高通量芯片级光学检测和分析集成系统，大幅度降低系统成本。
- 光栅波导流体芯片制造方法
- [发明专利]光栅波导微流体芯片的制造方法-CN202010053926.2有效
-
陈昌;刘博;豆传国
-
上海新微技术研发中心有限公司
-
2020-01-17
-
2021-11-23
-
B01L3/00
- 本发明提供一种光栅波导微流体芯片的制造方法，包括提供衬底，在所述衬底上形成下包层；在所述下包层上形成波导层，波导层是氮化硅材料；以波导层形成光栅波导，光栅波导包括出射光栅；在波导层上形成二氧化硅保护层，保护层用于覆盖所述光栅波导并保护所述出射光栅；在所述保护层上形成上包层；形成微流道，所述微流道贯穿所述上包层以暴露出所述保护层；所述出射光栅位于所述微流道下方用以将光沿垂直方向向上导入所述微流道内。具有有益效果：生产芯片级光学检测系统，把传统的台式甚至大型的光学系统缩小到芯片尺寸，保证同等甚至更出色的分析性能，实现微纳尺度下的生物样品的高通量芯片级光学检测和分析集成系统，大幅度降低系统成本。
- 光栅波导流体芯片制造方法
- [发明专利]光波导多微流道芯片的制造方法-CN202010052674.1有效
-
陈昌;刘博;豆传国
-
上海新微技术研发中心有限公司
-
2020-01-17
-
2021-11-23
-
B01L3/00
- 本发明提供一种光波导多微流道芯片的制造方法，包括提供衬底，在所述衬底上形成厚度2‑3μm二氧化硅的下包层；在下包层上形成波导层，波导层是氮化硅材料；以波导层形成光波导组，光波导组包括光波导；在波导层上形成厚度为15～30μm高分子聚合材料的上包层；形成微流道，光波导用以将光沿水平方向导入微流道内；微流道由上而下贯穿上包层、波导层和下包层延伸进衬底；微流道延伸进衬底10～15μm，微流道宽度为10‑100μm。具有有益效果：形成光波导与多微流道一体化矩阵的结构，通过多微流体通道和大规模矩阵化的光波导来实现比传统光学系统更高通量的分析性能，快速构建高通量生物样品的芯片级的片上光学检测分析系统，实现微纳尺度下的生物检测的高通量芯片。
- 波导多微流道芯片制造方法
- [实用新型]无源固定频率触发传感器系统-CN202023000070.7有效
-
徐春生;张成明
-
上海新微技术研发中心有限公司
-
2020-12-14
-
2021-11-16
-
G01D21/00
- 本实用新型提供一种无源固定频率触发传感器系统，包括：能量收集和转换模块，用于采集环境能量并转换为电能；电能调制模块，用于将能量收集和转换模块转换得到的电能调整到适合存储的形态；电能存储模块，用于将电能调制模块调整后的电能进行存储；射频开关，用于根据接收到的预定射频信号进行电路开启或关闭；无源传感器模块，用于执行一种或者多种感知功能并且发送出反映其感知结果的信号；其中，无源传感器模块只有在射频开关联通电能存储模块和无源传感器模块时才进入工作状态。本实用新型的MEMS无源器件的触发工作条件是在特定的条件下才能生效，具有很强的系统隐蔽性并可实现系统的低功耗和能量自主采集。
- 无源固定频率触发传感器系统
- [发明专利]一种声学换能器结构及其阵列-CN202010386439.8在审
-
张嵩松
-
上海新微技术研发中心有限公司
-
2020-05-09
-
2021-11-09
-
H04R1/26
- 本发明提供一种声学换能器结构及其阵列，该声学换能器结构包括衬底、中心凹腔、至少一环形凹腔及振膜，其中，中心凹腔自衬底上表面开口，并往衬底下表面方向延伸；至少一环形凹腔环绕于中心凹腔周围，环形凹腔的内圈边缘与中心凹腔的边缘之间间隔预设距离；振膜位于衬底上表面，并覆盖中心凹腔及环形凹腔的开口。本发明可通过机械加工或者基于半导体工艺的MEMS制成，实现逐层向外的结构之间的机械动态相关性，达到不同振膜之间机械频响耦合的效果。通过简单物理器件结构的重复组合，不但实现器件自身固有机械共振频率，而且也使共振模态相互耦合，达到在其它频率(如高阶模态)频响，从而实现更广域的声学动态响应，并提高响应范围内的声场强度。
- 一种声学换能器结构及其阵列
- [实用新型]光波导掺杂结构及硅基电光调制器-CN202121168608.7有效
-
宋若谷;蔡艳;余明斌
-
上海新微技术研发中心有限公司
-
2021-05-27
-
2021-11-02
-
G02F1/015
- 本实用新型提供一种硅基电光调制器的光波导掺杂结构，包括：光波导脊及位于光波导脊两侧的第一导电类型平板区及第二导电类型平板区，光波导脊包括与第一导电类型平板区相连的第一导电类型掺杂区及与第二导电类型平板区相连的第二导电类型掺杂区，第一导电类型掺杂区及第二导电类型掺杂区的界面形成PN结，第一导电类型掺杂区为呈多个自第一导电类型平板区朝第二导电类型平板区凸起的掺杂结构，多个掺杂结构呈周期分布。本实用新型利用新型的光波导掺杂方式，可以提高PN结长度，增大光场与PN结接触面积，使得在一定波导长度下，PN结总长度明显增加，可以有效提高调制器的调制效率，从而缩短调制器尺寸，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
- 波导掺杂结构电光调制器
|
