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[发明专利]一种压电喷头结构及其制造方法-CN201810302156.3有效
发明人：王诗男 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本申请提供一种压电喷头结构及其制造方法。该压电喷头结构包括至少一个压电基板单元和围封部件，其中，所述压电基板单元包括：压电基板，在该压电基板的一个主面上形成的沟道；以及在该沟道的至少侧壁上形成的驱动电极，所述围封部件对该沟道的至少一部分进行围封，所述围封部件与所述沟道的侧壁和底面围合成压力腔室，其中，在至少一个所述压电基板单元中，所述压电基板包含以直接键合而层叠设置的至少两个子压电基板，和/或，至少两个所述压电基板单元之间以直接键合而层叠设置，形成压力腔室阵列。根据本申请，避免用胶来实现压电基板层叠，从而提高工艺的操作性和可控性，降低制造成本，并且提高压电喷头结构的压电转换的效率。
一种压电喷头结构及其制造方法

[发明专利]基于晶圆键合技术的集成锗光电探测器及制备方法-CN201910600099.1在审
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种基于晶圆键合技术的集成锗光电探测器及制备方法，制备方法包括：在硅波导层中制备下接触层；2)形成介质层，并于介质层中形成锗光电探测器集成窗口；3)于集成窗口内及介质层上形成非晶材料层，并形成非晶材料层的平坦表面，非晶材料层为非晶硅层或者非晶锗材料层；4)键合锗材料衬底及所述非晶材料层，并减薄锗材料衬底；5)固相外延形成单晶硅层或单晶锗材料层；6)形成锗吸收区及上接触层；7)制备下电极及上电极。本发明通过将具有单晶结构的锗材料衬底与硅直接键合方式集成，可以获得质量更高的锗材料以及锗/硅异质结构，有利于锗光电探测器暗电流等特性的优化。
基于晶圆键合技术集成光电探测器制备方法

[实用新型]一种微流控细胞分选芯片-CN202021025381.6有效
发明人：王琨;关一民 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种微流控细胞分选芯片，该微流控细胞分选芯片采用多级分选结构，分选通道由宽到细，保证了分选的高通量和高精度。结合热泡打印头或其它驱动装置，使细胞分选更加便捷高效。通过进一步设置前置缓冲液进样口，可以避免细胞在进样口的沉降，有助于减少细胞的损失。本实用新型的微流控芯片可用于循环肿瘤细胞或其它细胞的分选，具有高通量、分选纯度高、细胞损失少且兼容多种分析方法的优点。
一种微流控细胞分选芯片

[发明专利]单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法-CN201910645972.9在审
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面，平坦表面停留在介质层表面，且在所述介质层中刻蚀出种子槽；3)沉积非晶硅层于种子槽及介质层表面，抛光形成平坦表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶，形成单晶硅层，以形成所述单晶硅局域SOI衬底；4)于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
单晶硅局域 soi 衬底光电器件制备方法

[发明专利]单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法-CN201910646559.4在审
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面；3)沉积非晶硅层于硅衬底表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶形成覆盖于硅衬底及介质层表面的单晶硅层，以形成单晶硅局域SOI衬底，于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
单晶硅局域 soi 衬底光电器件制备方法

[发明专利]一种波导型光电探测器及其制备方法-CN201910612095.5在审
发明人：涂芝娟;汪巍;余明斌 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本申请提供一种波导型光电探测器及其制备方法。该波导型光电探测器包括：形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第一掺杂硅区；形成于第一掺杂硅区表面的本征硅层；形成于本征硅层表面的第二掺杂硅层，第二掺杂硅层为N型掺杂；形成于第二掺杂硅层表面的本征材料层；形成于本征材料层表面的第三掺杂层；形成于绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第四掺杂硅区；以及光波导，其形成于绝缘体上的硅衬底的埋氧层表面。本申请通过将两个探测波长范围不同的光电探测器背对背串联，实现对不同波段的光的探测，由此，该波导型光电探测器能够实现器件的光谱响应带宽的可调节；此外，能够克服垂直入射型光电探测器的带宽和响应度之间的相互制约关系，同时也便于与其它器件集成。
一种波导光电探测器及其制备方法

