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[发明专利]一种高纯银靶材的焊接方法-CN202210343526.4在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;边逸军;汪焱斌;慕二龙 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯银靶材的焊接方法，所述焊接方法包括：分别独立地对银靶坯以及背板的焊接面进行车削和清洗处理；将焊料置于所述银靶坯以及背板的焊接面，加热融化后浸润；将所述银靶坯以及背板扣合后，在压力作用下冷却。所述焊接方法可以提高高纯银靶材与背板的焊接效果，满足溅射的性能要求，方法简便，操作简单，利于工业化生产。
一种高纯银靶材焊接方法

[发明专利]一种碳碳化硅复合粉末及其制备方法和用途-CN202110349418.3有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;杨慧珍 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳碳化硅复合粉末及其制备方法和用途，所述制备方法包括如下步骤：(1)按照目标质量比例准备碳粉和碳化硅粉并混合均匀，得到碳碳化硅混合粉；(2)将步骤(1)所述碳碳化硅混合粉与粘结剂、分散剂以及水混合均匀，得到碳碳化硅料浆；(3)将步骤(2)所述碳碳化硅料浆进行喷雾造粒，得到碳碳化硅复合粉末。采用本发明所述制备方法得到的碳碳化硅复合粉末具有粒度均匀、流动性良好、成形性优异等优点，可以用于制备碳碳化硅靶材，并有效保证了碳碳化硅靶材的致密度，以及靶材表面的光滑均匀。
一种碳化硅复合粉末及其制备方法用途

[发明专利]一种钒钨合金靶坯的制备方法-CN202011301391.2有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;章丽娜 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钒钨合金靶坯的制备方法，所述钒钨合金靶坯中钒和钨的质量比为(10.06‑10.16):1；所述制备方法包括如下步骤：按配方将钒粉和钨粉在转速为500‑600r/min下进行球磨，之后加入模具中夯实后进行烧结，得到所述钒钨合金靶坯；所述烧结为先进行第一保温，之后升温进行第二保温，然后依次进行加压和保温保压。本发明提供的方法，通过在金属粉末混合过程中引入高能球磨(转速为500‑600r/min)，使得在混粉阶段就使得钒和钨之间进行初步合金化，使得溅射所得的镀膜厚度均匀，提高了靶材的实际使用效率。
一种合金制备方法

[发明专利]一种高纯铝靶材的制备方法-CN202111138497.X有效
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;章丽娜;罗明浩 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C22F1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯铝靶材的制备方法，所述制备方法包括对坯料依次进行的第一冷锻处理、第一热处理、第二冷锻处理、第三冷锻处理、第二热处理、静压处理、压延处理以及第三热处理。所述制备方法可以减少铝靶材内部缺陷，细化内部晶粒，提高内部晶粒均匀度，从而提高铝靶材的质量和性能。
一种高纯铝靶材制备方法

[实用新型]一种粉末摊平装置-CN202220705933.0有效
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;边逸军;吴东青 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B22F3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种粉末摊平装置，所述粉末摊平装置包括中心轴和依次设置于所述中心轴上的旋转控制部件、高度调节部件、轴承部件和刮板；所述旋转控制部件、高度调节部件和轴承部件依次嵌套于所述中心轴上；所述刮板固定连接于所述中心轴的末端。本实用新型提供的粉末摊平装置结构简单且使用方便，简化了不必要的结构，降低了制造成本和操作难度，提升了通用性。
一种粉末平装

[发明专利]一种锗蒸发料及其制备方法与应用-CN202210324344.2在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;边逸军;慕二龙 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗蒸发料及其制备方法与应用，所述制备方法包括依次进行的破碎、粗筛、精筛、研磨与清洗；所述粗筛得到的筛上物返回进行破碎，筛下物进行精筛；所述精筛得到的筛上物进行研磨，筛下物直接进行清洗；所述制备方法得到的锗蒸发料平均粒径≤5mm。本发明提供的制备方法高效且易于工艺化生产半导体用锗颗粒蒸发料，满足了半导体行业对高纯度、高质量锗蒸发料的需求。
一种蒸发料及制备方法应用

[发明专利]一种TaAl合金的溶解方法-CN202210379044.4在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;边逸军;周佳焕 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种TaAl合金的溶解方法，所述溶解方法包括如下步骤：(1)均匀混合TaAl合金与复合酸溶液，得到混合溶液；(2)步骤(1)所得混合溶液依次经加热、定容得到试样溶液；步骤(1)所述复合酸溶液为体积比1:(5‑7)的硝酸与氢氟酸。本发明通过调控硝酸与氢氟酸的合理配比以及加热参数，使所述TaAl合金完全溶解，从而可配制成适用于ICP‑OES的试样溶液。
一种 taal 合金溶解方法

[发明专利]一种AgCuTi合金的溶解方法-CN202210378786.5在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;边逸军;周佳焕 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B01F21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种AgCuTi合金的溶解方法，所述溶解方法包括如下步骤：(1)均匀混合AgCuTi合金与复合酸溶液，得到混合溶液；(2)步骤(1)所得混合溶液依次经加热、定容得到试样溶液；所述复合酸溶液为体积比(2‑4):1的硝酸与盐酸。本发明通过调控硝酸与盐酸的合理配比以及加热参数，使所述AgCuTi合金完全溶解，从而可配制成适用于ICP‑OES的试样溶液。
一种 agcuti 合金溶解方法

