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[发明专利]氧化铪材料作栅介质层的V型沟槽MOS结构及制备方法-CN202210338996.1在审
发明人：李京波;雷剑鹏;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及氧化铪材料作栅介质层的V型沟槽MOS结构及制备方法。结构包括N+碳化硅衬底和氮化镓外延层，N+碳化硅衬底生长有生长异质结构，生长异质结构的表面上形成有槽形结构，槽形结构的上部镀有氧化铪薄膜。方法在N+碳化硅衬底上利用MOCVD设备生长氮化镓外延层；采用ICP设备通过控制刻蚀气体的比例形成合适坡度的V型沟槽，减弱普通沟槽拐角处的电场集中现象，有效提高了器件的击穿电压；利用直流磁控溅射设备，结合适当的退火工艺处理，在沟槽上沉积氧化铪薄膜，利用氧化铪材料的高介电常数特性，减弱介质层厚度对器件跨导特性的影响，并在厚度减薄的情况下有效抑制隧穿电流的产生，提高器件栅控能力。
氧化材料介质沟槽 mos 结构制备方法

[发明专利]一种射频测温系统及其温度测量方法-CN202111212035.8在审
发明人：李京波;李翎;王小周;肖宛昂 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频测温系统及其温度测量方法，射频测温系统包括：射频读写器，用于在校准模式下发送温度校准命令，在测温模式下发送测温命令并获取第一数值和第二数值；射频温度传感器标签，与射频读写器连接，用于在校准模式下根据温度校准命令采集若干校准点对应的第一数值并存储第一数值，在测温模式下根据测温命令采集并输出测温点的第二数值，同时输出第一数值。该射频测温系统将大功耗的写存储器操作在无需考虑功耗的校准阶段完成，在测温阶段避免大功耗的写存储器操作，仅进行低功耗的读存储器操作，不仅保证了射频标签的测温模式的低功耗设计，提高了射频标签测温的工作距离，而且保证了测温的准确性。
一种射频测温系统及其温度测量方法

[发明专利]一种一次性体温检测芯片及测温系统-CN202111210547.0在审
发明人：李京波;李翎;王小周;肖宛昂 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01K13/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种一次性体温检测芯片及测温系统，检测芯片包括并联的N组感温子电路，每组感温子电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第一PNP管，第一MOS管的源极连接电源电压，第一MOS管的栅极输入第一开关电压，第一MOS管的漏极连接第二MOS管的源极；第二MOS管的栅极输入第二开关电压，第二MOS管的漏极连接第三MOS管的漏极和第四MOS管的漏极；第三MOS管的栅极输入第一开关信号，第三MOS管的源极连接第四MOS管的源极、第一PNP管的发射极；第四MOS管的栅极输入第二开关信号；第一PNP管的集电极连接其基极。该芯片用PNP管作为一次性感温元件，不仅测温精度、灵敏度、效率均较高，而且不会产生交叉感染，安全系数较高，保证了工作人员的安全。
一种一次性体温检测芯片测温系统

[发明专利]空调外机侧板装配系统-CN202111314681.5在审
发明人： 王小周;周瑞文;孙西卓;魏世尚;唐鹏飞;端木志龙 -专利权人：格力电器（洛阳）有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B23P19/00 文献下载
摘要：本申请是关于一种空调外机侧板装配系统。本申请包括：侧板放置工装，夹取装置和外机传输装置；侧板放置工装包括：N个放置单元，放置单元包括有U型槽和角铁；外机传输装置包括：外机定位模块，外机定位模块用于定位在外机传输装置传输的待装配外机；夹取装置包括：侧板夹爪，侧板夹爪用于插入两个所述放置单元间的镂空结构中进行侧板夹取，并将侧板夹取到待装配外机的装配位上进行装配。本申请提供的方案，能够能够代替人工，将叠放在侧板放置工装的放置单元内的侧板，通过侧板夹爪便捷的夹取每一个侧板，然后将侧板夹取至待装配外机的装配位上完成侧板的装配。
空调外机侧板装配系统

