专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]直流恢复模块及光电检测电路-CN202011552033.9在审
  • 张帅;杨文伟;许霞;季烨程;夏轩;徐雪阳;潘素敏 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2020-12-24 - 2022-06-28 - H03F3/68
  • 本发明提供一种直流恢复模块及光电检测电路,包括:跨导运算放大器,接收跨阻放大器的输出信号,将所述跨阻放大器的输出信号与参考信号的电压差放大输出;电流镜,接收所述跨导运算放大器的输出信号,并以设定比例镜像输出至所述跨阻放大器的输入端,进而消除光信号检测模块输出信号中的直流电流分量对所述跨阻放大器的影响。本发明的直流恢复模块及光电检测电路通过直流恢复模块消除直流电流分量对电路整体性能的干扰影响;同时利用跨导运算放大器和电流镜的组合减小电流镜输出漏电流对低频截止频率的影响,进而减小光电检测电路的频率响应变化。
  • 直流恢复模块光电检测电路
  • [发明专利]自动化晶圆转换系统-CN202011555223.6在审
  • 高明昕 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2020-12-22 - 2022-06-24 - H01L21/677
  • 本发明提供一种自动化晶圆转换系统,包括:动力模块,用于提供晶圆推动及信息传输的动力;控制模块,用于为系统提供控制逻辑以控制动力模块的动力输出,依据生产要求对晶舟或晶圆的不同属性设定相应的限制卡关信息,及收集并传出信息及指令;生产执行模块,用于对晶舟或晶圆的不同属性设定相应的限制卡关,将晶圆用于生产;晶圆转换模块,用于实现晶舟或晶圆的转换。本发明通过系统化整合各需求方的工作,将信息与处理工具集中在同一个系统内,利用系统中各属性的设置及逻辑上的卡关,在高效率处理转换的同时,避免了人为转换前后的各类相关风险,同时提升了产品的质量和加速了相应的交期。
  • 自动化转换系统
  • [实用新型]用于晶圆临时键合的键合设备-CN202123140788.0有效
  • 霍进迁;龚燕飞 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2021-12-14 - 2022-06-17 - H01L21/67
  • 本实用新型提供一种用于晶圆临时键合的键合设备,包括:晶圆载室、键合胶池和真空管路,键合胶池与晶圆载室连通,真空管路连接于晶圆载室的侧壁,晶圆载室用于承载待临时键合的晶圆叠片,晶圆叠片包括第一晶圆和第二晶圆,第一晶圆包含相对的第一主面和第二主面,第一晶圆的第一主面的边缘具有凹槽,第二晶圆与第一晶圆的第一主面对准后,基于凹槽使第二晶圆与第一晶圆之间形成键合槽,晶圆载室的侧壁与第二晶圆和第一晶圆的边缘贴合密闭,键合胶池用于承载键合胶,并在真空管路抽气时,键合胶池中的键合胶由于气压差沿键合槽流动并最终充满键合槽。本实用新型可以提升键合过程的产能,增加键合稳定性及键合精度。
  • 用于临时设备
  • [发明专利]光刻曝光方法-CN202011445044.7在审
  • 刘涛 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2020-12-08 - 2022-06-14 - G03F9/00
  • 本发明提供一种光刻曝光方法,包括:1)在衬底上形成光刻胶层;2)采用投影式曝光机台对光刻胶层进行光刻处理,形成对位图形;3)将衬底移至接触式曝光机台,并基于对位图形,使接触式曝光机台上的光掩模与衬底进行对位,保存此时光掩模的坐标与衬底上的对位图形的坐标;4)将接触式曝光机台切换至不对位模式,通过上述的光掩模的坐标将光掩模及光掩模夹具的位置固定并保持不变,通过上述对位图形的坐标将衬底卡盘的位置固定并保持不变,依次将需要曝光的晶圆放入衬底卡盘中进行曝光处理。本发明可以有效解决接触式曝光机台前层曝光存在OVL偏移及旋转偏移问题,使得后续的投影式曝光提供较高的可能性及精度,大大提升了工艺能力。
  • 光刻曝光方法
  • [发明专利]一种微悬梁臂探针及其制作方法-CN202011454662.8在审
  • 潘强 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2020-12-10 - 2022-06-14 - B81B1/00
  • 本发明提供一种微悬梁臂探针及其制作方法,该方法包括以下步骤:提供一自下而上依次包括背衬底、绝缘层及顶层硅的SOI衬底,形成硬掩膜层于所述顶层硅上;图形化所述硬掩膜层,图形化后的所述硬掩膜层覆盖探针针尖所在区域;形成悬梁臂凹槽于所述顶层硅中,所述悬梁臂凹槽自所述顶层硅的顶面开口,并往所述绝缘层方向延伸,但未到达所述绝缘层;以图形化后的所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述顶层硅,直至所述悬梁臂凹槽的底部显露出所述绝缘层,以同步得到悬梁臂及位于所述悬梁臂上方的探针。本发明同步形成悬梁臂及探针,并利用键合胶保护探针针尖结构在工艺过程中不被损坏,工艺更加稳定可控,可以批量稳定地制作高质量的微悬梁臂探针。
  • 一种悬梁探针及其制作方法
  • [发明专利]大尺寸芯片光刻拼接方法-CN202011457478.9在审
  • 杨赟娥;龚燕飞 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2020-12-10 - 2022-06-14 - G03F7/20