[发明专利]易挥发液态化学品供应系统及供应方法-CN201910607638.4在审
发明人：曲利国;叶剑虹 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B67D7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种易挥发液态化学品供应系统及供应方法，系统包括：供应槽；化学品输入管路，用于向供应槽输入化学品，其设有开关控制阀；液位侦测器，用于在侦测到化学品液位超过预设液位时，发送液位控制信号至开关控制阀以切断化学品输入管路的输入；重量侦测器，用于在侦测到化学品的重量超过预设重量值时，发送重量控制信号至开关控制阀以切断化学品输入管路的输入；供应管路，用于将化学品供应至机台。本发明的易挥发液态化学品供应系统具有双重安全保障，只要液位侦测器和重量侦测器的其中一路控制信号正常，即可保证化学品及时切断供应，极大的降低了安全风险。本发明的重量侦测器校正方便、更换简单，可大大缩短机台停用时间。
挥发液态化学品供应系统方法

[发明专利]基于晶圆键合技术的Ⅲ-Ⅴ/Si异质结构及集成方法-CN201910599543.2在审
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提供一种基于晶圆键合技术的Ⅲ‑Ⅴ/Si异质结构及集成方法，集成方法包括：1)于硅波导层上形成介质层，于介质层中形成Ⅲ‑Ⅴ族材料异质集成窗口；2)于集成窗口内及介质层上形成非晶材料层并抛光，非晶材料层为非晶硅层或者非晶Ⅲ‑Ⅴ族材料层；3)键合Ⅲ‑Ⅴ族材料衬底及非晶材料层，并减薄Ⅲ‑Ⅴ族材料衬底；4)采用退火工艺实现非晶材料层的固相外延，形成单晶材料层，单晶材料层为单晶硅层或单晶Ⅲ‑Ⅴ族材料层。本发明通过将具有单晶结构的Ⅲ‑Ⅴ族材料衬底与硅直接键合方式集成，可获得高质量的Ⅲ‑Ⅴ族材料。本发明可有效发挥硅材料与Ⅲ‑Ⅴ族材料优势，形成Ⅲ‑Ⅴ族材料/硅异质结结构，大大提升光电器件的性能。
基于晶圆键合技术 si 结构集成方法

[发明专利]硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件及其制造方法-CN201910600341.5在审
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件及其制造方法。该硅基光耦合结构包括：第一凹槽部，其形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的衬底硅中；第一光波导结构，其形成于所述绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中；第二光波导结构，其在横向上与所述第一光波导结构连接，在横向的第一方向上延伸，并且，所述第二光波导结构位于所述第一凹槽部上方；以及贯通槽，其形成于所述第二光波导结构在横向的第二方向的两侧，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述贯通槽与所述第一凹槽部连通，其中，所述第二光波导结构的材料的折射率低于所述第一光波导结构的材料的折射率。本申请能够提高光场的耦合效率。
硅基光耦合结构单片集成器件及其制造方法

[发明专利]硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件及其制造方法-CN201910600344.9在审
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件及其制造方法。该硅基光耦合结构包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的第一光栅结构和第一光波导结构，所述第一光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第一光栅结构和所述第一光波导结构在横向上连接；位于所述第一光栅结构的上方的第二光栅结构，所述第二光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第二光栅结构与所述第一光栅结构在纵向上对置；与所述第二光栅结构在横向上连接的第二光波导结构；以及覆盖所述第一光栅结构、所述第一光波导结构、所述第二光栅结构以及所述第二光波导结构的外包层。
硅基光耦合结构单片集成器件及其制造方法