[发明专利]一种半成品靶材背板的管理方法-CN202110453035.0有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;于江花 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B65B31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半成品靶材背板的管理方法，所述方法包括：对所述半成品靶材背板的导电率进行测试，并与检移票的成分进行比较；比较正确后将产品编号刻于所述半成品靶材背板；对所述半成品靶材背板依次进行清洗、干燥以及包装。所述管理方法可以避免生产过程中出现的半成品靶材背板的混淆隐患，保证产品质量，且所述管理方法高效简便，无需对现有生产工艺进行调整。
一种半成品背板管理方法

[发明专利]一种改善铝靶材边缘开裂的方法-CN202110679321.9有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;侯娟华 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C22F1/043 文献下载
摘要：本发明提供一种改善铝靶材边缘开裂的方法，所述方法为将铝靶材加工中的静压处理替换为锻伸处理。所述方法可以有效解决铝靶材加工过程中的边缘裂纹问题，提高了产品质量同时，增加了铝靶材加工的合格率。
一种改善铝靶材边缘开裂方法

[发明专利]一种半导体溅射环防护件及其加工方法-CN202110878166.3有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;冯周瑜;罗明浩 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体溅射环防护件及其加工方法，所述加工方法包括以下步骤：将坯料进行冲压成型，得到带有凹槽的圆柱形结构件；将圆柱形结构件的凹槽进行铣削，然后在底面上铣削出圆孔，形成贯穿结构件；将贯穿结构件的外表面进行滚花，得到半导体溅射环防护件。本发明所述加工方法根据溅射环防护件的结构及应用，依次采用冲压成型、铣削以及滚花的操作工艺，极大减少了坯料的铣削量，减少材料的浪费，提高原料利用率和加工效率；所述加工方法中的操作顺序，可以避免先滚花后铣削时对外侧滚花的损坏，保证产品加工的合格率；所述方法操作简单，成本较低，应用前景广阔。
一种半导体溅射防护及其加工方法

[发明专利]一种多边形靶材及其加工方法-CN202110897276.4有效
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;冯周瑜;罗明浩 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B23P23/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种多边形靶材及其加工方法，所述加工方法包括以下步骤：将靶材的焊接面车削螺纹，并在背板的焊接面上车削焊接凹槽；将处理后的靶材和背板装配后进行热等静压焊接，得到焊接组件；在焊接组件的背板背面车削凹槽，然后依次对焊接组件进行外圆车削和外形铣削，得到多边形靶材组件。本发明所述方法采用先焊接、再外形铣削的方式，能够避免传统方法中前后两次铣削的问题，并通过增加车削量而减少铣削量，提高生产效率；所述方法中焊接后在背板的背面上车削凹槽，能够校正焊接后变形靶材的平面度，而外圆车削时车削厚度的控制，可避免车削后焊缝位置靶材的残留；所述方法操作简便，靶材生产合格率高，且原料使用量少，成本较低。
一种多边形及其加工方法

[发明专利]一种高纯铝靶材组件的钎焊方法及高纯铝靶材组件-CN202010895263.9有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;章丽娜 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯铝靶材组件的钎焊方法及高纯铝靶材组件，所述高纯铝靶材组件的钎焊方法通过在高纯铝靶材中设置凹槽，在背板上设置凸台，同时选用材质为C18150或C18000的背板，不仅能够保障背板与高纯铝靶材的焊接结合率，而且能够有效表面焊接过程中的变形情况，且焊接后的高纯铝靶材组件无漏水现象，应用前景优良。
一种高纯铝靶材组件钎焊方法

[发明专利]一种半导体部件的拼接镀膜方法-CN202010935912.3有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;滕俊 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体部件的拼接镀膜方法，所述方法包括：将半导体部件中与镀膜设备中夹具接触的表面采用保护膜进行遮蔽；将处理后的半导体部件进行镀膜，控制镀膜温度和功率，完成非遮蔽表面的镀膜；将镀膜后的表面附着保护膜，再将原遮蔽保护膜去除；重复进行非遮蔽表面的镀膜，完成后去除已镀膜表面的保护膜，直至得到表面全镀膜的半导体部件。本发明所述方法通过拼接镀膜的方式，可实现半导体部件全表面的镀膜，尤其是对非镀膜面先进行遮蔽的方式，能够保证不同顺序镀膜的一致性，满足后续焊接工艺的要求；根据半导体部件材料的选择，相应调整镀膜参数，可避免产生晶粒变化，保证部件的强度性能，对不同种类制品均可适用，应用范围广。
一种半导体部件拼接镀膜方法

[发明专利]一种钽靶材组件的焊接方法-CN202011036133.6有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;侯娟华 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种钽靶材组件的焊接方法，所述焊接方法包括：对焊接面设置螺纹的钽靶材进行熔射处理，对背板的焊接面进行喷砂处理，之后将熔射处理后的钽靶材和喷砂处理后的背板进行热等静压焊接，得到钽靶材组件。本发明提供的焊接方法，通过对钽靶材表面设置螺纹并进行熔射处理同时对背板焊接面进行喷砂处理，利用二者之间的协同耦合作用实现了钽靶材组件的焊接面应力分布均匀，焊接结合率为97％以上，靶材和背板间传热性能提高10‑25％。
一种钽靶材组件焊接方法