  • 本发明提供一种大尺寸芯片光刻拼接方法,包括:1):设计拼接光刻版,找出大尺寸芯片中的重复性小结构图形模块,然后根据每个重复性和/或非重复性的小结构图形模块的面积将其制作在光刻版上,直至将所有小结构图形模块的图形全部制作在多块光刻版上,形成所述拼接光刻版;2):采用步进式光刻机进行第一层的光刻拼接工艺;3):采用所述步进式光刻机进行第二层的光刻拼接工艺;4):重复执行步骤3)直至完成所述大尺寸芯片所有层次的拼接光刻工艺。采用本光刻拼接方法,可减少光刻版上的图形占用率,大幅度提升光刻版有效曝光区域利用率;另外,还可有效减少光刻版的数量,降低光刻版成本,并且能使大尺寸芯片在光刻时提升曝光速度。
  • 尺寸芯片光刻拼接方法
  • [发明专利]一种单细胞分选微流控芯片-CN202011458719.1在审
  • 王琨;关一民 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2020-12-11 - 2022-06-14 - B01L3/00
  • 本发明提供一种单细胞分选微流控芯片,包括进样口、出样口及依次连接于进样口与出样口之间的多个捕获单元,捕获单元包括细胞流动通道、绕行通道、单细胞捕获通道及单细胞收集通道,其中,细胞流动通道的出口、绕行通道的入口及单细胞收集通道的入口相连以组成三通结构,后一捕获单元的细胞流动通道的入口与前一捕获单元的绕行通道的出口相连,单细胞捕获通道的入口与绕行通道的流入段的管壁连接,单细胞捕获通道的出口与绕行通道的流出段的管壁连接。本发明通过控制流阻及捕获位置的尺寸,可实现单细胞的拦截。同时结合驱动部件,使单细胞收集更加便捷高效。此外,微柱阵列避免了多细胞团和杂质对后续通道的堵塞,保证了单细胞分选的流畅性。
  • 一种单细胞分选微流控芯片
  • [发明专利]芯片剪切力测试仪及测试方法-CN202011461077.0在审
  • 霍进迁;龚燕飞 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2020-12-11 - 2022-06-14 - G01N19/04
  • 本发明提供一种芯片剪切力测试仪及测试方法,芯片剪切力测试仪包括载物台及升降装置;升降装置包括升降台及与升降台相连接的调节组件,其中,升降台的侧面与键合芯片的侧面相接触,且通过调节组件调节升降台的高度,使升降台的上表面与键合芯片的待剪切面位于相同平面;本发明通过具有升降装置的芯片剪切力测试仪,可灵活调节升降台的高度,使升降台的上表面与键合芯片的待剪切面位于相同平面,提高对键合芯片进行结合力测试的精准度;可通过同一测试样品即可完成对多层键合芯片进行结合力的测试,从而可节省测试样品的数量,降低成本;操作便捷、适应范围较广,可实现对MEMS芯片的固定端及悬浮端的某一具体区域的结合力的测试。
  • 芯片剪切测试仪测试方法
  • [发明专利]无源固定频率触发传感器系统-CN202011469663.X在审
  • 徐春生;张成明 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2020-12-14 - 2022-06-14 - G01D21/00
  • 本发明提供一种无源固定频率触发传感器系统,包括:能量收集和转换模块,用于采集环境能量并转换为电能;电能调制模块,用于将能量收集和转换模块转换得到的电能调整到适合存储的形态;电能存储模块,用于将电能调制模块调整后的电能进行存储;射频开关,用于根据接收到的预定射频信号进行电路开启或关闭;无源传感器模块,用于执行一种或者多种感知功能并且发送出反映其感知结果的信号;其中,无源传感器模块只有在射频开关联通电能存储模块和无源传感器模块时才进入工作状态。本发明的MEMS无源器件的触发工作条件是在特定的条件下才能生效,具有很强的系统隐蔽性并可实现系统的低功耗和能量自主采集。
  • 无源固定频率触发传感器系统
  • [发明专利]氧化钒刻蚀后的清洗方法-CN202011445112.X在审
  • 许杨 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2020-12-08 - 2022-06-10 - H01L21/02
  • 本发明提供一种氧化钒刻蚀后的清洗方法,清洗方法包括:1)提供衬底,在衬底表面形成氧化钒薄膜和氮化硅薄膜;2)在氧化钒薄膜和氮化硅薄膜上形成图形化的光刻胶;3)使用等离子体刻蚀氮化硅薄膜和氧化钒薄膜,将光刻胶的图形转移到氮化硅薄膜和氧化钒薄膜上,以形成红外吸收图形单元,然后去除光刻胶;4)使用丙酮或者N‑甲基吡咯烷酮清洗残留的光刻胶和刻蚀聚合物,并采用不经过水洗而直接干燥处理的方式对氮化硅薄膜和氧化钒薄膜进行干燥处理。本发明提供了一种氧化钒红外探测器制造过程中的工艺改良方案,使氧化钒刻蚀后清洗效果得到改善,在保证清洗干净的同时又不对氧化钒薄膜造成损伤,从而有效提高器件性能。
  • 氧化刻蚀清洗方法
  • [发明专利]晶圆键合设备-CN202011445273.9在审
  • 霍进迁;龚燕飞 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2020-12-08 - 2022-06-10 - H01L21/67
  • 本发明提供一种晶圆键合设备,包括:吸附装置,设置于第一晶圆及第二晶圆下方,第二晶圆位于第一晶圆上方;吹气顶针,设置于第二晶圆上方,用于在不接触第二晶圆的位置朝第二晶圆的中部区域进行吹气,以使第一晶圆与第二晶圆在吹气产生的压力下进行键合。本发明可以完全解决键合过程中晶圆由于受力所产生的形变问题,提高键合精度和键合质量,实现真正意义上的晶圆之间金属互连技术。本发明可以和目前使用的混合键合机台很好的兼容性,具有很好的实际应用价值。
  • 晶圆键合设备

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