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[发明专利]一种镍蒸发料的制备方法-CN202110979851.5有效
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;章丽娜 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种镍蒸发料的制备方法，所述制备方法包括依次进行的第一锻伸处理、第二锻伸处理、车削处理、第三锻伸处理、清洗处理以及研磨处理。所述制备方法减少了镍蒸发料的内部缺陷，同时提高镍蒸发料制备得到的镀膜的性能以及均匀性。
一种蒸发制备方法

[发明专利]一种螺纹孔的三坐标检测方法-CN202010808482.9有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;陈文庆 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01B21/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种螺纹孔的三坐标检测方法，所述三坐标检测方法包括如下步骤：(1)沿螺纹孔轴向的不同高度的牙顶处共选取至少2个起始点，根据螺纹孔的螺距P取点，从而构建至少2个圆柱，得到牙顶轴线位置；(2)沿螺纹孔轴向的不同高度的牙根处共选取至少2个起始点，根据螺纹孔的螺距P取点，从而构建至少2个圆柱，得到牙根轴线位置；(3)步骤(1)所述牙顶轴线位置与步骤(2)所述牙根轴线位置的平均位置为所述螺纹孔的中心轴线。本发明所述三坐标检测方法以现有的三坐标检测仪为基础，通过简单的操作即可克服螺纹牙顶与牙根对螺纹孔定位检测准确度的影响；同时也能够降低螺纹间距误差对检测准确度的影响。
一种螺纹坐标检测方法

[发明专利]一种二氧化硅靶坯的制备方法-CN202011529734.0有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;江胜君 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化硅靶坯的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将二氧化硅粉末进行烘干，之后加入到烧结模具内进行夯实，得到生坯；(2)将步骤(1)得到的所述生坯进行热压烧结，除去磨具，得到所述二氧化硅靶坯；其中，所述热压烧结包括依次进行的抽真空、第一升温、第一保温、第二升温、第二保温、第三升温、第三保温、加压、保温保压和冷却。本发明提供的制备方法，通过对制备方法的改进，采用特定的热压烧结工艺，采用多次的升温保温交替进行使得制备得到的二氧化硅靶材有效降低封装材料的热膨胀系数、吸水率、成型收缩率及成本率，进一步地，还提高了封装材料的耐热性能、机械强度、介电性能及热导率。
一种二氧化硅制备方法

[发明专利]一种钛靶材与铝背板的装配方法-CN202011563446.7有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;章丽娜 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明提供及一种钛靶材与铝背板的装配方法，所述方法包括以下步骤：(1)对钛靶材以及铝背板进行预处理；(2)对表面处理后的所述钛靶材以及铝背板进行装配并焊接；(3)对所述铝背板开设散热水道；(4)对装配后的钛靶材以及铝背板表面进行表面处理。所述装配方法使得钛靶材与铝背板的结合率高，个体缺陷率低，冷却水道的设计提高了装配后的靶材的使用性能。
一种钛靶材背板装配方法

[发明专利]一种铜蒸发料的制备方法-CN202110935929.3有效
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;章丽娜 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种铜蒸发料的制备方法，所述制备方法包括依次进行的第一锻伸处理、第二锻伸处理、车削处理、第三锻伸处理、热等静压处理以及研磨处理。所述制备方法减少了铜蒸发料的内部缺陷，增强防锈性能，同时提高铜蒸发料制备得到的镀膜的性能以及均匀性。
一种蒸发制备方法

[发明专利]一种超高纯铜靶材及其晶粒取向控制方法-CN202110090491.3有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;慕二龙;汪焱斌 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高纯铜靶材及其晶粒取向控制方法，所述晶粒取向控制方法将超高纯铜铸件依次进行热锻处理、一次热处理、冷锻处理、二次热处理、静压处理以及轧制，得到超高纯铜靶材。本发明所述晶粒取向控制方法将热锻和冷锻相结合，并在冷锻之后加入静压处理，可以有效地控制超高纯铜靶材的晶粒尺寸和晶粒取向，使得超高纯铜靶材的晶粒尺寸≤10μm，晶粒取向为(110)面的晶粒占比为30％‑50％，满足集成电路14nm工艺制程对于晶粒尺寸和晶粒取向的双重要求，保证了溅射过程稳定，溅射膜厚度均匀；而且，本发明所述晶粒取向控制方法的工艺操作简便，无需复杂工艺条件，制备成本较低，适用性广。
一种高纯铜靶材及其晶粒取向控制方法

