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[发明专利]交通荷载减振结构及施工方法-CN201810954339.3有效
发明人：石敏;吴斌;屠贤斌;项芳芳;冯鸿登;叶军;鲍利华;林富;吴江;刘建闯;曹超云;余小建;周一勤 -专利权人：宁波交通工程建设集团有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： E01C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种交通荷载减振结构及施工方法，涉及桥梁施工领域，它主要是在路基路面边缘外侧与多个桩基之间增设有碎石隔墙，该碎石隔墙沿多个桩基的纵向作延伸设置，从而有效减轻了交通荷载振动波对桩基新浇混凝土的扰动，这种减振结构还具有如下特点：一是针对性强，特别适合于公路改扩建中桥梁的桩基新浇混凝土施工减振；二是减振结构设计定量化，碎石隔墙设置规模合理，效率提高；三是桩基混凝土加入抗扰动外加剂，进一步提高桩基混凝土的质量保证率。因此，通过设计这种交通荷载减振结构并结合相应的施工方法，具有构造简单、使用方便、结构合理、节能减排、增强工程结构耐久性等优点，能确保工程质量和安全，经济效益和社会效益显著。
交通荷载结构施工方法

[发明专利]一种双面厚铜结构的功率MOSFET器件制备方法及其功率MOSFET器件-CN202310035100.7在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开的一种双面厚铜结构的功率MOSFET器件制备方法，包括：步骤1：制备晶圆；步骤2：在金属电极的压焊点处制备正面厚铜；步骤3：对晶圆进行划片形成划片道；步骤4：在晶圆正面制备环氧树脂层，以完全覆盖晶圆正面的正面厚铜并且完全填充划片道；步骤5：研磨晶圆正面的环氧树脂层，使得正面厚铜的正面露出；步骤6：研磨晶圆的背面，露出划片道里的环氧树脂；步骤7：在晶圆背面制备背面厚铜；步骤8：将晶圆背面对应于划片道上的背面厚铜去除，露出划片道的环氧树脂；步骤9：从晶圆背面进行划片，将管芯分离；本发明还公开采用上述方法制备的功率MOSFET器件。
一种双面结构功率 mosfet 器件制备方法及其

[发明专利]一种晶圆背面减薄金属化方法-CN201910094378.5有效
发明人：黄平;鲍利华 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开的一种晶圆背面减薄金属化方法，包括如下步骤：(1)在晶圆的P型硅衬底上面外延N+型硅外延层和N‑型硅外延层；N+型硅外延层最终要作为器件的一个电极；N‑型硅外延层作为器件的有源区域；(2)在N‑型硅外延层的上表面制作器件的正面结构；(3)在器件的正面结构上制作铜柱或者金柱或者锡球，然后在晶圆的表面再制作环氧树脂；之后再研磨环氧树脂，使铜柱、金柱或者锡球露出；(4)先对晶圆的P型硅衬底进行研磨，然后再用电化学腐蚀的方法，将P型硅衬底完全腐蚀掉，且自动停止在之前的PN结处；(5)在PN结上进行金属化形成一层金属化层。本发明能够将晶圆背面减薄至PN结，使晶圆背面能够减至足够薄。
一种背面金属化方法

