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[发明专利]互联层中空气间隙的形成方法-CN202310944337.7在审
发明人： 裴梓任;蒙飞;张培根;汤嘉伟 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种互联层中空气间隙的形成方法，包括：在半导体基底上形成第一介质层；在第一介质层内形成第M‑1金属层，包括若干第一金属线；在第一介质层和第M‑1金属层上形成第二掺氮碳化硅层和第二介质层；在第二介质层内通过大马士革的方法形成第M金属层和通孔结构，通孔结构穿过第二掺氮碳化硅层连通第M‑1金属层，第M金属层包括若干第二金属线；在第一介质层和第二介质层的重叠处，从第二介质层的表面刻蚀第二介质层和第一介质层，以形成同时位于相邻第一金属线之间以及相邻第二金属线之间的深沟槽；在第二介质层和第二金属层上形成第三介质层，第三介质层同时封闭深沟槽的开口，以形成空气间隙。
互联层中空气间隙形成方法

[发明专利]射频开关管及其制造方法-CN202211520453.8在审
发明人：杨忠博;蒙飞;刘张李;裴梓任 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供一种射频开关管，包括衬底，衬底上依次形成有多个半导体器件结构；其中，部分半导体结构上均包括：栅极结构以及形成于栅极结构两侧的源区和漏区；覆盖栅极结构的刻蚀停止层；形成于刻蚀停止层上的第一层间介质层；分别用于引出源区和漏区的第一、二金属层；形成于第一、二金属层、第一层间介质层上的第一介质阻挡层，以及形成于第一介质阻挡层上的第二层间介质层，第一、二层间介质层的材料均为低介电常数；第二层间介质及其下方的第一介质阻挡层上形成有第一凹槽，第一凹槽中填充有第三金属层，第三金属层分别与第一、二金属层电性连接。本发明只需使用一层光刻，使成本大大降低；对器件的谐波性能不会造成大的影响。
射频开关及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210834385.6在审
发明人： 裴梓任;蒙飞;刘张李;孙涛 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：SOI衬底，包括从下至上依次设置的第一半导体层、埋氧层及第二半导体层；凹槽，位于所述SOI衬底内，贯穿所述第二半导体层及所述埋氧层以露出所述第一半导体层；栅极结构，位于所述第二半导体层上并覆盖部分所述第二半导体层；外延层，位于所述凹槽内且至少填充所述凹槽的部分深度；介质层，整面覆盖所述栅极结构、所述外延层及剩余的所述第二半导体层；若干插塞，分别与所述外延层及所述栅极结构电性连接。外延层上的插塞将第一半导体层内的累积电荷导出，外延层的设置可以减小各插塞之间的高度差，进而减小插塞形成的工艺难度，避免所述插塞之与所述第一半导体层的接触不良。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210083459.7在审
发明人： 裴梓任;蒙飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底，所述衬底上具有介质层，所述介质层内具有栅极结构及若干顶层金属互连结构；沟槽，从所述介质层的顶面延伸至所述介质层内，且位于相邻的所述顶层金属互连结构之间；MIM电容结构，位于所述沟槽内，且向上延伸至高于所述介质层的顶面；绝缘层，覆盖所述衬底及所述MIM电容结构。在所述介质层内形成所述沟槽，通过在所述沟槽内形成所述MIM电容结构，降低所述MIM电容结构与所述介质层之间的高度差，在不改变原有金属互连结构各膜层厚度的情况下，使所述绝缘层的厚度可以满足在T2Mx类型的顶层金属互连结构上制备所述MIM电容的工艺。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种射频开关及其制备方法-CN202210058557.5在审
发明人： 裴梓任;蒙飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种射频开关及其制备方法，包括：衬底，所述衬底内具有若干深沟槽；外延层，覆盖所述深沟槽的内壁并延伸覆盖所述衬底；沟槽隔离结构，位于所述深沟槽内并至少遮盖所述深沟槽的开口，以使所述深沟槽内形成第一空气隙；栅极结构，位于所述外延层上，且位于相邻的所述深沟槽之间。由于所述第一空气隙的介电常数很低，所述第一空气隙及所述沟槽隔离结构对所述衬底与所述外延层起到了很好的隔离效果，避免当所述射频开关处于关断状态时仍有信号在所述衬底上传输的情况发生，使所述射频开关具有更好的隔离度，提升所述射频开关的性能。
一种射频开关及其制备方法