[发明专利]一种超高纯仲钨酸铵的制备方法-CN202110129858.8有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;吴东青;周友平 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高纯仲钨酸铵的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将0级仲钨酸铵依次进行焙烧和溶解，经固液分离得到中间液；(2)将步骤(1)得到的中间液进行阴离子交换处理，之后经第一解吸得到解吸液；(3)将步骤(2)得到的解吸液依次进行除杂处理、固液分离及阳离子交换处理，之后经第二解吸和结晶得到所述超高纯仲钨酸铵。本发明提供的超高纯仲钨酸铵的制备方法，通过对溶解方法和除杂过程的合理分配设计，实现了超高纯仲钨酸铵的制备，制备得到了的仲钨酸铵的纯度高达99.9999％以上，满足电子和微电子工业的要求。
一种高纯仲钨酸铵制备方法

[实用新型]一种废水处理系统及晶圆背面减薄装置-CN202221191015.7有效
发明人：万先进;边逸军;黄荣上;王冬冬 -专利权人：宁波芯丰精密科技有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C02F9/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体晶圆加工技术领域，具体公开了一种废水处理系统及晶圆背面减薄装置，废水处理系统包括管路式粉碎机和废水分离箱，管路式粉碎机能够对晶圆背面减薄装置的内部的排水管内研磨废水中的晶渣进行粉碎，粉碎处理后的研磨废水进入到废水分离箱内进行固液分离，固液分离后的研磨废水排入排放池内。通过管路式粉碎机将排水管内研磨废水中的晶渣进行粉碎，避免了晶渣堵塞排水管的排水口的问题，废水分离箱将研磨废水中的晶渣过滤掉，保证了研磨废水排入排放池的管路通畅。本实用新型还提供一种晶圆背面减薄装置，包括上述的废水处理系统，通过该废水处理系统能够对晶圆背面减薄装置产生的研磨废水进行处理。
一种废水处理系统背面装置

[实用新型]一种晶圆料架的放置平台-CN202221526003.5有效
发明人：万先进;张卓;李文超;边逸军 -专利权人：宁波芯丰精密科技有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆料架的放置平台，涉及晶圆生产加工技术领域。该晶圆料架的放置平台包括底座、第一定位件、第二定位件和对中调节机构，第一定位件和第二定位件相对设置于底座上，晶圆料架通过第一定位件和第二定位件共同定位。对中调节机构包括导杆和驱动组件，导杆固定于底座上，第一定位件和第二定位件均与导杆连接，驱动组件同时驱动第一定位件和第二定位件在导杆上向相反的方向移动，以调节第一定位件和第二定位件之间的间距。该晶圆料架的放置平台不仅能够放置不同规格的晶圆料架，提高了批量生产时的工作效率，降低了生产成本；而且调节间距后的第一定位件和第二定位件依然能够使得晶圆料架对中放置。
一种晶圆料架放置平台

[发明专利]晶圆清洗装置及清洗方法-CN202210994570.1在审
发明人：万先进;梁志远;李文超;边逸军 -专利权人：宁波芯丰精密科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，公开了晶圆清洗装置及清洗方法。该晶圆清洗装置包括底座、驱动组件和喷嘴组件，底座设有容纳槽；驱动组件转动穿设于容纳槽的槽底，驱动组件的端部设有吸附件，吸附件位于容纳槽内，吸附件与驱动组件传动连接，且吸附件能吸附晶圆；喷嘴组件包括支撑杆以及设于支撑杆端部的喷嘴，支撑杆与容纳槽的槽底转动连接，喷嘴包括第一喷嘴和第二喷嘴，第一喷嘴能向晶圆的上表面喷射清洗液，第二喷嘴能向晶圆的上表面喷射气体，且第二喷嘴的输出口正对晶圆的中心处设置。本发明提高了晶圆表面清洁度并改善了晶圆的甩干效果。
清洗装置方法

[发明专利]一种机械化学研磨保持环的表面处理方法-CN202111091085.5有效
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;冯周瑜;罗明浩 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种机械化学研磨保持环的表面处理方法，所述表面处理方法包括如下：对保持环的金属面依次进行第一研磨和第二研磨，对所述保持环的塑料面进行第三研磨；所述第一研磨中对保持环施加有0.3‑0.7MPa的压力；所述第二研磨中对保持环施加有0.8‑1.2MPa的压力。本发明提供的表面处理方法，通过对处理过程的特定设计，采用特定的处理过程保证得到的保持环具有良好的使用性能，显著提升了机械化学研磨中的研磨效率，进一步地的也延长了保持环的使用寿命。
一种机械化学研磨保持表面处理方法

