专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果123个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]MOS器件的制备方法-CN202211039188.1在审
  • 武浩;蒙飞;谭艳琼 - 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-08-29 - 2022-11-18 - H01L21/8234
  • 本申请公开了一种MOS器件的制备方法,包括:去除第一目标区域的多晶硅层和第一氧化层;形成第二氧化层,第二氧化层覆盖多晶硅层、第一氧化层和衬底暴露的表面;去除多晶硅层顶部和第一目标区域中预定区域的第二氧化层,剩余的第二氧化层在多晶硅层和所述第一氧化层的侧表面形成第一隔离层;去除第二目标区域的多晶硅层和第一氧化层;形成第三氧化层,第三氧化层覆盖栅极、栅介质层、第一隔离层和衬底暴露的表面;去除栅极顶部和第一目标区域、第二目标区域中预定区域的第三氧化层,剩余的第三氧化层在栅极的一侧形成栅极的外侧墙,剩余的第三氧化层在栅极另一侧形成第二隔离层,第一隔离层和第二隔离层形成栅极的内侧墙。
  • mos器件制备方法
  • [发明专利]钝化层测试结构-CN202011177837.5有效
  • 蒙飞 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2020-10-27 - 2022-11-18 - H01L21/66
  • 本发明提供了一种钝化层测试结构。所述钝化层测试结构包括:衬底,所述衬底的至少一部分表面上形成有结构层,所述结构层包括多根导电线,所述导电线包括至少一个台阶型结构;所述衬底和所述结构层的表面形成有钝化层。本发明提供的所述钝化层测试结果通过提供一种台阶型的钝化层测试结构,有效地检测了钝化层的特殊位置,尤其是钝化层的拐角区域是否存在缺陷,从而检验了半导体器件中钝化层的完整性。与现有的钝化层测试结构相比,采用本发明提供的钝化层测试结构进行钝化层完整性测试的测试结果具有更高的可靠性。
  • 钝化测试结构
  • [实用新型]一种水泥罐车清洗系统-CN202222105830.3有效
  • 蒙飞;王珂;朱玲;朱延斌;狄立榆 - 陕西建工集团混凝土有限公司
  • 2022-08-10 - 2022-11-08 - B60S3/04
  • 本申请涉及一种水泥罐车清洗系统,涉及混凝土加工领域,一种水泥罐车清洗系统包括洗车台和设置于所述洗车台上的洗车架,所述洗车架上设置有用于清洗车辆的清洗组件,所述洗车台上开设有引水槽,所述洗车台一侧设置有与所述引水槽连通的沉淀池、以及与所述沉淀池连通的蓄水池,所述蓄水池内设置有与所述清洗组件连接的送水组件,通过所述送水组件将所述蓄水池内的水输送至所述清洗组件。本申请将水泥罐车清洗后的污水进行循环利用,节约水资源,避免了水资源的浪费。
  • 一种水泥罐车清洗系统
  • [发明专利]半导体器件的形成方法-CN202110090008.1有效
  • 刘张李;蒙飞;刘宪周 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2021-01-22 - 2022-11-04 - H01L21/762
  • 本发明提供一种半导体器件的形成方法,通过先形成浅沟槽隔离结构,所述浅沟槽隔离结构贯穿半导体层;然后,依次刻蚀所述浅沟槽隔离结构及绝缘层,以形成深沟槽;形成金属硅化物层,所述金属硅化物层覆盖所述深沟槽的底壁及所述半导体层的顶表面;形成介质层,所述介质层填充所述深沟槽并覆盖所述金属硅化物层;对所述介质层执行平坦化工艺,并停止在位于所述半导体层上方的所述介质层中。由于在对所述介质层执行平坦化工艺时,所述平坦化工艺停止在位于所述半导体层上方的所述介质层中,即在所述半导体层上方保留一部分厚度的所述介质层,由此,可以避免平坦化工艺损伤所述半导体层的形貌,从而提高半导体器件的性能。
  • 半导体器件形成方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210834385.6在审
