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[发明专利]掩模护膜、掩模护膜移除方法以及掩模护膜移除装置-CN202210446397.1有效
发明人：侯广杰;黄执祥;谢超 -专利权人：深圳市龙图光罩股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于掩模保护领域，尤其涉及一种掩模护膜、掩模护膜移除方法以及掩模护膜移除装置，其中，掩模护膜包括支撑框以及保护膜，所述支撑框呈环形并具有在中心轴线延伸方向相对设置的抵靠面以及装膜面，所述抵靠面以及装膜面均呈环形，所述抵靠面分为均呈环形的粘接平面以及导流斜面，所述粘接平面开设有多个吸胶孔，所述支撑框开设有与各所述吸胶孔连通的排气通道，所述排气通道于外环面开设有一个排气孔。将掩模护膜从掩模版移除之后，掩模版上不会残留有粘胶。
掩模护膜掩模护膜移方法以及装置

[实用新型]一种功率半导体掩模版清洗的批量传输装置-CN202223403501.3有效
发明人： 黄执祥;王栋 -专利权人：深圳市龙图光罩股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：一种功率半导体掩模版清洗的批量传输装置，包括结构板有两个且两个结构板间隔设置，每一结构板上设置挂钩；底卡尺有至少一个，底卡尺设置在两个所述结构板之间靠近下部的位置，底卡尺具的顶面具有用于由底部定位掩模版的若干个第一卡槽；侧卡尺有两个，两个侧卡尺设置在结构板之间，且两个侧卡尺分别设置在底卡尺左右两侧且位于底卡尺的上方，侧卡尺的内侧具有用于由掩模版侧面边缘定位掩模版的若干第二卡槽，第一卡槽和第二卡槽数量相同且位置逐一匹配。本掩模版清洗的批量传输装置通过侧卡尺和底卡尺的配合，可通过第一卡槽和第二卡槽一次性稳定加装多片掩模版，掩模版侧面和底面均被限位，在掩模版清洗的过程中掩模版的位置稳定。
一种功率半导体模版清洗批量传输装置

[发明专利]掩模版刻蚀设备、方法、系统及计算机可读存储介质-CN202310379779.1有效
发明人：王栋;黄执祥;白永智;孙世强;周峰 -专利权人：深圳市龙图光罩股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩模版刻蚀设备、方法、系统及计算机可读存储介质，所述掩模版刻蚀设备包括真空装置，所述真空装置包括至少一通道孔；抽真空装置，所述抽真空装置设置于所述通道孔，且所述抽真空装置的两侧分别位于所述真空装置的内侧和外侧；显影蚀刻装置，所述显影蚀刻装置设置于所述真空装置的另一通道孔，其中，所述抽真空装置用于抽取所述真空装置内的空气，所述显影蚀刻装置用于对放置在所述真空装置内的待刻蚀目标物进行显影与蚀刻。本申请降低了蚀刻后掩模版铬层的侧壁角度。
模版刻蚀设备方法系统计算机可读存储介质

[发明专利]掩模版的对位校准方法、装置、设备及存储介质-CN202310379785.7有效
发明人： 黄执祥;谢超;孙世强;雷健;崔嘉豪 -专利权人：深圳市龙图光罩股份有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模版的对位校准方法、装置、设备及存储介质，所述掩模版的对位校准方法应用于控制系统，所述控制系统与联动对位校准装置连接，所述联动对位校准装置包括：载具和掩模台，所述掩模台包括：联动支撑调整装置；当掩模版上版至所述载具时，控制所述载具针对所述掩模版的位置进行调整，并记录调整数据；将所述调整数据的电信号发送给所述联动支撑调整装置，以控制所述联动支撑调整装置根据所述电信号进行调整；将所述掩模版移送至所述掩模台以将所述掩模版放置在调整后的联动支撑调整装置上。从而，本发明能够减少掩模版在曝光前进行定位的时长，进而提高光刻机的生产效率。
模版对位校准方法装置设备存储介质

[发明专利]曝光设备正交性检测方法-CN202111044702.6有效
发明人：侯广杰;叶小龙;黄执祥;王栋 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明属于曝光设备正交性检测领域，尤其涉及一种掩模版以及用于曝光设备正交性检测方法，其中，包括：掩模基板，由透光材料制成；铬层，设于掩模基板的一侧板面，并具有四个镂空状的掩模图案，其中，掩模图案具有掩模指针图以及掩模刻度图案，掩模指针图呈线状，且在X方向延伸设置，掩模指针图的宽度为指针参照宽度，而长度为指针参照长度，掩模刻度图案整体呈矩形，且长度方向为X方向，掩模刻度图案包括标数图、一级刻度图、二级刻度图、三级刻度图和四级刻度图，一级刻度图、二级刻度图、三级刻度图以及四级刻度图在Y方向上依次设置。本发明能够降低曝光设备的正交性检测成本。
曝光设备正交检测方法

