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[发明专利]一种具有抗辐照结构的IGBT器件及其制备方法-CN202311018369.0在审
发明人：王丕龙;王新强;杨玉珍 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有抗辐照结构的IGBT器件及其制备方法，属于半导体技术领域，该器件包括P型衬底和N型漂移区，P型衬底与N型漂移区之间设置有埋氧层，N型漂移区的上层设置有场氧层，场氧层的两端分别设置有P型体区和N型缓冲层，P型体区的上表面设置有发射极P+区和发射极N+区，P型体区的上层设置有栅氧层，栅氧层的上方设置有多晶硅栅极，栅氧层的一端与发射极N+区连接，N型缓冲层的上表面设置有集电阳极区，场氧层的上层设置有隔离层，隔离层的上表面两端分别设置有发射极金属和集电极金属，该器件结构紧凑，能有效提高IGBT器件的抗辐照能力，使用安全可靠。
一种具有辐照结构 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种快恢复二极管芯片铂扩散方法-CN202310114224.4在审
发明人：王丕龙;王新强 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复二极管芯片铂扩散方法，涉及快恢复二极管芯片制造技术领域，包括在衬底的表面上生成N+型区域层，在N+型区域层的表面上生成N‑型区域层，在N‑型区域层的表面开设第二凹槽，并在第二凹槽内部生成第一P型区域层，在第一P型区域层的表面开设第三凹槽，在衬底的表面开设第一凹槽，并分别设置铂金属层，在设置第一铂金属层和第二铂金属层完成后，对芯片进行第一次退火，第一次退火完成后，在第二凹槽和第三凹槽内部生成第二P型区域层，并进行第二次退火，通过采用在芯片制造过程中在芯片上的正反面分别设置不同量的铂金属层并进行二次退火，有效降低了芯片正面铂金属浓度，减少芯片出现反向漏电的问题。
一种恢复二极管芯片扩散方法

[发明专利]一种内置FRD芯片结构的IGBT芯片和制备方法-CN202211623294.4在审
发明人：王丕龙;王新强 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种内置FRD芯片结构的IGBT芯片和制备方法，属于半导体器件技术领域，该一种内置FRD芯片结构的IGBT芯片包括由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极层、N‑缓冲层、N‑漂移层、P型基区、氧化层、沉积介质层、钝化层和背面金属电极；所述N‑漂移层和所述P型基区内具有相互平行的绝缘膜和栅电极区，所述P型基区位于每个所述绝缘膜的一侧分别设有N+发射区和P+区域，所述氧化层与所述P型基区、所述绝缘膜、所述栅电极区和所述P+区域接触，所述沉积介质层与所述N+发射区、所述P+区域和所述氧化层接触。通过隔离膜的作用，不仅能够实现导通，而且能够在加反向电压升温时，不易于传递热量，从而能够持续保持较低的热量。
一种内置 frd 芯片结构 igbt 制备方法

[发明专利]一种快恢复整流二极管的封装装置及制造方法-CN202010489233.8有效
发明人：王新强;潘庆波;李娜;杨玉珍;刘文;王丕龙 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复整流二极管的封装装置及制造方法，包括工作台组件、气压控制组件和密封机构，在气压控制组件中设置真空泵、连接管和进气装置组件，在工作台组件中设置密封上盖，在密封机构中设置密封座、密封气囊和第四凹槽，通过开启真空泵，将密封好的密封上盖与密封座内部的空气抽出，第四凹槽内部的空气被抽出，密封气囊内部气压大于密封气囊外部的气压逐渐膨胀，将第四凹槽的缝隙填充，同时密封第六孔位，保持密封上盖与密封座的气密性，防止外部的空气进入到装置内部，从而使封装装置具有了保持焊接过程处于真空环境，防止焊料表面生成氧化物的效果，避免了焊料冷却凝结后形成空洞造成元器件电气性能差，从而导致良品率低的问题。
一种恢复整流二极管封装装置制造方法

[发明专利]一种逆导型IGBT器件和制造方法-CN202310001514.8在审
发明人：王丕龙;王新强;杨玉珍 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型IGBT器件和制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种逆导型IGBT器件包括依次由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极区、导电掺杂区、n型场截止层、n‑漂移区、p型基区、第一介质层、第二介质层、集电极电极和发射极电极；其中，所述导电掺杂区内设有扩散跑道，所述n型场截止层内设有分散跑道，所述分散跑道上通过若干引流孔与所述n‑漂移区接触，所述分散跑道的两侧均通过分流通道与所述扩散跑道接触。扩散跑道通过分流通道向分散跑道引入电子，并于分散跑道形成分散，再通过引流孔与n‑漂移区的接触作用，可将电子以更快的速度注入n‑漂移区，进而若干个引流孔的设置，能够消除电压折回现象。
一种逆导型 igbt 器件制造方法