[发明专利]包含肖特基二极管的电路及相关应用-CN202110844173.1在审
发明人：赵艳;张建岗;郑丹;唐猛;王小周;宋江明 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含肖特基二极管的电路及相关应用，该电路，包括肖特基二极管，所述肖特基二极管的肖特基接触电极位于所述二极管的N型外延层的中间区域；所述N型外延层上表面的外边缘具有第一环形阶梯，所述第一环形阶梯的台阶面从下到上设置有第一P型注入区和第一P型终端；所述N型外延层上表面的中间区域的内边缘具有第二环形阶梯，所述第二环形台阶的至少一个台阶面设置有第二P型终端，所述第二环形阶梯底部设置有第二P型注入区。本发明实施例提供的电路，由于采用的肖特基二极管可靠性高，因此，整个电路的使用可靠性好。
包含肖特基二极管电路相关应用

[发明专利]一种包含肖特基二极管的电路及相关应用-CN202110844178.4在审
发明人：魏文东;赵艳;唐猛;王小周;张建刚;郭昭利 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含肖特基二极管的电路及相关应用，该电路包括肖特基二极管，所述肖特基二极管的N型外延层从上到下设置有同轴线的环形的若干隐埋终端保护区，并绕设于所述肖特基接触电极的外围；所述若干隐埋终端保护区的内径从上到下依次增大，且位于下方的隐埋终端保护区的内环直径大于位于上方的隐埋终端保护区的外环直径。本发明实施例所提供的电路，二极管元器件的可靠性好，从而提高了尖峰吸收电路的使用可靠性；并且，由于二极管器件整体的制备难度，从而使得尖峰吸收电路的制造成本下降。
一种包含肖特基二极管电路相关应用

[发明专利]一种碳化硅基氮化镓微米线阵列光电探测器及制备方法-CN202110920115.2在审
发明人：李京波;孙一鸣;王小周 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅基氮化镓微米线阵列光电探测器及制备方法，该探测器包括：碳化硅衬底；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述碳化硅衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干凹槽结构；氮化镓微米线，形成在所述凹槽结构内，并且所述微米线延伸方向与凹槽结构延伸方向一致；氮化铝缓冲层，形成在所述凹槽结构的氮化镓微米线下方；若干叉指电极，设置在所述氮化镓微米线和所述二氧化硅绝缘层上方且与所述凹槽结构方向平行。该光电探测器的光/暗电流高、响应迅速、开/关电流比高以及探测范围广等良好特性，并且器件结构易于生长制造。
一种碳化硅氮化微米阵列光电探测器制备方法

[发明专利]一种基于氮化镓微米线高电子迁移率晶体管阵列及制备方法-CN202110920133.0在审
发明人：李京波;孙一鸣;王小周 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化镓微米线高电子迁移率晶体管阵列及制备方法，该阵列包括：衬底，所述衬底为单面抛光硅片；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干条状凹槽；多条微米线，设置在每个所述条状凹槽内；电极结构，设置在所述多条微米线和所述二氧化硅绝缘层上方且与所述条状凹槽方向垂直，所述电极结构包括依次平行设置的漏电极、栅电极和源电极；其中，所述微米线为梯形结构，依次包括AIN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层。本发明具有生长工艺简单、无引入刻蚀、成本较低、工艺重复性和一致性高等优点，同时GaN微米线可充分利用自身的优点，使得一维材料走向实用器件，具有巨大的潜力。
一种基于氮化微米电子迁移率晶体管阵列制备方法

[发明专利]一种梯形氮化镓微米线阵列光电探测器及其制备方法-CN202110920163.1在审
发明人：李京波;孙一鸣;王小周 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯形氮化镓微米线阵列光电探测器及其制备方法，该探测器包括：硅衬底；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述硅衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干凹槽结构；氮化镓微米线，形成在所述凹槽结构内，并且所述微米线延伸方向与凹槽结构延伸方向一致，并且使得氮化镓微米线高于所述二氧化硅绝缘层；氮化铝缓冲层，形成在所述凹槽结构的氮化镓微米线内部；若干金属电极，设置在所述氮化镓微米线和所述二氧化硅绝缘层上方且与所述凹槽结构方向垂直。该光电探测器的光/暗电流高、响应迅速、开/关电流比高以及探测范围广等良好特性，并且器件结构易于生长制造。
一种梯形氮化微米阵列光电探测器及其制备方法

