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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202310323742.7在审
发明人：朴硕汉;刘宝元;申贤叙;李基硕;郑文泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括在衬底中形成多个第一沟槽。形成多个第一填充层，多个第一填充层填充第一沟槽并具有延伸以从衬底突出的突出部。在第一填充层的突出部的侧壁上形成间隔物。间隔物暴露衬底的在相邻的第一填充层之间的部分。通过蚀刻衬底的由间隔物暴露的部分，在第一沟槽周围形成多个第二沟槽。形成填充第二沟槽的多个第二填充层。去除所有的第一填充层和间隔物。形成共形地覆盖第一沟槽的内壁的栅材料层。通过分离栅材料层在每个第一沟槽中形成一对栅结构。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置-CN202310267630.4在审
发明人： 郑文泳;李基硕;崔贤根;卢亨俊;李相昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体装置可包括：衬底，其包括第一连接区和第二连接区之间的存储器单元区；栅电极，其在第一方向上延伸并且包括在第一连接区上具有台阶结构的第一焊盘区；背栅电极，其位于栅电极之间并且在与第一方向相反的方向上延伸；竖直导电图案，其在衬底的存储器单元区上在竖直方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；以及有源层，其在衬底的存储器单元区上位于栅电极和背栅电极之间。有源层可在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且可电连接到竖直导电图案。背栅电极可包括在第二连接区上具有台阶结构的第二焊盘区。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202310315781.2在审
发明人： 郑文泳;李基硕;李相昊;卢亨俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板；在基板上的第一栅极结构和第二栅极结构；单个背栅极结构，在第一栅极结构和第二栅极结构之间；第一结构，包括在垂直方向上延伸的第一垂直沟道区，第一垂直沟道区的至少一部分在第一栅极结构和单个背栅极结构之间；以及第二结构，包括在垂直方向上延伸的第二垂直沟道区。第二结构与第一结构间隔开，第二垂直沟道区的至少一部分在第二栅极结构和单个背栅极结构之间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810326639.7有效
发明人：赵珉熙;金俊秀;金熙中;安泰玧;山田悟;李元锡;全南镐;郑文泳;许基宰;弘载昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及制造其的方法。具有衬底的半导体器件可以包括下半导体层、在下半导体层上的上半导体层、以及在下半导体层与上半导体层之间的掩埋绝缘层。第一沟槽可以在上半导体层中，具有在掩埋绝缘层之上的最下表面，凹入第一沟槽中的第一导电图案。第二沟槽可以在下半导体层、掩埋绝缘层和上半导体层中。第二导电图案可以在第二沟槽中，并且第一源极/漏极区可以在第一导电图案与第二导电图案之间的上半导体层中。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器件-CN202211536107.9在审
发明人：李基硕;郑文泳;文钟淏;俞瀚植;金根楠;崔贤根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体存储器件可以包括：单元阵列结构，包括电连接到存储单元的第一接合焊盘；以及外围电路结构，包括第二接合焊盘，该第二接合焊盘电连接到外围电路并接合到第一接合焊盘。单元阵列结构可以包括：堆叠，包括在垂直方向上堆叠的水平导电图案；包括垂直导电图案的垂直结构，垂直导电图案在垂直方向上与堆叠交叉；以及提供在覆盖堆叠的一部分的平坦化绝缘层中的电力电容器。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器件-CN202211547867.X在审
发明人：李基硕;崔贤根;姜奇材;金根楠;任遂彬;郑文泳;郑承宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：半导体存储器件可以包括单元阵列结构和外围电路结构，该单元阵列结构可以包括存储单元阵列和电连接到存储单元阵列的第一接合焊盘，该存储单元阵列包括三维排列的存储单元，该外围电路结构可以包括外围电路和接合到第一接合焊盘的第二接合焊盘。单元阵列结构可以包括：下电介质层，具有第一表面和与第一表面相反的第二表面；堆叠结构，包括在垂直方向上堆叠在下电介质层的第一表面上的水平电极；垂直结构，包括在垂直方向上延伸并与水平电极交叉的垂直导电图案；以及在下电介质层的第二表面上的输入/输出焊盘。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器件-CN202211547941.8在审
发明人：李基硕;姜泰逵;金根楠;朴成珉;安泰炫;李常铉;张殷硕;郑文泳;郑义撤;崔贤根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：字线，平行于半导体基板的顶表面延伸；沟道图案，与字线交叉并具有平行于所述顶表面的长轴；位线，垂直于所述顶表面延伸并与沟道图案的第一侧表面接触；以及数据存储元件，与沟道图案的与第一侧表面相反的第二侧表面接触。沟道图案包括与位线相邻的第一掺杂区域、与数据存储元件相邻的第二掺杂区域以及在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间并与字线重叠的沟道区域。第一掺杂区域和第二掺杂区域中的至少一个包括与沟道区域相邻的低浓度区域和与沟道区域间隔开的高浓度区域。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器件-CN202111338530.3在审
发明人：崔贤根;李基硕;郑承宰;慎重赞;安泰炫;郑文泳;韩相然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：位线，在基板上在垂直方向上延伸；晶体管主体部分，包括在第一水平方向上依次布置的第一源极‑漏极区、单晶沟道层和第二源极‑漏极区，并且连接到位线；栅电极层，在垂直于第一水平方向的第二水平方向上延伸；栅极电介质层，在栅电极层和单晶沟道层之间并覆盖单晶沟道层的至少上表面和下表面；以及单元电容器，包括下电极层、电容器电介质层和上电极层，在第一水平方向上在晶体管主体的与位线相反的一侧并且连接到第二源极‑漏极区。
半导体存储器件

