“蒲红斌”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果49个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]GaN复合衬底及其制备方法-CN202111401980.2有效
发明人：李姚;赵田辉;李群;蒲红斌 -专利权人：西安电子科技大学;西安理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了GaN复合衬底及其制备方法，包括金刚石衬底，金刚石衬底上表面外延生长有SiN黏附层、AlxGa1‑xN缓冲层、GaN层，SiN黏附层内设置有凹槽，凹槽内填充有金刚石层。在金刚石衬底的上表面生长SiN黏附层；对SiN黏附层进行刻蚀，形成凹槽；在凹槽内生长金刚石层，并对金刚石层进行减薄抛光处理，使金刚石层与SiN黏附层的上表面齐平；在SiN黏附层的上表面生长AlxGa1‑xN缓冲层；在AlxGa1‑xN缓冲层上生长GaN层，形成GaN复合衬底。有助于增强金刚石衬底上GaN HEMT器件的热特性、提高GaN层的晶体质量。
gan 复合衬底及其制备方法

[发明专利]集成测温单元的SiC顶集电区紫外光电晶体管及制造方法-CN202310336791.4在审
发明人：王曦;熊娟;蒲红斌;杨莺;纪轩;陈嘉翔 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成测温单元的SiC顶集电区紫外光电晶体管，包括n型4H‑SiC衬底，n型4H‑SiC衬底的表面向上制作有n+发射区，n+发射区表面中间位置向上制作有p型基区，p型基区表面向上依次为n‑集电区和n+集电区，n+集电区表面向上制作有集电极欧姆接触金属和透明导电薄膜，集电极欧姆接触金属和透明导电薄膜间隔排布于n+集电区表面，且n+集电区表面两侧为集电极欧姆接触金属，集电极欧姆接触金属、n+集电区、n‑集电区和p型基区形成一个整体等，本发明还公开了一种集成测温单元的SiC顶集电区紫外光电晶体管的制备方法，本发明解决了现有技术中存在的SiC紫外光电晶体管响应度低与温度漂移大的问题。
集成测温单元 sic 顶集电区紫外光电晶体管制造方法

[发明专利]具有栅保护功能的SiC MOSFET及制备方法-CN202211514540.2有效
发明人：王曦;纪轩;蒲红斌;张玉茜;王朝阳;熊娟 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有栅保护功能的SiC MOSFET，通过设置p阱区上表面的n+结区、设置位于p阱区上表面边缘的n+结区与位于p阱区上表面中心的n+结区分别经正面欧姆接触金属连接至源电极金属与栅电极金属，通过凸台状n+缓冲层2、p+结区9的下表面低于p基区4的下表面、p+结区9中心向下与凸台状n+缓冲层2上表面的凸台中心呈正对关系，在栅极出现电压尖峰时由n+结区7将尖峰电压钳位在安全范围，避免了栅氧化层的击穿失效，改善了传统SiC MOSFET的栅极可靠性，本发明解决了现有技术中存在的SiC MOSFET栅极容易损坏、制作成本高、体积大的问题。
具有保护功能 sic mosfet 制备方法

[发明专利]一种具有非均匀体二极管的SiC MOSFET器件-CN202010364664.1有效
发明人：王曦;蒲红斌;杨迎香;胡继超;张萌;钟艺文 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有非均匀体二极管的SiC MOSFET器件，n型4H‑SiC衬底上表面依次设有缓冲层、漂移区及电流扩展层，电流扩展层中间隔嵌有p阱区，每个p阱区中嵌有一个n+源区，每个n+源区中嵌有一个p+接触区；相邻p阱区的上端面共同覆盖有一个栅氧化层，该栅氧化层同时覆盖在部分n+源区以及n+源区之间电流扩展层上表面，栅氧化层上表面设有多晶硅栅，栅氧化层和多晶硅栅的外表面共同包裹有隔离介质层；在p+接触区、n+源区以及隔离介质层之上共同覆盖有源极；n型4H‑SiC衬底下表面设有漏极；栅极覆盖于隔离介质层上表面并与多晶硅栅相连。本发明的结构，显著提升了SiC MOSFET器件的可靠性。
一种具有均匀二极管 sic mosfet 器件

[发明专利]具有双波长光控功能的SiC异质结晶闸管及制备方法-CN202211514576.0在审
发明人：王曦;许建宁;蒲红斌;封先锋;张超;仇茗萱 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双波长光控功能的SiC异质结晶闸管，通过设置凸台状p+SiC发射区以及p+NiO发射区，在365nm紫外光的控制下可以实现导通，并在365nm光撤走之后维持导通状态；通过设置凸台状n+SiC发射区、p型短基区，以及i型Ga2O3换流区，在254nm紫外光的控制下结束内部正反馈，并在254nm光撤走之后转为关断状态。本发明还公开了一种具有双波长光控功能的SiC异质结晶闸管的制备方法。本发明解决了现有技术中存在的SiC LTT难以自主关断、且使用成本升高、电路系统的抗电磁干扰能力下降的问题。
具有波长光控功能 sic 结晶制备方法

