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[发明专利]太阳能电池，相关的制造和操作方法以及带有太阳能电池和电压源的装置-CN202010887455.5有效
发明人： 胡思福;菲利克斯·胡;胡佳洁 -专利权人：成都特频微电子科技发展有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池(2)，包括具有n区(5)和p区(6)的半导体基底(4)，在半导体基底(4)的n区侧布置的钝化层(8)，穿过钝化层(8)并接触n区(5)的引出电极(9)和栅电极(10)，其布置在钝化层(8)上，并且与半导体基底(4)和钝化层(8)一起形成光开关，该光开关设置为，当在栅电极(10)与引出电极(9)之间施加外部电压时，用光(L)照射钝化层(8)时该开关切换成非线性导电状态。
太阳能电池相关制造操作方法以及带有电压装置

[发明专利]光开关结构、相关的制造方法以及具有光开关结构和电压源的装置-CN202010887547.3有效
发明人： 胡思福;胡佳洁;菲利克斯·胡 -专利权人：成都特频微电子科技发展有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光开关结构(2)，包括具有n区(5)的半导体衬底(4)，布置在所述半导体衬底(4)的n区侧的氢化SiNx层(8)，与所述n区(5)接触的阴极(9)，和与所述SiNx层(8)接触的阳极(10)，其中，所述光开关结构(2)设置成，当在所述阳极(10)与所述阴极(9)之间施加外部电压时，用光(L)照射所述SiNx层(8)，以切换到非线性导电状态。
开关结构相关制造方法以及有光电压装置

[发明专利]一种具有厚度梯度可变的氮化硅薄膜的制作方法-CN201910400604.8有效
发明人：钟志亲;胡思福;李同彩;周梨;戴丽萍;胡加杰;菲利克斯·胡;许龙来;王姝娅;张国俊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：一种具有厚度梯度可变的氮化硅薄膜的制作方法,属于半导体技术领域的薄膜制备领域。所述具有厚度梯度的氮化硅薄膜为中间薄、边缘厚的凹形结构，其厚度从中间区域向边缘区域逐渐增加。本发明提供的一种具有厚度梯度的氮化硅薄膜的制备方法，通过在样品台上放置石英绝缘板，电隔绝等离子体增强化学气相沉积系统的阳极和阴极，使得半导体芯片中心位置处的射频偏压降低，从而显著降低中间区域的生长速率；而对于半导体芯片边缘区域，沉积的金属电极对电场的感应降低电位，相比中心位置增加了偏压，使得氮化硅薄膜的沉积速率明显高于中间区域的沉积速率，最终形成了中间薄、四周厚，具有厚度梯度的氮化硅薄膜。
一种具有厚度梯度可变氮化薄膜制作方法

[发明专利]一种微米级S‑Si半导体合金膜及其制备方法-CN201510592397.2有效
发明人：郭宝刚;胡思福;李同彩;杨永佳;刘德雄;蒋鑫;李晓红;温才;唐金龙;李同洪;刘桂枝 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种微米级S‑Si半导体合金膜，所述合金膜是由基片、S膜和Si膜组成的多晶结构；所述合金膜的薄层电阻为10～50Ω/口，在1.1～2.5μm近红外波段中，反射率为7～15%；该合金膜的制备方法包括镀膜、合金化和退火。本发明制备的半导体合金应用于光伏太阳能电池后，其在1.1‑2.5μm的近红外波段的转换效率η可提高到2%以上；该微米级S‑Si半导体合金膜环保、具有低的反射率、低的薄层电阻和在1.1‑2.5μm的近红外光波段有显著的光电转换效应，且制备方法操作简单、制备方便、成本低、适用于工业化大规模生产。
一种微米 si 半导体合金及其制备方法