[发明专利]一种具备多种冷却结构的IGBT模块及其工作方法-CN202310073709.3在审
发明人：王新强;王丕龙;张永利;刘文 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种具备多种冷却结构的IGBT模块及其工作方法，涉及IGBT模块技术领域，包括外壳和设置所述外壳内部的电路模块，以及设置在电路模块两侧的基板，所述外壳的一侧设置有第二冷却装置，在所述外壳的内部还设置有第一冷却装置和调节装置，所述第一冷却装置和所述第二冷却装置分别与基板连接，所述调节装置包括热电偶和控制器，所述热电偶设置在基板上检测所述基板温度的变化，控制器用于根据所述热电偶检测的温度变化状况控制第一冷却装置的运行，解决了现有的IGBT模块的散热结构浪费资源和不能根据温度的变化调整散热模式的问题。
一种具备多种冷却结构 igbt 模块及其工作方法

[发明专利]一种快恢复二极管芯片及其制造方法-CN202310124045.9在审
发明人：王新强;张永利;王丕龙 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复二极管芯片及其制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种快恢复二极管芯片包括依次设置的背面金属电极、衬底、N+型阴极区、N型缓冲区、N‑型基区、P+型阳极区和正面金属电极，与所述P+型阳极区相对的一侧分别依次间隔设置有多个P型场环区以及N+型沟道截止环，所述N+型阴极区和所述N型缓冲区之间设置有多个P型岛，所述多个P型岛中设置有引流通道，所述多个P型岛与所述衬底和所述N‑型基区之间分别设置有与所述引流通道连接的第一介质通道和第二介质通道。当器件关断的过程中，引流通道、第一介质通道和第二介质通道加快使得N‑型基区区域载流子的抽取速度，缩短关断时间。
一种恢复二极管芯片及其制造方法

[发明专利]一种内绝缘的IGBT器件和制造方法-CN202310060284.2在审
发明人：王丕龙;王新强;杨玉珍 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2023-01-14 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种内绝缘的IGBT器件和制造方法，属于半导体器件技术领域，该一种内绝缘的IGBT器件包括依次由下至上依次设置的背面金属电极、衬底、P+集电极层、导电掺杂区、N型场截止层、N‑漂移层、P型基区、氧化层、沉积介质层和发射极电极，所述P型基区和所述N‑漂移层中设有相互平行的栅电极区，每个所述栅电极区的表面均被绝缘膜包围，每个所述绝缘膜的表面被绝缘薄层包围，每个所述绝缘薄层的一侧均设有N+发射区和P+区域，且所述N+发射区和所述P+区域均位于所述P型基区中。在绝缘薄层和绝缘膜的配合下，由于绝缘膜得到绝缘薄层的保护，绝缘膜不会因高温损坏，从而能够保证IGBT器件的正常使用。
一种绝缘 igbt 器件制造方法

[发明专利]一种沟槽型IGBT芯片及其制备方法-CN202211527870.5在审
发明人：王新强;王丕龙;谭文涛 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽型IGBT芯片及其制备方法，属于IGBT芯片技术领域，该一种沟槽型IGBT芯片包括由下至上依次设置的背面金属电极、P+集电极层、N‑缓冲层、N‑漂移层和P型基区；所述N‑漂移层和所述P型基区内具有相互平行的绝缘膜和栅电极区，且，所述栅电极区位于所述绝缘膜之中；芯片在导通的情况下，介质层引入自由电子，并使自由电子沿分流跑道加速运动，可使分流跑道提高自由电子的迁移率，可将自由电子经过分流通道引入P型基区，使其在P型基区产生浮动形成空穴；同时通过截流层在此时起到导通电阻的作用，避免电压瞬时速度将栅电极区击穿，从而提高了芯片的短路能力。
一种沟槽 igbt 芯片及其制备方法

[发明专利]一种内绝缘结构的IGBT结构及其工艺-CN202211220504.5在审
发明人：王新强;谭文涛;李永 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种内绝缘结构的IGBT结构及其工艺，包括集电极，集电极的上方设置有p型缓冲层，p型缓冲层的上方设置有n型缓冲层，n型缓冲层的上方设置有n+型飘移层，n+型飘移层的内部设置有p型块，n+型飘移层的顶部设置有蚀刻沟槽，蚀刻沟槽的内部设置有两性掺杂区域，两性掺杂区域的内部下方设置有第一掺杂区，通过在n+型飘移层设置两性掺杂区减少寄生三极管的数量，同时设置的第一掺杂区和第二掺杂区，在减少寄生三极管数量的同时还降低寄生三极管的基区电阻进一步抑制寄生三极管效应，达到避免IGBT的内部出现漏电流避免对IGBT造成损坏的效果。
一种绝缘结构 igbt 及其工艺

