[其他]微细光刻技术无效

专利信息
申请号: 86101809 申请日: 1986-03-15
公开(公告)号: CN86101809A 公开(公告)日: 1987-10-07
发明(设计)人: 胡思福 申请(专利权)人: 成都电讯工程学院
主分类号: G03F7/02 分类号: G03F7/02
代理公司: 成都电讯工程学院专利代理室 代理人: 马新民,詹权松
地址: 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种微细光刻技术,为制造大规模集成电路、微波半导体器件、激光器、精密传感器等提供了一种新的紫外光衍射缩小曝光方法。本法不需要采用复杂的光学透镜系统,而且使图形的分辩率可达到光学投影曝光的水平,此种曝光技术具有等量缩小的特点,可按需要进行1~5倍的缩小曝光。可以加工3~0.7微米的精细图形。
搜索关键词: 微细 光刻 技术
【主权项】:
1、一种微细光刻技术,它是通过平行紫外光透过掩模版,在近场条件下对涂有抗蚀剂的基片曝光,实现图形的加工。其特征在于所述的曝光方法为接近式衍射缩小曝光,掩模版至基片的间隙距离为0~50微米。
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