  • 裴梓任;蒙飞;刘张李;孙涛 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2022-07-14 - 2022-10-14 - H01L27/12
  • 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法,包括:SOI衬底,包括从下至上依次设置的第一半导体层、埋氧层及第二半导体层;凹槽,位于所述SOI衬底内,贯穿所述第二半导体层及所述埋氧层以露出所述第一半导体层;栅极结构,位于所述第二半导体层上并覆盖部分所述第二半导体层;外延层,位于所述凹槽内且至少填充所述凹槽的部分深度;介质层,整面覆盖所述栅极结构、所述外延层及剩余的所述第二半导体层;若干插塞,分别与所述外延层及所述栅极结构电性连接。外延层上的插塞将第一半导体层内的累积电荷导出,外延层的设置可以减小各插塞之间的高度差,进而减小插塞形成的工艺难度,避免所述插塞之与所述第一半导体层的接触不良。
  • 一种半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]衬底的APC方法-CN202210884807.0在审
  • 刘洋;蒙飞 - 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-07-26 - 2022-10-14 - H01L21/3115
  • 本发明提供一种衬底的APC方法,包括:提供一衬底,所述衬底从下往上依次包括:堆叠的底部子衬底层、中间氧化层和顶部子衬底层;对衬底进行有源区工艺,此时,所述衬底上形成有预先氧化层;根据顶部子衬底层的厚度,获取APC工艺时间;根据APC工艺时间,调整预先氧化层的厚度以得到牺牲氧化层;利用牺牲氧化层,对衬底执行离子注入工艺。本申请通过在对所述衬底执行离子注入工艺之前,直接根据顶部子衬底层的厚度和APC工艺系数,提前获取APC工艺时间,动态调整不同器件区和/或不同批次中的预先氧化层的厚度,简化了APC工艺,从而在薄膜器件的CMOS工艺中的离子注入前改善因不同批次衬底本身膜厚差异带来的器件性能波动影响。
  • 衬底apc方法
  • [发明专利]一种射频开关电路-CN202210898671.9在审
  • 孙华圳;蒙飞 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-07-28 - 2022-10-14 - H03K17/081
  • 本发明提供了一种射频开关电路,包括:第一支路及第二支路;其中,所述第一支路包括若干第一晶体管,所述第一晶体管的源极与漏极依次连接,第一个所述第一晶体管的漏极连接信号输入端,最后一个所述第一晶体管的源极连接天线;所述第二支路包括若干第二晶体管,所述第二晶体管的源极与漏极依次连接,第一个所述第二晶体管的漏极接地,最后一个所述第二晶体管的源极连接信号输入端;在所有所述第一晶体管中,越靠近所述天线的所述第一晶体管的栅极的横向宽度越大,通过改变晶体管栅极结构的宽度改变晶体管的耐压能力,避免射频开关电路中各级晶体管分压不均导致的高压击穿。
  • 一种射频开关电路
  • [发明专利]射频开关及其制备方法-CN202210435369.X在审
  • 孙华圳;蒙飞 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-04-24 - 2022-07-29 - H01L27/06
  • 本发明提供了一种射频器件及其制备方法,包括:衬底,所述衬底具有沿第一方向依次排布的控制区、净空区和射频区,所述净空区沿第二方向延伸;控制器件和射频器件,分别位于所述控制区和所述射频区内的所述衬底上;若干隔离结构,沿所述第二方向并排分布在所述净空区的所述衬底上;介质层,位于所述衬底上,且顺形覆盖所述控制器件、所述射频器件及所述净空区剩余的所述衬底,所述介质层的介电常数大于所述隔离结构的介电常数。所述隔离结构可以减小所述控制器件与所述射频器件之间的电容耦合作用,从而减少信号间串扰,对信号产生较好的隔离效果。
  • 射频开关及其制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top