[发明专利]一种功率MOSFET结构及其制备方法-CN202210843977.4在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开的功率MOSFET结构，包含单晶晶圆，在所述单晶晶圆上制作功率MOSFET结构，其中：功率MOSFET的源极和栅极位于晶圆的正面，漏极在晶圆的背面，其在源极和栅极的压焊点上设置金属凸块并在晶圆的正面设置塑封层，研磨塑封层使金属凸块的上表面露出所述塑封层的上表面；漏极通过在晶圆的背面注入及退火或者蒸发/溅射重掺杂Ge层或者Si层形成。本发明还公开了该功率MOSFET结构的制备方法。本发明通过控制研磨后晶圆的厚度，在满足击穿电压的前提下，将晶圆的厚度控制到最薄的厚度，以此来降低器件的导通电阻和热阻。
一种功率 mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202210564925.3在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开的高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaN HEMT)及制备方法，其是在衬底材料上依次生长N+型GaN层、GaN缓冲层，AlGaN势垒层和GaN帽层制备而成；其隔离槽刻蚀需达到N+型GaN层；正面的源极(或者漏极)和栅极上有凸块结构；表面淀积塑封层并研磨，将源极(或者漏极)和栅极的凸块露出来；漏极(或者源极)通过引线连接到隔离槽中的N+型GaN层，背面激光剥离衬底，露出N+型GaN层，将器件的漏极(或者源极)从晶圆的背面引出。本发明将AlGaN/GaN HEMT器件的漏极和源极分置在器件的两侧，拓展了AlGaN/GaN HEMT器件的应用范围并使得应用更简单、更灵活。
一种电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]低电容TVS器件结构及制作方法-CN202210653127.8在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开的一种低电容TVS结构，包括低电容二极管D1和低击穿电压TVS二极管D2，其低电容的二极管D1成型于一晶圆；低电容二极管D1中的P+区域成型在晶圆的正面；低击穿电压TVS二极管D2中的N型掺杂多晶硅柱设置在晶圆中；通过晶圆背面研磨和干法刻蚀的方法使N型掺杂多晶硅柱穿透出晶圆的背面；在晶圆的背面蒸发或溅射重掺杂P+型Ge层或者P+型Si层；低击穿电压TVS二极管D2中的多晶硅柱延伸至所述蒸发或溅射制备的重掺杂P+型Ge层或者P+型Si层中；晶圆是高阻N型单晶片。本发明还公开了该低电容TVS结构的制作方法。本发明用高阻单晶片来代替高阻外延片，完全消除高难度的外延问题。
电容 tvs 器件结构制作方法

[发明专利]一种屏蔽栅MOSFET(SGT)的制作方法-CN202210482999.2在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开的屏蔽栅MOSFET(SGT)的制作方法，其经过多次氧化、多次蚀、多次淀积，尤其是第一次沟槽的宽度要比第二次沟槽的宽度要宽；Spacer材料是Si3N4；两层多晶硅之间的氧化层，采用热氧化。本发明具有以下优点：1)第二次氧化时，在Spacer侧壁上几乎不会生长SiO2，所以第一次多晶硅刻蚀之后可以非常容易去除侧壁上的氧化层；2)第一次多晶硅刻蚀之后，采用热氧化的方法，可以非常方便生长厚的隔离氧化层(第三氧化层)，这样就很好地避免了之前两层多晶硅之间隔离氧化层太薄的问题。
一种屏蔽 mosfet sgt 制作方法

[发明专利]低Cgd电容功率MOSFET的制备方法-CN202210483008.2在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开的低Cgd电容功率MOSFET的制备方法，其在对Si3N4侧墙之间沟槽的底部进行第二次氧化，形成第二氧化层；所述第二氧化层的厚度大于所述第三氧化层(栅氧化层)的厚度。本发明的沟槽底部的中间部分是第二氧化层(厚氧化层)，使得栅漏电容Cgd较小，也即Qgd较小。
cgd 电容功率 mosfet 制备方法

[发明专利]一种鳍型结构的功率MOSFET及其制备方法-CN202010109407.3有效
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2020-02-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍型结构的功率MOSFET，包括衬底、成型在衬底正面上的外延层、若干间隔且平行成型在所述外延层上的鳍型硅墙、成型在所述相邻鳍型硅墙之间的掺杂多晶硅层、成型在掺杂多晶硅层正面上且位于相邻鳍型硅墙之间的BPSG层以及覆盖在鳍型硅墙顶部和BPSG层顶部的金属布线层；鳍型硅墙包含成型在所述衬底正面上的外延硅片层、成型在所述外延硅片层上的P‑Well层和成型在所述P‑Well层正面的N+区域或/和P+区域；所述N+区域或/和P+区域用金属布线层连接。本发明还公开了该鳍型结构的功率MOSFET的制备方法。本发明极大缩小之前传统功率MOSFET多晶硅Trench之间的距离。
一种结构功率 mosfet 及其制备方法

