“伊藤仁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果27个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]废气净化装置以及具备废气净化装置的船舶-CN201980055592.8有效
发明人：垣堺健彦;藤井俊弘;伊藤仁;大滝阳;桥口智英;井手慎太郎 -专利权人：三菱重工发动机和增压器株式会社
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： F01N3/28 文献下载
摘要：一种废气净化装置，该废气净化装置设置在发动机的排气流路上，且构成为从自发动机排出的废气中至少除去氮氧化物，发动机设置在划分于船体的内部的发动机室中，其中，废气净化装置具备：催化剂部，其包含用于对氮氧化物进行选择性还原的选择性还原催化剂；还原剂添加装置，其构成为向比催化剂部更靠废气的流动方向的上游侧的废气中添加还原剂；壳体，其构成为收纳催化剂部，且至少一部分配置在发动机室内。
废气净化装置以及具备船舶

[发明专利]内窥镜-CN201780036737.0有效
发明人：小原达也;渡边高范;伊藤仁 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： A61B1/018 文献下载
摘要：内窥镜具有：插入部，其插入到被检体内；抽吸口(17)，其设置在插入部的前端面(6s)上，抽吸被检体内的液体；突出部(40)，其从前端面(6s)呈柱状突出；以及通路(50)，其设置在突出部(40)中，使面向前端面(6s)且位于隔着突出部(40)而与抽吸口(17)相反的一侧的液体向抽吸口(17)侧通过。
内窥镜

[发明专利]内窥镜用图像处理装置和内窥镜系统-CN201680075692.3有效
发明人：渡边高范;伊藤仁 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： A61B1/04 文献下载
摘要：视频处理器(3)具有：图像处理部(23)，其具有前方图像强调处理部和侧方图像强调处理部，该前方图像强调处理部对由具有插入于被检体内的插入部的内窥镜(2)从该被检体内的前方区域取得的前方图像实施第一强调处理，该侧方图像强调处理部对由所述内窥镜从相对于所述前方区域位于侧方的侧方区域取得的侧方图像实施第二强调处理；以及控制部(21)，其单独设定前方图像强调处理部的强调处理的强调等级和侧方图像强调处理部的强调处理的强调等级。
内窥镜图像处理装置系统

[发明专利]低毒性的含有槐糖脂的组合物及其用途-CN201480059528.4有效
发明人： 伊藤仁;荒木道阳;平田善彦 -专利权人：莎罗雅株式会社
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： C09K3/00 文献下载
摘要：本发明提供了低毒性的含有槐糖脂的组合物，其特征在于至少含有以下来自于槐糖脂生产酵母培养物的着色组分、酸型槐糖脂、脂肪酸和羟基脂肪酸。所述低毒性的含有槐糖脂的组合物的特征还在于，使100质量％代表酸型槐糖脂、内酯型槐糖脂、脂肪酸和羟基脂肪酸的总质量，则其各自按干重计的比例如下(1)94质量％至99.99质量％的酸型槐糖脂，(2)0质量％至2质量％的内酯型槐糖脂，以及(3)总量为0.01质量％至4质量％的脂肪酸和羟基脂肪酸。
毒性含有糖脂组合及其用途

[发明专利]连接器罩及其制造方法-CN201480020596.X有效
发明人： 伊藤仁 -专利权人：住友电装株式会社
申请日： 2014-04-07 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01R4/70 文献下载
摘要：为了提供一种能够高精度地控制外径尺寸并能够抑制外表面的油光的连接器罩及其制造方法，使沿浸渍方向形成有贯通孔(22)的成型模具(21)浸渍在热塑性树脂溶液中，上述贯通孔(22)具有预定内径尺寸。从溶液中取出成型模具(21)，使附着于成型模具(21)的贯通孔(22)的内表面部的树脂凝胶化，从而形成前体(110)。使该前体(110)从成型模具(21)脱模，并将前体(110)中的多余部分(111)切除。这样制造出的连接器罩(10)被安装在将连接于线束的电线组的各末端的端子插入并卡止的连接器上，具有与贯通孔(22)的内径尺寸对应的外径尺寸，并且外表面形成消光面或梨皮面。
连接器及其制造方法

[发明专利]湿式涂装室循环水处理剂及处理方法-CN201480077140.7在审
发明人： 伊藤仁;牛场舟一 -专利权人：伯东株式会社
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种湿式涂装室循环水处理剂及处理方法，其能够解决湿式涂装室中水性涂料的使用大幅增加和工作形式的复杂化、多样化所引起的涂装室循环水的严重的难闻气味、高浓度的悬浊物质成分所导致的故障。所述湿式涂装室循环水处理剂含有下述通式(1)所示的α‑氯苯甲醛肟化合物。
湿式涂装室循环水处理处理方法

[发明专利]电线组的线端集中接头-CN201480020422.3在审
发明人： 伊藤仁 -专利权人：住友电装株式会社
申请日： 2014-04-07 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01R4/22 文献下载
摘要：为了提供一种无论电线组的根数如何，都能够使焊接部留置在盖部件内的中心部，能够保护焊接部免于受到施加于盖部件的振动、冲击，并且具有还能够应对盖部件的通用化的通用性的电线组的线端集中接头，其具备：电线部(10)，具有在多根电线(11)的各线端部的芯线(13)露出的状态下对芯线(13)彼此进行焊接而形成的芯线接头部(14)；缓冲体(20)，具有覆盖包含芯线接头部(14)在内的电线部(10)的外周面的缓冲性；有底筒状的保护盖(30)，收容包含芯线接头部(14)的电线部(10)的端部和芯线接头部(14)的一部分，并且经由芯线接头部(14)而对电线部(10)进行固定；及包覆带(40)，一体地卷绕于保护盖(30)、从保护盖(30)露出的缓冲体(20)的其余部分和电线组而成。
电线集中接头