[发明专利]掩模版清洗用超纯水系统及检测方法-CN202210922128.8在审
发明人： 黄执祥;侯广杰;郑巍峰 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩模版清洗用超纯水系统及检测方法，该系统包括通过连接管依次连接的一级EDI后的蓄水箱、二级EDI泵、前置过滤器、二级EDI、紫外线杀菌灯、变频恒压供水泵、抛光混床、后置过滤器以及供水点。本申请提供的上述技术方案，整个系统流程都在连接管中完成，从而避免了空气接触，同时原有纯水经过二级EDI再次深度除盐，紫外线杀菌灯的照射可以有效破坏纯水中的微生物DNA分子，使之无法繁殖，而且抛光混床可以深度去除RO纯水中尚存的微量离子，从而有效提高了超纯水的质量。
模版清洗超纯水系统检测方法

[发明专利]半导体芯片用掩模版传送装置及其传送方法-CN202210336511.5有效
发明人：谢超;柯汉奇;黄执祥;张道谷 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B65G43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体芯片用掩模版传送装置及其传送方法，其中，半导体芯片用掩模版传送装置用于自光刻机内取出曝光后的掩模版，并送至后处理设备；包括主体、检测机构以及传送机构；主体活动设置，内设有恒温腔；检测机构包括感应器，用以检测主体的位置信息；传送机构包括控制器以及传送手臂，传送手臂活动设于恒温腔，具有取版状态和放版状态，控制器与感应器以及传送手臂电连接；其中，处于取版状态时，传送手臂用以自光刻机内拾取掩模版，并移送至恒温腔内；处于放版状态时，传送手臂用以将恒温腔内的掩模版移送至后处理设备内；通过该传送装置传送曝光后的掩模版，保证掩模版在移送过程中的清洁度，提高掩模版的质量；同时减少人力成本。
半导体芯片模版传送装置及其方法

[发明专利]超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置-CN202210453660.X在审
发明人： 黄执祥;王栋;侯广杰 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明属于掩模版制作领域，尤其涉及一种超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置，其中，超结MOS器件OPC掩模版制作方法包括以下步骤：对掩模图形进行光学临近效应修正分析获得辅助图形；获得光刻机可识别的主图曝光数据，获得所述光刻机可识别的辅图曝光数据；将所述主图曝光数据和所述辅图曝光数据导入所述光刻机；所述光刻机先根据所述主图曝光数据对掩模版坯料进行曝光，再根据所述辅图曝光数据对所述掩模版坯料进行曝光；对完成曝光之后的所述掩模版坯料依次进行显影、刻蚀、去胶，获得OPC掩模版。减少图形转换时间，缩短了OPC掩模版制作所需时间，提高了OPC掩模版制作效率。
mos 器件 opc 模版制作方法装置

[发明专利]半导体芯片用掩模版贴膜精度检测方法及检测装置-CN202210340199.7有效
发明人： 黄执祥;柯汉奇;王栋;孙世强 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片用掩模版贴膜精度检测方法及检测装置，方法包括将贴膜后的掩模版放置于载物平台，并接收图像采集单元发送的掩模版的图像，其中，所述掩模版的图像为掩模版贴膜后的图像；根据所述掩模版的图像确定掩模版与保护膜之间的在水平方向上的距离偏移量和角度偏移量；根据所述距离偏移量和所述角度偏移量确定掩模版贴膜精度。通过采集掩模版的图像，并根据掩模版的图像直接确定固定在放置于掩模版上方的膜框的保护膜与所述掩模版的距离偏移量以及角度偏移量，根据所述距离偏移量以及所述角度偏移量即可快速确定掩模版贴膜精度，而无需在掩模版上添加标记后人工判断贴膜精度，提高了贴膜精度的检测效率以及精确性。
半导体芯片模版精度检测方法装置

[发明专利]掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质-CN202110930984.3有效
发明人：叶小龙;黄执祥;王栋 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质，该方法包括：对刻蚀后的掩模版进行缺陷检测，得到掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息；根据各缺陷的尺寸信息确定第一脉冲频率；根据第一脉冲频率选用去除需要的激光器；通过去除需要的激光器对缺陷表面感光胶进行定点去除；通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀。本申请提供的上述技术方案，不会对感光胶下的缺陷金属层和玻璃基板进行作用，因为材质不同于金属层，感光胶在受激光作用后蒸发并不会继续沉积，最后通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀，不存在影响基板光透率和相位差的印痕。
模版缺陷去除方法装置设备及其存储介质