[发明专利]一种高性能超结结构IGBT的结构及其方法-CN202010452420.9有效
发明人：潘庆波;王新强;李娜;王丕龙;杨玉珍 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高性能超结结构IGBT的结构及其方法，包括集电极，集电极的上方设置有p型缓冲区，p型缓冲区的上方设置有n型缓冲区，n型缓冲区的上方设置有n+型飘移区，n+型飘移区的内部设置有p型块，n+型飘移区的顶部设置有第一蚀刻沟槽，第一蚀刻沟槽的底部设置有第二蚀刻沟槽，第二蚀刻沟槽的内部设置有p型漏网格块，第一蚀刻沟槽的内部设置有p型区，p型区的顶部设置有第三蚀刻沟槽，通过在飘移区设置p型块和p型漏网格块，将漂移区分割成三部分，p型块和p型漏网格块均起到阻挡空穴的作用，增强了电导调制效应，使器件在大电流下具有较小的导通压降，能保证相同耐压的同时提高漂移区掺杂浓度，降低导通电阻及正向压降，降低功耗。
一种性能结构 igbt 及其方法

[实用新型]一种沟槽式栅极IGBT结构-CN202121735088.3有效
发明人：王丕龙;王新强;杨玉珍;张永利;刘文 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种沟槽式栅极IGBT结构，基板的表面开设有环形槽，环形槽的内部设置有铅环，元胞包括n型衬底，n型衬底的底部设置有p+集电极，p+集电极的底部设置有集电极金属，n型衬底的顶部设置有p型阱，p型阱的顶部依次设置有p+型短路区和n+发射区，n型衬底的顶部开设有沟槽，沟槽位于n+发射区，沟槽的内壁设置有栅极氧化层，栅极氧化层上设置有栅极多晶层，栅极多晶层的顶部设置有氧化层，解决了目前沟槽式栅极IGBT结构存在的内部的应力会导致硅片碎片率增加、芯片良率低的问题以及在进行离子注入的过程中沟槽的侧壁经常出现包括注入损伤以及注入杂质散射造成的沟道表面浓度波动的问题，导致IGBT器件性能发生变化的问题。
一种沟槽栅极 igbt 结构

[实用新型]一种超薄衬底外延生长装置-CN202121665698.0有效
发明人：王新强;杨玉珍;王丕龙;张永利;赵旺;朱建英 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本实用新型属于外延生长装置技术领域，本实用新型提供了一种超薄衬底外延生长装置，包括装置主体，装置主体的呈立方体结构，且左右两侧方分别设置有进气口和出气口，装置主体内壁四周且靠近进气口和出气口处设置有一圈凸缘，凸缘顶部并排设置有两块凹透镜，两块凹透镜将装置主体内部分割为上下两个部分，本实用新型通过在调域加热装置底部设置凹透镜，通过凹透镜将电加热灯一的点光源通过折射转化为近似平行光源的方法，尽量减少由于电加热灯一的电磁波一叠加的影响使晶圆底衬中心区域温度高于其他区域的问题，从而使得晶圆底衬的整体温度趋于平均，提高外延生长的后的均匀度，从而提高产品处的芯片质量和成品率。
一种超薄衬底外延生长装置

[实用新型]一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备-CN202121793368.X有效
发明人：王新强;王丕龙;杨玉珍;朱建英;赵旺 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：在本实用新型提供了一种超薄碳化硅单晶衬底的制备设备，包括安装平台，安装平台包括台面板，台面板顶部的中央转动连接有旋转送料台，旋转送料台的轴体穿过台面板底部与传送电机的输出轴固定连接，传送电机固定安装于台面板的底部，本实用新型通过控制器控制调节液压缸并配合螺纹杆和升降筒的结构设置，从而调整筛选翼板的高低位置，从而筛选金刚石研磨液中的大颗粒金刚石，可效避免含金刚石颗粒的减薄基底在减薄碳化硅过程中由于粘合剂表面露出的金刚石造成深浅不一的划痕，提高成品率和成品质量。
一种超薄碳化硅衬底制备设备

[发明专利]一种空穴阻挡载流子存储层的制造方法及其IGBT器件-CN202110912253.6在审
发明人：王丕龙;王新强;张永利;刘文 -专利权人： 青岛佳恩半导体有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供了一种空穴阻挡载流子存储层的制造方法及其IGBT器件，属于半导体集成电路制造技术领域，该一种空穴阻挡载流子存储层的制造方法包括步骤S1，提供一半导体衬底，利用外延生长法在半导体衬底的上表面依次生长形成P+集电层、N+电场阻止层和N型漂移区；步骤S2，通过干法刻蚀对N型漂移区进行刻蚀出第一沟槽，完成后将半导体硅片进行清洗；步骤S3，通过高温化学气相沉积法在第一沟槽的内壁生长一层槽壁介质层并进行退火处理，完成后对槽壁介质层的内部进行填充形成源级介质层；优化器件制造步骤，在沟槽进行离子注入前，清理不必要的杂质，避免对器件进行干扰。
一种空穴阻挡载流子存储制造方法及其 igbt 器件

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