[发明专利]硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法-CN201610052241.X有效
发明人：杨永佳;胡思福;李同彩;胡志伟;菲利克斯.胡;李晓红;刘德雄;温才;唐金龙;蒋鑫 -专利权人：西南科技大学;成都特频微电子科技发展有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明为硫硅半导体合金叠层太阳能电池的制作方法，解决在SF6气氛中激光掺硫形成黑硅，半导体非晶硅薄膜层硫元素的掺入量低且不稳定，在厚度到微米量级的非晶层中掺入5×1018‑1020/cm3生长周期长，效率低，近红外光波段光电转换效应非常微弱的问题。在商用太阳能电池衬底芯片表面上激光外延生长含S/Si半导体合金层0.5‑3.5µm厚度。在N2气氛中利用脉冲宽度为1‑800ns脉冲激光，控制能量密度使太阳能电池表面上含硫的Si膜材料温度达到熔点。大约宽1mm×30mm高的带状ns激光，以50‑500µm/s速度对其进行扫描，使其表面形成高浓度硫掺杂的具有多晶结构的n+(s)型硫硅半导体合金层，掺硫浓度为5×1018‑1020/cm3。n+(s)合金层与衬底电池的掺P的n(p)型层构成n+(s)/n(p)异质结。
半导体合金太阳能电池制作方法

[发明专利]一种低串联电阻S‑Si半导体合金膜太阳能电池及其制备方法-CN201610855663.0在审
发明人：李同彩;胡思福;郭宝刚;杨永佳;蒋鑫;胡志伟;李晓红;刘德雄;唐金龙 -专利权人：西南科技大学;成都特频微电子科技发展有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种低串联电阻S‑Si半导体合金膜太阳能电池及其制备方法，此新型太阳能电池的芯片的表面用纳秒激光外延生长了一层纳米晶S‑Si半导体合金膜，纳米晶S‑Si半导体合金膜的厚度为0.5~5μm，薄层电阻为0.5~50Ω/口，在全光谱范围内的反射率≤7%；本发明的低串联电阻S‑Si半导体合金膜太阳能电池表面增加一层纳米半导体合金膜，使太阳能电池芯片表面的薄层电阻由常规商用电池的30～100Ω/口降低至0.5～50Ω/口，从而使串联电阻降低一个数量级，即由3~7mΩ降低至0.1~0.5mΩ，在此基础上可以减少太阳能电池的收集栅的数量，从而增大感光面积，提高太阳能电池的转换效率，且制备方法操作简单、制备方便、成本低、适用于工业化大规模生产。
一种串联电阻 si 半导体合金太阳能电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法-CN201310398216.3有效
发明人：李同彩;胡思福;温才;唐金龙;李晓红;刘德雄;张军 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明为太阳能电池单晶硅片绒面的制备方法，解决巳有酸碱结合的单晶硅片绒面制备方法制备的单晶硅片表面反射率低的问题。清洗单晶硅片后，将其放入第一碱性溶液中，在[100]晶向的单晶硅片正面表面上形成第一层绒面，用酸性溶液清洗第一层绒面，再将单晶硅片放入第二碱性溶液中，对四棱锥的四个[111]晶面进行腐蚀，形成三角形滑移面堆积的、分层的单晶硅片的第二层绒面，这两层绒面构成太阳能电池的高效光吸收结构，用酸性溶液清洗单晶硅片的绒面，再用热氧化法或PECVD法或磁控溅射法，在多层绒面结构的表面生长厚度为0.1～0.4um的二氧化硅膜或厚度为0.08～0.15um的氮化硅增透膜。全光谱范围内的反射率显著降低，明显提高太阳能电池的转换效率。
太阳能电池单晶硅片绒面制备方法

[发明专利]太阳能电池硅片表面掺硫方法-CN201310398256.8有效
发明人：李晓红;温才;胡思福;唐金龙;杨永佳;李同彩;刘德雄;邱荣 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明为太阳能电池硅片表面掺硫方法，解决现有方法制备的太阳能电池载流子寿命低以及近红外波段的光电转化效率低的问题。包括如下步骤：用碱性溶液或反应离子刻蚀法在硅片表面制备对太阳光具有减反射功能的晶体黑硅的微结构，简称黑硅,将硅片放置于含硫气氛中，利用脉冲宽度在1ns—1000ns的脉冲激光，能量密度控制在仅使硅片表面0.5—2µm厚度内的硅材料温度达到熔点以上汽化点以下，对黑硅表面进行扫描，使硅片表面的黑硅层表面形成高浓度硫掺杂的硫硅合金层，掺硫浓度为1019—1021/cm3或硫硅原子比在0.1%—1%。
太阳能电池硅片表面方法