[发明专利]单晶粒减薄背面金属化方法-CN202010158508.X有效
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了单晶粒减薄背面金属化方法，包括如下步骤：步骤一：把单晶粒用双面胶带粘在衬底晶圆上，晶粒的正面朝上；步骤二：做晶圆级塑封，将所有的晶粒包封在环氧树脂里面，这样制作出树脂晶圆；步骤三：树脂晶圆再用双面胶带粘在衬底晶圆上；步骤四：树脂晶圆背面减薄；步骤五：树脂晶圆背面腐蚀；步骤六：树脂晶圆背面金属化；步骤七：将树脂同晶粒分开，以此来实现单晶粒的减薄和背面金属化。本发明将单晶粒整合成晶圆状；这样才好利用现有的设备进行加工，且减薄和金属化效率高。
晶粒背面金属化方法

[发明专利]一种自对准功率Trench MOSFET制作方法及其结构-CN202111201415.1在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明首要解决的技术问题是提出一种新的自对准结构的功率Trench MOSFET，其Trench槽和接触孔(接触沟槽)由一张掩模版确定，能极大地缩小Trench Pitch的间距(即相邻Trench槽之间的间距)。
一种对准功率 trench mosfet 制作方法及其结构

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法-CN202110553219.4在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征是：在完成IGBT晶圆正面制程后，在晶圆正面的集电极、栅极的压焊点上制作凸块；然后再在晶圆的正面做晶圆级塑封形成塑封层；接着研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来；最后进行背面制程；或者先进行背面制程，再研磨所述塑封层将之前制作的凸块露出来。本发明不需要临时键合，消除了临时键合剥离造成晶圆的破裂等问题；同时由于塑封层一直在晶圆的正面，这就使得晶圆在背面加工的过程当中一直是厚片，可以减少破片等问题。
一种绝缘栅双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202110559298.X在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中该种半导体器件包括：晶圆层；多个电极压焊点，设置于晶圆层的上表面；介质层，设置于晶圆层的上表面，介质层包含多个垂直方向上贯穿的第一接触孔，每个第一接触孔对应一个电极压焊点；树脂层，设置于介质层的上表面，树脂层包含多个垂直方向上贯穿的第二接触孔，每个第二接触孔对应一个电极压焊点；和厚铜层，填充于第二接触孔中并与第二接触孔对应的电极压焊点接触。通过本申请提出的技术方案，无需电镀工艺及光刻蚀工艺即可实现厚铜结构半导体器件的制备，避免了复杂化学药品在制程中的介入，大幅简化了厚铜结构半导体器件的制备流程，具有可推广价值。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]新型功率器件及其划片方法、芯片级封装方法和封装结构-CN202011628712.X在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种新型功率器件及其划片方法、芯片级封装方法和封装结构。对晶圆正面的划片道进行第一次划片形成划片槽；在划片槽内填充树脂层，对晶圆背面进行研磨减薄，使划片槽以及填充于划片槽的树脂层在晶圆背面显露出来，对减薄后的晶圆背面进行腐蚀，使树脂层的背面高于晶圆背面，使晶圆背面和树脂层的背面形成台阶；在晶圆背面进行背面金属化形成背面金属化层，并使树脂层的背面处形成金属突起；将金属突起作为对位标记，在晶圆背面突起进行第二次划片或者刻蚀，去除突起及部分邻近的金属，露出背面的树脂；对准树脂进行第三次划片，将各个管芯进行分离。避免因金属化层在划片过程中出现拉丝现象而导致的短路想象，减低背面划片困难，金属沟槽作为对位标记有利于从晶圆背面进行划片。
新型功率器件及其划片方法芯片级封装结构

[发明专利]一种功率器件及其划片方法、芯片级封装方法和封装结构-CN202011631198.5在审
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件及其划片方法、芯片级封装方法和封装结构。对晶圆正面的划片道进行正面划片形成划片槽，在划片槽内填充树脂层；对晶圆背面进行研磨减薄，使划片槽以及填充于划片槽的树脂层在晶圆背面显露出来；对减薄后的晶圆背面的树脂层进行腐蚀，使树脂层的背面低于晶圆背面；在晶圆背面进行背面金属化形成背面金属化层，在树脂层的背面处形成金属凹陷部；将金属凹陷部作为对位标记，在晶圆背面对准金属凹陷部进行背面划片，将各个管芯进行分离。避免因金属背面化层在划片过程中出现拉丝现象而导致的短路想象，减低背面划片困难，金属凹陷部作为对位标记有利于从晶圆背面进行划片。
一种功率器件及其划片方法芯片级封装结构

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