[发明专利]一种压电喷头结构及其制造方法-CN201810064321.6有效
发明人：王诗男 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本申请提供一种压电喷头结构及其制造方法。该压电喷头结构，包括压电基板单元和围封部件，其中，所述压电基板单元包括:压电基板，在该压电基板的相对的两主面上分别形成的沟道；以及在该沟道的至少侧壁上形成的驱动电极,所述围封部件对该沟道的至少一部分进行围封,所述围封部件与所述沟道的侧壁和底面围合成压力腔室。根据本申请，在不降低喷嘴密度的情况下采用较厚的压电基板来制造压电喷头，从而可以减少加工时的压电基板破损，提高压电喷头制造工艺的容易性以及压电喷头的成品率、降低制造成本，并且在结构上容易实现高密度喷嘴排列，提高喷头性能和性价比。
一种压电喷头结构及其制造方法

[实用新型]Σ-Δ调制模块及模数转换器-CN202021051016.2有效
发明人：周杰豪 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H03M3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种Σ‑Δ调制模块及模数转换器，包括：第一级调制器、第二级调制器及连接于第一、第二级调制器之间的互连增益系数调整单元；第二级调制器中多比特量化器包括：产生与差分形式参考信号的全差分模数转换单元、将差分输入信号与各参考信号进行比较得到对应数字信号的差分输入比较单元、将差分输入比较单元输出的数字信号编码为温度码的温度编码单元、将温度码转换为在反向增益系数的正负值之间归一化的多比特量化器等级代码的反向增益系数嵌入单元。本实用新型解决了增益系数为2的幂的约束，可使用任何增益系数，灵活性更高；避免使用中间上升量化器，也不需要额外的数字硬件电路来设置反向增益系数，简化电路结构，降低设计难度。
调制模块转换器

[实用新型]基于采样电阻电压及无线自组网的货架-CN202021564733.5有效
发明人：李蒙;李宏;朱鑫杰;李嘉彦 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司;北京华与智联信息技术有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于采样电阻电压及无线自组网的货架，包括：支撑部件，支撑部件上设置有供电导轨，连接有供电模块；悬挂部件，用于悬挂商品，其设置有功耗模块，悬挂部件放在支撑部件上时产生功耗，使供电导轨上的采样电阻发生变化；无线自组网模块，在确认功耗模块产生功耗后，检测出采样电阻的电压变化值，并将电压变化值传输到网络服务器，网络服务器依据电压变化值，计算商品被拿取的次数和放回的次数。本实用新型可通过网络服务器计算检测采样电阻的电压变化精确的计算货架上的商品的拿取次数和放回次数，检测拿取与放回的次数可反映类似网上购物的点击量，并表征客户对商品的关注度，同时不会侵犯客户的隐私权。
基于采样电阻电压无线组网货架

[实用新型]激光加工装置-CN202021894119.5有效
发明人：王诗男 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光加工装置，包括：激光器，其发出激光；载物台，其承载基板；光学系统，其将激光器发出的激光导引到基板，从而向基板照射光束；以及液体循环系统，其提供液体至基板的被加工处，在基板的被加工处形成由基板与液体形成的固液界面。本实用新型能够用单束激光或复数束激光在半导体基板上分别、或同时进行微细结构的加工。微细结构的加工过程中，由于液体循环系统的导入，在激光照射到的固液界面产生的刻蚀的精度、速率都会稳定，生产适应性都得到了提高。
激光加工装置

[实用新型]一种微流体芯片-CN202021209370.3有效
发明人：刘琦;豆传国;胡立磊;胡春瑞;刘博;陈昌 -专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种微流体芯片，该微流体芯片包括衬底、至少一组微流体结构及至少一组隔热槽结构，其中，微流体结构位于衬底中，并包括依次连通的液体进口、液体输入流道、PCR反应腔、液体输出流道及液体出口，隔热槽结构上下贯穿衬底，其中，一组隔热槽结构在衬底中围成至少一个收容区域，一个收容区域中设有至少一组微流体结构。本实用新型的微流体芯片设有隔热槽结构，可以实现快速升降温，从而大大缩短PCR反应时间。该微流体芯片可通过硅基微流体芯片技术实现高精度的集成，尤其是芯片化，从而实现了设备的便携性、小型化，并可大规模量产，有助于降低设备成本。本实用新型的微流体芯片可应用于病毒、细菌、细胞、体液中的核酸类物质的检测。
一种流体芯片