[发明专利]双面黑晶硅高效太阳能电池-CN201310398371.5有效
发明人：刘德雄;胡思福;李晓红;温才;唐金龙;李同彩;杨永佳;邱荣;周自刚 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明为双面黑晶硅高效太阳能电池，解决巳有太阳能电池生产效率低，不适于大面积生产，光电转换效率低的问题。从上表面至下表面包括：双层减反射薄膜（4）、正面第一负电极（5）、吸收陷光层（3）、掺磷n型层（2）、P型硅基衬底的单晶硅片（1）、掺磷n型层（2）、吸收陷光层（3）、第二负电极（8）、正负电极钝化隔离层（7）、正电极（6），P型硅基衬底的单晶硅片（1）的正反两面的掺磷n型层（2）与吸收陷光层（3）的n+层组合构成高低结（n+/n结），再与P型硅基衬底的单晶硅片（1）的晶体硅形成光电转换(n+/n)/p结构，双面太阳能电池正反面形成两个各自独立的电池。
双面黑晶高效太阳能电池

[发明专利]一种快速制备大面积均匀黑硅材料的方法和设备-CN201110260886.X无效
发明人：邱荣;李晓红;王俊波;周自刚;胡思福 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明公开的是一种利用脉冲激光光栅式扫描快速制备大面积黑硅材料的方法和设备。所述方法包括以下步骤：步骤1，将硅基片放置于黑硅制备环境中；步骤2，对激光光束整形并汇聚为带状光斑，辐照硅基片表面；步骤3，利用所述激光对硅基片表面进行光栅式扫描，在硅片表面生长微结构形成黑硅。本发明的方法和设备能够直接在2英寸、4英寸，甚至更大的硅片上通过一次性扫描制备黑硅，且制备出的黑硅表面微结构均匀性好，可以满足大批量生产的实际要求。
一种快速制备大面积均匀材料方法设备

[发明专利]半导体光电导开关及其制备方法-CN200610021332.3无效
发明人： 胡思福;胡刚 -专利权人： 胡思福;胡刚
申请日： 2006-07-06 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明为半导体光电导开关，为半导体器件，解决已有器件开关电流导通截面积小，传输电流不均匀的问题。衬底(1)的上、下表面(2)、(3)各有掺杂接触层(4)、(5)，两掺杂接触层(4)、(5)内端长度L之间的纵向截面为倾斜的电流传输面Sc，掺杂接触层(4)，(5)上有难熔金属接触层构成的电极(6)、(7)、难熔金属接触层电极(6)、(7)上各有电极引线(8)、(9)，衬底(1)的上、下表面(2)、(3)各有上、下台阶(13)、(14)掺杂接触层(4)、(5)覆盖台阶(13)、(14)表面。
半导体电导开关及其制备方法

[实用新型]一种接近式缩小光刻曝光台-CN95242587.4无效
发明人：姜念云;胡思福 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 1995-12-27 - 公布日： 1998-02-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可在接近式光刻技术条件下,进行缩小曝光的接近式缩小光刻曝光台,该装置的特点是将承片台固定在一可移动的驱动架上,用大行程连续微位移控制机构移动驱动架,使掩模面与硅片表面之间隙,按照光的近场衍射特性进行任意的大范围(0～1.2mm)调节,以使在接近式光刻技术条件下进行缩小光刻成为可能,在承片台上还安装有位移传感器,可测量间隙值,并可通过计算机确定和修正调节间隙值。
一种接近缩小光刻曝光

[其他]微细光刻技术-CN86101809无效
发明人： 胡思福 -专利权人：成都电讯工程学院
申请日： 1986-03-15 - 公布日： 1987-10-07 - 主分类号： G03F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微细光刻技术，为制造大规模集成电路、微波半导体器件、激光器、精密传感器等提供了一种新的紫外光衍射缩小曝光方法。本法不需要采用复杂的光学透镜系统，而且使图形的分辩率可达到光学投影曝光的水平，此种曝光技术具有等量缩小的特点，可按需要进行1～5倍的缩小曝光。可以加工3～0.7微米的精细图形。
微细光刻技术

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