[发明专利]具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管-CN201911241773.8有效
发明人：王曦;钟艺文;蒲红斌;陈春兰;王敏;张萌 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管，p‑NiO层向上依次设置有n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上镶嵌有p‑SiC阱区，p‑SiC阱区上镶嵌有p‑SiC欧姆接触区与n‑SiC发射区；n‑SiC漂移区、p‑SiC阱区、以及n‑SiC发射区上表面共同覆盖有栅绝缘介质薄膜及栅极；p‑SiC欧姆接触区、n‑SiC发射区上表面共同覆盖有发射极；栅极上方覆盖有绝缘钝化介质薄膜；发射极及绝缘钝化介质薄膜上表面共同覆盖有金属；p‑NiO层下端面覆盖有集电极。本发明的结构，使SiC n‑IGBT的正向导通性能更优，通态功耗更低。
具有 nio sic pn 异质结绝缘双极晶体管

[发明专利]具有高通流能力的SiC双HEJ-LTT及制造方法-CN202111533149.2有效
发明人：王曦;李娜;蒲红斌;封先锋;胡继超;王浩 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高通流能力的SiC双HEJ‑LTT，在第一外延层上表面，自中心向边缘依次间隔覆盖有三个短基区；第一短基区与第二短基区之间嵌有第一阳极隔离结；第二短基区与第三短基区之间嵌有第二阳极隔离结；第三短基区外侧裸露的第一外延层上表面嵌有阳极终端结；还包括第一阳极发射区与阳极钝化层、各个欧姆金属、中心阳极、逆导阴极、门极；第一外延层的下表面从边缘向中心依次覆盖有三个缓冲层及两个阴极隔离结，还包括各个欧姆金属、阴极钝化层、阴极。本发明还公开了该种具有高通流能力的SiC双HEJ‑LTT的制造方法。本发明的器件，在导通状态下，具有更强的通流能力。
具有通流能力 sic hej ltt 制造方法

[发明专利]一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管-CN202010065699.5有效
发明人：王曦;钟艺文;蒲红斌;胡继超;王敏;张萌 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种含NiO/SiC异质结的SiC MPS二极管，包括衬底，衬底上依次为n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上端面覆盖有阳极，衬底下端面覆盖有阴极，n‑SiC漂移区上表面靠近阳极位置处间隔镶嵌有若干p‑NiO结区。本发明解决了现有技术中存在的SiC MPS二极管正向开启电压过高、通态电阻过大的问题。
一种 nio sic 异质结 mps 二极管

[发明专利]一种双层基区SiC NPN集成晶体管及其制作方法-CN201910089310.8有效
发明人： 蒲红斌;唐新宇;王曦;安丽琪;刘青;李佳琪;杜利祥 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层基区SiC NPN集成晶体管，包括衬底，衬底的上端表面依次设置有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层；第五外延层和第四外延层组成凸台三；第三外延层和第二外延层组成凸台二；第一外延层为凸台一；还包括钝化层，钝化层覆盖凸台三、凸台二和凸台一的外表面及衬底的上端表面；凸台三的上端表面设有电极一；凸台二的上端表面设有电极二；凸台三的上端表面设有有电极三。本发明还公开了该双层基区SiC NPN集成晶体管的制作方法。本发明提供的双层基区SiC NPN集成晶体管的基区采用低高结的双层结构，降低增益β随温度的漂移程度。
一种双层 sic npn 集成晶体管及其制作方法

[发明专利]柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法-CN202010071226.6有效
发明人：李连碧;臧源;陈鸿;胡继超;林生晃;张国青;蒲红斌;封先锋;宋立勋;涂喆研;李泽斌;徐永康;王蓉 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法，将石墨烯湿法转移至SiO2/Si上，采用金属催化VLS机制的CVD法(化学气相沉积法)，利用2nm厚Au作为催化剂，在石墨烯上直接生长Si纳米线。生长温度为500℃，源气体SiH4流量为10sccm，生长压力1.33×104Pa，生长时间10分钟。生长结束后，关闭SiH4气体阀门，在氩气保护下，CVD炉自然冷却后得到石墨烯基硅纳米线异质结。然后，将制备好的石墨烯基硅纳米线异质结，旋涂PMMA/PDMS双支撑膜，利用NaOH溶液刻蚀掉SiO2，实现石墨烯基硅纳米线异质结的整体转移，得到柔性、可移植的石墨烯基硅纳米线异质结。
柔性石墨烯基硅纳米线异质结制备转移方法