[发明专利]掩模版辅助静态图像测量装置及掩模版静态图像测量系统-CN202111052415.X有效
发明人：侯广杰;叶小龙;黄执祥;谢超 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明属于尺寸测量技术领域，尤其涉及一种掩模版辅助静态图像测量装置及掩模版静态图像测量系统，其中，掩模版辅助静态图像测量装置包括：载物台，包括由透光材料制成并用于支撑掩模版的支撑结构；光源组件，包括左侧平行光源板、右侧平行光源板、前侧平行光源板、后侧平行光源板和底面平行光源板；反射吸光结构，设于掩模版的四周。本发明通过一次图像静态图像获取测量，即可自动计算并测量出掩模版的外形尺寸、掩模版上的掩模图形到掩模版外边缘的距离，测量速度快、效率高，且属于无接触测量，不会划伤掩模版外表面。
模版辅助静态图像测量装置系统

[发明专利]一种掩模板及其制作方法-CN201811108567.5有效
发明人： 黄执祥;侯广杰 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G03F1/88 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩模板及其制作方法，包括：基板和光阻层，所述光阻层设置在基板上，所述光阻层与产品接触的一侧为顶壁，所述顶壁具有至少两个平行于基板的贴合面，相邻贴合面的高度不同，相邻贴合面间通过垂直于基板的连接壁连接，所述顶壁用于记载三维立体结构信息。当需要生产具有多层结构的产品时，可以通过电镀、注塑或直接压印等方式将光阻层所含的三维立体结构信息传递到产品的原材料上，完成产品的生产，无需采用多个掩模板对准套刻生产，避免了对准套刻生产中的偏差，提升了产品生产的精度，降低了废品率，减少了曝光次数，从而节省了工序，减少了使用掩模板的张数，节约了成本。
一种模板及其制作方法

[实用新型]掩模版原材料恒温装置-CN202121906718.9有效
发明人： 黄执祥;孙世强 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种掩模版原材料恒温装置，包括：底板、第一竖向支撑板、第二竖向支撑板、顶板、第一滑块、以及第二滑块。本申请提供的上述方案，当需要将玻璃基板放置到第一滑块和第二滑块上时，由于相邻两个第一滑块之间的距离可调，相邻两个第二滑块之间的距离可调，且每个第二滑块的位置与每个第一滑块的位置相对应，此时，调节相邻两个第一滑块之间的距离和调节相邻两个第二滑块之间的距离后，就可以方便存放不同规格的玻璃基板；且由于每个第一滑块朝向第二竖向支撑板一侧上的第一拐角为倒圆角结构，每个第二滑块朝向第一竖向支撑板一侧上的第二拐角为倒圆角结构，所以当玻璃基板放在第一滑块和第二滑块之间时，可以避免玻璃基板划伤。
模版原材料恒温装置

[发明专利]UT曝光机用掩模版的制作装置及方法-CN202111046069.4在审
发明人：叶小龙;侯广杰;王栋;黄执祥 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种UT曝光机用掩模版的制作装置及方法，该装置包括：工装基座、CCD显示器、调整平台、掩模版固定组件、伸缩件、UV灯以及气动滴胶头。本申请提供的上述方案，将铁片通过电磁铁固定在固定槽，然后通过调整平台调节掩模版固定座的位置，以使得掩模版固定座上的掩模版上的丰字标识最上面的十字与CCD显示器镜头上的十字线重合，此时使用气动滴胶头将UV胶滴在铁片的中间位置，同时伸缩件带动固定台向上移动，当铁片与掩模版背面紧贴时，伸缩件停止运动，最后开启UV灯对掩模版和铁片之间的UV胶进行固化即可，整体装置在使用时，由于掩模版和铁片的位置都是相对固定的，从而能够确保铁片与掩模版镜面之间的装配精度。
ut 曝光机用掩模版制作装置方法

[发明专利]掩模版制造装置-CN202111052413.0在审
发明人：叶小龙;侯广杰;黄执祥;谢超 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明属于掩模版制造领域，尤其涉及一种掩模版制造装置，包括：承托结构；第一液体雾化组件，包括第一微粒均布板以及第一液体高频超声雾化器，第二液体雾化组件，包括第二微粒均布板以及第二液体高频超声雾化器，气流引流扩散组件，设有两个，并分别左右设置，气流引流扩散组件包括均流结构以及气流发生装置，均流结构包括上下设置的上均流板和下均流板。本发明能够使得掩模版上下表面同时获得的光学结构层的厚度均匀、密度一致。
模版制造装置

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