[实用新型]一种可调谐双层金属光栅偏振器-CN201320357068.6有效
发明人： 裴梓任;黄元申;胡艾青;王中飞;凌进中;王琦;张大伟;庄松林 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：一种可调谐双层金属光栅偏振器，包含：具有相同结构参数的上下正对的二个金属光栅层、固定二个金属光栅层间距的金属片以及连接金属片的控温单元，二个金属光栅层和金属片形成一个密封腔，在恒压条件下，控温单元通过控制密封腔内的空气的温度来调节空气的折射率，从而在获得高透过率和高消光比的同时，还可以根据实际需要精确调节透过率和消光比，是一种可调谐高消光比高透过率的双层金属光栅偏振器，操作和调节容易，具有实用性。
一种调谐双层金属光栅偏振

[发明专利]凹面光栅衍射特性检测装置-CN201310058088.8有效
发明人：杨海马;黄元申;张大伟;杨晖;洪瑞金;赵曼彤;裴梓任;刘瑾;马彩文;王建宇 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：一种凹面光栅衍射特性检测装置，其特征在于，包括：单色光发射部；检测对象安装部，被设置在所述单色光的光路上；探测部，用于探测所述单色光经过所述凹面光栅或所述凹面标准反射镜后所形成的出射光；驱动参数存储部，用于存储决定所述固定部和所述探测器位置的位置参数；驱动部；获取计算机部，用于获取所述探测器探测到的光学参数并且根据所述光学参数来进行采集、记录、分析以及处理；控制部。
凹面光栅衍射特性检测装置

[发明专利]用于检测液体折射率的传感器-CN201310360490.1有效
发明人： 裴梓任;黄元申;王中飞;凌进中;王琦;张大伟;庄松林 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：用于检测液体折射率的传感器，包括：第一金属光栅偏振器，包含透明平面基底以及在基底上形成的金属光栅层；第二金属光栅偏振器，与第一金属光栅偏振器结构完全相同，并布置成与第一金属光栅偏振器平行隔开并成正对关系；设置在第一金属光栅偏振器外侧的光源，光源发出的光线具有恒定入射光强且垂直透过第一金属光栅偏振器并指向第二金属光栅偏振器；以及设置在第二金属光栅偏振器外侧的光电探测器，用于检测透过第二金属光栅偏振器的光线的出射光强。根据本发明的传感器结构简单、灵敏度高、检测实时并且制作简单，可广泛应用于化工、医药、食品、生物工程、石油等工业来检测液体折射率。
用于检测液体折射率传感器

[发明专利]一种可调谐高消光比金属光栅偏振器-CN201210499445.X有效
发明人：凌进中;张磊;裴梓任;钱林勇;王中飞;韩姗;王琦;黄元申;张大伟;庄松林 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G02F1/055 文献下载
摘要：本发明涉及一种可调谐高消光比金属光栅偏振器，包括具有相同结构参数的上下两层独立正对的金属光栅偏振器，可伸缩材料固定在上下两层金属光栅偏振器之间，并上下两光栅面保持平行，不同驱动电压驱动可伸缩材料，对应不同可伸缩材料长度，两金属光栅偏振器之间的距离为中间可伸缩材料的长度。此结构的金属光栅偏振器能够同时获得很高的消光比Ex和透过率TTM，并且偏振器的中心波长可调，能够在整个可见光波段内调谐。本结构只是将参数相同的两块线栅偏振器进行叠加，制作简单，容易实现，有很强的可行性。
一种调谐高消光金属光栅偏振

[发明专利]任意槽形光栅结构的全息曝光装置及其曝光方法-CN201210139805.5无效
发明人：凌进中;黄元申;王振云;王琦;裴梓任;韩朝霞;张大伟;庄松林 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明揭示了一种任意槽形光栅结构的全息曝光装置及其曝光方法，所述装置包括激光器、主分束镜；激光器发射的光束经过主分束镜分为若干束光路，每束光路均经过一子曝光单元。子曝光单元包括可调光衰减器、分束镜、第一反射镜、第二反射镜、第一准直扩束镜、第二准直扩束镜、旋转平台、压电陶瓷及驱动器、显微物镜组、CCD接收器及驱动电路、数据采集卡和计算机。本发明采用傅里叶分解的思想，实现任意槽形光栅的全息法制作。装置中设有CCD，能够实时地反映干涉条纹的振动漂移情况，并以此驱动压电陶瓷，实现干涉条纹的锁定，避免条纹抖动对长时间曝光的影响，同时根据扩束后的干涉条纹信息精确控制各组干涉条纹的位相，实现多组干涉条纹的匹配叠加。
任意光栅结构全息曝光装置及其方法

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