[发明专利]一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法-CN202010295110.0有效
发明人：胡继超;李丹;李连碧;臧源;王曦;蒲红斌 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低密度氧空位缺陷的氧化镓外延材料的制备方法，首先将金属镓源放入石英舟内，石英舟放入双温区石英管式炉内温区1中；然后将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上，将载有衬底片的衬底托放入石英管式炉内温区2中；将反应腔抽真空，抽真空后腔体压强为1pa；向石英反应腔内通入作为载气的惰性气体；同时加热管式炉内温区1中载有金属镓源的石英舟和温区2中的衬底；通过设置升温时间使温区1的工作温度和温区2中的工作温度同时达到相应设置的温度，打开氧气气路，让惰性气体携带氧气进入石英反应管，在衬底上沉积氧化镓薄膜，完成氧化镓薄膜制备，本发明解决了现有技术中存在的氧化镓材料中极易出现氧空位缺陷的问题。
一种具有密度空位缺陷氧化外延材料制备方法

[发明专利]一种具有NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管-CN201810507545.X有效
发明人： 蒲红斌;王曦;刘青;胡丹丹;安丽琪;王雅芳;李佳琪;杜利祥;唐新宇 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiO/SiC异质发射结结构。本发明还公开了一种含NiO/SiC异质发射结的SiC光触发晶闸管，包括衬底，在衬底上表面制作有n‑SiC缓冲层，在n‑SiC缓冲层上表面制作有p‑SiC缓冲层，在p‑SiC缓冲层上表面制作有p‑SiC长基区，在p‑SiC长基区上表面制作有n‑SiC短基区，在n‑SiC短基区上表面制作有p‑NiO发射区，还包括绝缘介质薄膜，在p‑NiO发射区的各个凸台上端面覆盖有阳极；在衬底下端面覆盖有阴极。本发明的结构，拥有更高的空穴注入能力，开通性能得到显著改善。
一种具有 nio sic 发射触发晶闸管

[发明专利]一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法-CN202110666770.X在审
发明人：李姚;郑子轩;蒲红斌 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法，包括：使用半导体参数分析仪对漏极和栅极施加电压，测量器件的饱和漏电流，并计算耗散功率；利用红外热像仪测试器件的工作结温T；利用有限元软件建立器件电热耦合模型，根据工作结温校准器件电热耦合模型，得到器件电热耦合模型；利用器件电热耦合模型获取器件的结温分布，根据器件的结温分布建立一维热源模型；利用有限元软件根据一维热源模型建立三维热模型，并对三维热模型进行调整，使其与校准后的器件电热耦合模型仿真结果一致，得到GaN HEMT器件热源模型。克服了实验上利用红外热成像法和电学法对器件结温测量的偏差；热仿真模型精度高且计算量小，易于实现。
一种提取 gan hemt 器件热源模型方法

[实用新型]一种混凝土输送泵管-CN202021424812.6有效
发明人：张晓琼;李有发;王勇;蒲红斌;邓波;郑平;黄方麒;覃晟;罗杰 -专利权人：中国水利水电第十工程局有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： F16L41/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混凝土输送泵管，包括多根混凝土泵管、多个泵管连接铁质管卡；在每根混凝土泵管的侧壁上均开设有至少一个的用于混凝土输出的开孔，在混凝土泵管的开孔处安装有铡刀式启闭装置，铡刀式启闭装置用于开孔的开闭控制；本实用新型解决了在混凝土输送泵管在长距离浇筑混凝土中人工反复拆装泵管的情况，若需要在混凝土泵管中间某一个位置输送混凝土，人工搬动铡刀式启闭装置开启该孔洞，混凝土即可流出，不需要时候，人工搬动铡刀式启闭装置关闭该孔洞，混凝土即输送至前方；该装置避免了浇筑过程中反复的拆、装混凝土泵管，减少人员劳动强度；该装置简单可靠，经济上投入不大。
一种混凝土输送泵管

[发明专利]一种CVD石墨烯干法转移方法-CN201810320411.7有效
发明人：李连碧;臧源;胡继超;林生晃;贺小敏;褚庆;冯松;蒲红斌;封先锋;宋立勋;雷倩倩;涂喆研 -专利权人：西安工程大学;西安理工大学
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开了一种CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸气中10min，置于烘箱烘干；将PVA/PVP/石墨烯/衬底取出，置于75℃的去离子水中，清除PVA/PVP胶体后，去离子水清洗5次，烘箱烘干。本发明具有保护胶残留较少，无重金属残留，有机溶剂残留少、转移石墨烯用时少、成本低，转移墨烯质量较高等优点。
一种 cvd 石墨烯干法转移方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 49 条