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- [发明专利]一种激光二极管及其制作方法-CN202310609482.X在审
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钟志白;李佳恩;卓昌正;徐宸科;康俊勇
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厦门三安光电有限公司
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2019-05-28
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2023-10-10
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H01S5/125
- 本发明公开了一种激光二极管及其制作方法。其中，所述激光二极管包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：N型层，活性层，表面具有脊状条的P型层以及DBR覆盖层；其特征在于，所述脊状条的端面为第一斜面，所述脊状条与所述DBR覆盖层的接触面包括第一斜面。所述制作方法包括步骤：在衬底上依次外延生长N型层、活性层和P型层，并制作带有脊状条的P型层；沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂，得到脊状条的端面为第一斜面；进行DBR覆盖层生长，所述DBR覆盖层与所述脊状条的接触面包括所述第一斜面。它旨在解决垂直腔面造成边角的DBR覆盖不好，侧镀的DBR又会影响到激光二极管的共晶，从而导致的激光二极管电性不良。
- 一种激光二极管及其制作方法
- [发明专利]一种激光二极管及其制作方法-CN201980004876.4有效
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钟志白;李佳恩;卓昌正;徐宸科;康俊勇
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厦门三安光电有限公司
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2019-05-28
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2023-07-04
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H01S5/125
- 本发明公开了一种激光二极管及其制作方法。其中，所述激光二极管包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：N型层，活性层，表面具有脊状条的P型层以及DBR覆盖层；其特征在于，所述脊状条的端面为第一斜面，所述脊状条与所述DBR覆盖层的接触面包括第一斜面。所述制作方法包括步骤：在衬底上依次外延生长N型层、活性层和P型层，并制作带有脊状条的P型层；沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂，得到脊状条的端面为第一斜面；进行DBR覆盖层生长，所述DBR覆盖层与所述脊状条的接触面包括所述第一斜面。它旨在解决垂直腔面造成边角的DBR覆盖不好，侧镀的DBR又会影响到激光二极管的共晶，从而导致的激光二极管电性不良。
- 一种激光二极管及其制作方法
- [发明专利]激光二极管及其制备方法-CN202011550306.6有效
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李水清;钟志白;邓和清;赖昭序;臧雅姝;黄少华
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厦门三安光电有限公司
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2020-12-24
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2022-10-11
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H01S5/22
- 本申请公开了一种激光二极管及其制备方法。该激光二极管包括金属基板、由半导体外延层构成的脊波导结构和光场包覆层，脊波导结构形成在金属基板上表面且沿金属基板长度方向延伸预定长度，其宽度小于金属基板的宽度；光场包覆层形成在金属基板上表面，且自脊波导结构的侧面向远离脊波导结构的一侧延伸；光场包覆层环绕于脊波导结构的外围，用于对脊波导结构进行光场限制；脊波导结构与金属基板之间形成有第一电极，脊波导结构的顶面形成有第二电极。本申请将激光二极管制作成垂直结构，缩短激光二极管电路，降低激光二极管电压，以改善其散热效果。在脊波导结构(半导体外延层)的整个侧面均能够形成光场包覆层，提高对脊波导结构光场限制效果。
- 激光二极管及其制备方法
- [发明专利]一种激光二极管及其制造方法-CN202210572551.X在审
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钟志白;叶涛;张敏;黄少华;李水清
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厦门市三安光电科技有限公司
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2020-06-09
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2022-09-06
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H01S5/028
- 本发明公开了一种激光二极管及其制造方法，在本发明的一个实施例中的激光二极管包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；形成在所述衬底的第一表面的外延层，所述外延层在顶部形成有脊；形成在所述脊的上方的第二电极接触层；形成在所述脊的侧壁及上方的光场包覆层，其折射率为1.3~1.9，所述光场包覆层包括包覆所述脊的侧壁的第一部分及形成在所述脊的上方的第二部分，其中所述光场包覆层的第二部分在所述脊的上表面的面积占比为20%以上。本发明的激光二极管的光场包覆层进一步形成了光场限制，同时可以保护脊的侧壁，防止漏电；增大了出光面的绝缘层的面积，降低出光腔面端的增益，平衡了腔体的电流注入和光场的分布。
- 一种激光二极管及其制造方法
- [发明专利]一种激光二极管及其制造方法-CN202010518817.3有效
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钟志白;叶涛;张敏;黄少华;李水清
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厦门市三安光电科技有限公司
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2020-06-09
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2022-07-01
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H01S5/028
- 本发明公开了一种激光二极管及其制造方法，在本发明的一个实施例中的激光二极管包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；形成在所述衬底的第一表面的外延层，所述外延层在顶部形成有脊；形成在所述脊的上方的第二电极接触层；形成在所述脊的侧壁及上方的光场包覆层，其折射率为1.3～1.9，所述光场包覆层包括包覆所述脊的侧壁的第一部分及形成在所述脊的上方的第二部分，其中所述光场包覆层的第二部分在所述脊的上表面的面积占比为20％以上。本发明的激光二极管的光场包覆层进一步形成了光场限制，同时可以保护脊的侧壁，防止漏电；增大了出光面的绝缘层的面积，降低出光腔面端的增益，平衡了腔体的电流注入和光场的分布。
- 一种激光二极管及其制造方法
- [发明专利]一种激光二极管-CN202011640564.3有效
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李水清;钟志白;黄少华;张宏铭;李闳;臧雅姝;叶涛
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厦门三安光电有限公司
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2020-12-31
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2022-05-27
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H01S5/00
- 本发明提供一种激光二极管，其包括基板，位于所述基板的第一表面上的半导体层序列，以及形成在所述基板的第一表面的反射镜，该反射镜靠近半导体层序列的出射腔面并且与所述外延层间隔分布。经半导体层序列的出射腔面出射的光被反射镜接收并反射，反射后的出射光在垂直半导体层序列的方向上出射，形成类似面射型激光二极管。由此可以将包括若干上述激光二极管的基板(晶圆)置于测试装置中直接进行测试，无需再将边射型激光二极管割裂成bar条进行测试。该激光二极管能够大大简化测试工序，缩短测试时长。上述激光二极管实现了边射型激光二极管的晶圆级测试，因此能够直观地显示晶圆的调试状况，利于后续激光二极管制造工艺的调整。
- 一种激光二极管
- [发明专利]激光二极管及其封装结构-CN202111067114.4在审
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钟志白;张敏;叶涛;王俞授;李水清;黄少华
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厦门三安光电有限公司
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2021-09-13
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2022-01-11
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H01S5/22
- 本申请公开了一种激光二极管及其封装结构，包括由第一半导体层、有源层和第二半导体层形成的外延结构，外延结构靠近第二半导体层的一侧配置有脊波导结构；垫高层形成在外延结构靠近第二半导体层的一侧并位于脊波导结构的外围，垫高层与脊波导结构的高度差小于或者等于300nm；第一电极与第一半导体层电性连接；第二电极设置在脊波导结构远离外延结构的一侧并与第二半导体层电性连接。在脊波导结构的外围设置垫高层，通过控制垫高层的高度以使脊波导结构的外围区域与脊波导结构具有较小高度差，在后续封装过程中，保证脊波导结构的外围区域与脊波导结构受力均匀，降低封装过程中焊接金属的空洞率、进而改善焊接金属沿着空洞溢出的现象。
- 激光二极管及其封装结构
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