[发明专利]具有栅极的半导体器件及形成其的方法-CN201610829464.2有效
发明人：李东镇;李知恩;郑磬镐;山田悟;郑文泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-18 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了具有栅极的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法包括形成栅电介质、在栅电介质上形成第一导电材料层、在第一导电材料层上形成源材料层、和通过执行热处理工艺将源材料层中包含的第一元素扩散到第一导电材料层中以形成掺杂材料层。
具有栅极半导体器件形成方法

[发明专利]多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件-CN201910987953.4在审
发明人：丁海仁;郑文泳;韩俊;山田悟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了具有多方向沟道和拥有增加的有效宽度的栅极的多方向沟道晶体管、以及包括该多方向沟道晶体管的半导体器件，其中该多方向沟道晶体管包括：至少一个鳍，在衬底上的有源区上，并且与在第一方向上延伸的凹陷相邻设置；栅线，在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且覆盖所述至少一个鳍和凹陷的至少一部分；源/漏区，在栅线两侧处的有源区上；以及沟道区，在源/漏区之间在栅线下方的有源区中，其中第一方向与第二方向斜交，并且栅线下方的电介质膜在所述至少一个鳍和凹陷两者上具有基本相同的厚度。
多方沟道晶体管包括半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910811306.8在审
发明人：李东镇;金志永;金奉秀;卢弦均;郑文泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了半导体器件。该半导体器件包括：第一衬底；有源区域，其由第一衬底中的隔离膜限定；氧化物半导体层，其在有源区域中的第一衬底上并且不包括硅；凹陷，其在氧化物半导体层内部；以及栅极结构，其填充凹陷，包括栅电极以及在栅电极上的封盖膜，并且具有与有源区域的上表面在同一平面上的上表面。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710099074.9在审
发明人：李盛三;金俊秀;安孝信;山田悟;全柱炫;郑文泳;郑天炯;赵珉熙;蔡教锡;崔恩爱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体器件包括包含沟槽的半导体基板，该半导体基板具有晶体结构；以及覆盖沟槽的内侧壁的绝缘层，其中沟槽的内侧壁具有在晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或者关于{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面。
半导体器件及其制造方法

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