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201280010392.9无效
发明人：清水正裕;伊藤仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H05K3/22 文献下载
摘要：在塑料基板上涂布包含膜成分的涂布组合物而形成涂布膜，对该涂布膜照射电磁波而将涂布膜干燥和/或改性，形成膜。作为膜，可以举出导电体膜、半导体膜、电介质膜，在形成导电体膜时使用包含金属纳米颗粒的涂布组合物，在形成半导体膜时使用有机半导体材料作为涂布组合物，在形成电介质膜时使用有机电介质材料作为涂布组合物。
方法装置

[发明专利]再生白土的制造方法、再生白土及精制油脂的制造方法-CN201180042656.4有效
发明人：根岸聪;德永邦彦;伊藤仁;川野边裕美;板垣裕之 -专利权人：日清奥利友集团株式会社
申请日： 2011-10-03 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C11B13/04 文献下载
摘要：本发明提供一种方法，所述方法同时且简便地进行油脂精制时用过的废白土的脱色能力的再生和废白土中的油性成分中可以作为生物燃料进行热能再利用的化合物的制造。即，本发明的精制油脂的制造方法包括：一种再生白土的制造方法，其中，同时进行所述废白土中的油性成分的萃取和该油性成分中的油脂和/或游离脂肪酸与所述低级醇的酯化反应，使所述废白土的脱色能力再生；通过所述再生白土的制造方法制造的再生白土；该法包括使用所述再生白土对油脂进行脱色的工序。
再生制造方法精制油脂

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201180005389.3无效
发明人：三好秀典;伊藤仁;佐藤浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供的成膜方法包括：在成膜装置（100）的处理容器（1）内配置设置有绝缘膜的晶片（W）的工序；在处理容器（1）内供给TEOS等含有硅原子的化合物的气体和水蒸汽等OH基供给性气体，使Si-OH基在绝缘膜的表面形成的表面改性工序；和在处理容器（1）内供给包含含锰材料的成膜气体，由CVD法在形成有Si-OH基的绝缘膜的表面形成含锰膜的成膜工序。在表面改性工序中，在处理容器内既可以同时也可以交替地供给含有硅原子的化合物的气体和OH基供给性气体。
方法装置

[发明专利]基板处理装置的干式清洁方法-CN201210015269.8有效
发明人：军司勋男;井泽友策;伊藤仁;梅崎智典;武田雄太;毛利勇 -专利权人：东京毅力科创株式会社;中央硝子株式会社
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。
处理装置清洁方法

[发明专利]成膜方法、前处理装置和处理系统-CN201080026564.2无效
发明人：松本贤治;伊藤仁;三好秀典;保坂重敏;佐藤浩;根石浩司;小池淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2010-06-16 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明在于提供一种对具有凹部(2)的在表面形成有由low-k膜构成的绝缘层(122)的被处理体(W)形成含Mn的薄膜的成膜方法，其包括：在绝缘层的表面实施亲水化处理而形成亲水性表面的亲水化工序；通过在进行过亲水化处理的绝缘层的表面使用含Mn原料实施成膜处理形成含Mn的薄膜的薄膜形成工序。由此，在相对电容率低的由low-k膜构成的绝缘层的表面高效地形成含Mn的薄膜，例如MnOx膜。
方法处理装置系统

[发明专利]等离子体生成装置、等离子体处理装置以及处理方法-CN201110221979.1无效
发明人：堀胜;丰田浩孝;关根诚;伊藤仁;三好秀典 -专利权人：国立大学法人名古屋大学;东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种既能尽量降低微波的损失又能高效地生成高密度等离子体的等离子体生成装置(100)。具备：微波发生装置(21)，产生微波；中空状的矩形波导管(22)，与所述微波发生装置(21)连接，在微波的传送方向形成为细长状，与该传送方向正交的方向的截面形成矩形；气体供给装置(23)，与矩形波导管(22)连接并朝其内部供给处理气体；天线部(40)，是所述矩形波导管(22)的一部分，将在内部生成的等离子体朝外部放出。天线部(40)在其截面构成为短边的壁(40a)上具有1或多条隙缝孔(41)，由微波使供给至大气压状态的矩形波导管(22)内的处理气体等离子体化，进而从隙缝孔(41)朝外部的被处理体放出。
等离子体生成装置处理以及方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201110272097.8无效
发明人：松本贤治;伊藤仁;根石浩司;小池淳一 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2008-06-02 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体和含Cu原料气体以及含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含CuMn合金膜薄膜。
方法装置

[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体制造装置及存储介质-CN200980101621.6有效
发明人：佐藤浩;伊藤仁;松本贤治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，含有如下工序：在形成于基板表面的层间绝缘膜，形成用于嵌入与下层侧导电路电连接的以铜作为主成分的上层侧导电路的凹部的工序；供给含有锰的有机化合物的气体，以覆盖层间绝缘膜的露出面的方式，形成用于抑制铜向所述层间绝缘膜扩散的由锰化合物构成的屏蔽层的工序；在形成所述屏蔽层后，为了提高构成屏蔽层的锰化合物中的锰的比率而向该屏蔽层供给有机酸的工序；在有机酸供给工序之后，在所述屏蔽层的表面形成以铜作为主成分的种子层的工序；在种子层形成工序之后，为了使屏蔽层的表面或层中的锰向种子层的表面析出而将所述基板加热处理的工序；为了除去因加热而在种子层的表面析出的锰而向该种子层供给清洗液的工序；在清洗液供给工序之后，在所述凹部内形成以铜作为主成分的上层侧导电路的工序。
半导体装置制造方法存储介质

1
2
下一页»
尾页
共 27 条