[发明专利]一种磨削主轴-CN202210896636.3在审
发明人：万先进;单保淋;李文超;边逸军 -专利权人：宁波芯丰精密科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B24B41/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体晶圆减薄设备技术领域，公开了一种磨削主轴。该磨削主轴包括主轴、磨轮安装座和防尘塞，磨轮安装座连接于主轴的端部，且磨轮安装座与主轴同轴设置，磨轮安装座的中心处设有沿轴向贯通的台阶孔，台阶孔的小孔径段远离主轴的端面，小孔径段设有内螺纹，内螺纹用于与外部检测装置连接；防尘塞设于台阶孔内，防尘塞包括弹性件和导向件，弹性件的一端与主轴连接，弹性件的另一端与导向件连接，弹性件能挤压导向件，使导向件抵紧于台阶孔的台阶面，且导向件的端面与磨轮安装座的端面齐平。本发明提供的磨削主轴，能有效防止磨削过程中的磨削液或产生的硅渣进入台阶孔内，以避免安装孔被硅渣或磨削液堵住。
一种磨削主轴

[发明专利]一种磨削主轴调节装置-CN202210932279.1在审
发明人：万先进;单保淋;李文超;边逸军 -专利权人：宁波芯丰精密科技有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B23B19/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种磨削主轴调节装置。该磨削主轴调节装置包括主轴、主轴套、固定调节件和两个异动调节件，主轴套套设于主轴的外周侧；固定调节件包括固定上螺母和固定螺杆，固定上螺母的一端与主轴固定连接，固定上螺母的另一端的端面设有球形凹槽，固定螺杆的一端抵接于球形凹槽内，且固定螺杆的一端的形状与球形凹槽的形状匹配，固定螺杆的另一端与主轴套固定连接；异动调节件包括异动螺杆，异动螺杆的两端分别设有第一螺纹部和第二螺纹部，异动螺杆的一端与主轴螺接，异动螺杆的另一端与主轴套螺接，旋转异动螺杆，以调节主轴的倾斜度。本发明提供的磨削主轴调节装置，调节精准，且结构简单，加工成本低。
一种磨削主轴调节装置

[发明专利]一种夹爪机构及晶圆夹取装置-CN202210992972.8在审
发明人：万先进;李俊;李文超;边逸军 -专利权人：宁波芯丰精密科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及夹持设备技术领域，具体公开了一种夹爪机构及晶圆夹取装置。该机构包括驱动模块和两个夹爪主体；驱动模块包括外壳、检测组件、固接于外壳上的导轨和滑设于导轨上的第一滑块，两个夹爪主体中的一个固接于第一滑块，第一滑块能够靠近或远离另一个夹爪主体，第一滑块上固接有遮片组件，当遮片组件处于第一状态时，判断两个夹爪主体松开，当遮片组件处于第二状态时，判断两个夹爪主体夹紧，当遮片组件处于第三状态时，判断两个夹爪主体过夹，检测组件用于检测遮片组件的状态。该机构通过设置遮片组件的方式，判断两个夹爪主体的夹持情况，实现了对夹爪主体是否夹持以及夹持是否到位的检测，提升了夹爪机构的工作效率以及工作稳定性。
一种机构晶圆夹取装置

[发明专利]一种WTi合金溅射靶材的制备方法-CN202010953981.7有效
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;黄东长 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种WTi合金溅射靶材的制备方法，所述制备方法包括：将W粉、高纯Ti粉和低纯Ti粉放入不锈钢内衬混粉机中进行混合，然后装入模具并封口；依次经过热压烧结处理、机加工得到WTi合金溅射靶材。所述制备方法采用现有技术易得的原材料粉末，一方面，经过高低两种纯度Ti粉的配比，在保证一定Fe含量的同时，有效保证了Ti粉总纯度处于较高水平，另一方面，创造性地采用不锈钢内衬混粉机进一步补充Fe元素，不仅可以精准控制WTi合金溅射靶材中Fe含量为30‑50ppm，还可以保证WTi合金溅射靶材的纯度≥99.99％；此外，所述制备方法具有原料易得、成本低、操作简单、便于推广的优点。
一种 wti 合金溅射制备方法