[发明专利]碳化硅基铝镓氮/氮化镓微米线HEMT功率器件及制备方法-CN202110920167.X在审
发明人：李京波;孙一鸣;王小周 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅基铝镓氮/氮化镓微米线HEMT功率器件及制备方法，该器件包括：碳化硅衬底；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述碳化硅衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干凹槽结构；微米线，形成在所述凹槽结构内，并且所述微米线延伸方向与凹槽结构延伸方向一致，所述微米线包括铝镓氮层和氮化镓层；氮化铝缓冲层，形成在所述凹槽结构的铝镓氮层内部；电极，设置在所述多条微米线和所述二氧化硅绝缘层上方且与所述凹槽结构方向垂直，其中，所述凹槽结构的横截面为长方形，所述微米线的横截面的形状为梯形。该器件具有较高的电子迁移率、开关速度快，同时可以在高温下工作，导热性能良好，制造工艺简单等优异特性。
碳化硅基铝镓氮氮化微米 hemt 功率器件制备方法

[发明专利]一种氧化镓超级结肖特基二极管及其制备方法-CN202110758698.3在审
发明人：李京波;王小周;赵艳;高歌;李翎 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓超级结肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括：选取衬底并在衬底上生长N型外延层；在N型外延层的上表面预定区域注入离子，形成两个N型注入区；在两个N型注入区之间的N型外延层的上表面注入离子，形成P型注入区；在P型注入区上表面注入离子，形成P+注入区；在N型注入区上表面开设T型沟槽，并在T型沟槽中沉积金属，形成左电极和右电极；在N型注入区和P+注入区的上方形生长上接触电极；在衬底的下表面生长下接触电极；在上接触电极的上表面生长荧光层。该肖特基二极管结合了超结结构的耐高电压以及结势垒肖特基二极管的低反向漏电电流，使其有高击穿电压并且减少了表面电场。
一种氧化超级结肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种三栅Ga2-CN202110759590.6在审
发明人：李京波;王小周;赵艳;齐红基;曹茗杰 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种三栅Ga2O3横向MOSFET功率器件及其制备方法，所述器件包括Ga2O3衬底、Ga2O3外延层、两个P型阱区、P型控制区、n+型源区、沟道区、栅极、源极和漏极，其中，Ga2O3衬底上开设有衬底凹槽，Ga2O3外延层设置在衬底凹槽中；两个P型阱区和P型控制区分别设置在Ga2O3外延层的上表面，且P型控制区设置在两个P型阱区之间，n+型源区和沟道区间隔分布在P型阱区的上表面；栅极包括顶栅和两个侧栅，两个侧栅分别设置在沟道区的两侧，顶栅设置在沟道区的上方，顶栅两端分别与两个侧栅接触；漏极设置于Ga2O3衬底的下表面，源极覆盖于整个器件的上表面。本发明采用重掺杂N型Ga2O3作为衬底，具有较好的热稳定性，可以显著提升器件承受的功率和运行的温度。
一种 ga base sub

[发明专利]一种PIN肖特基二极管的氧化镓MOSFET及制备方法-CN202110764204.2在审
发明人：李京波;王小周;赵艳;曹茗杰 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种PIN肖特基二极管的氧化镓MOSFET及制备方法，氧化镓MOSFET包括：N型区、P型阱区、N+源极区、栅极、第一场氧化物层、源极和漏极，P型阱区位于N型区的表层中；栅极位于P型阱区的表层中；N+源极区位于P型阱区的表层中，且位于栅极的两侧，与栅极相距一定距离；第一场氧化物层位于栅极的上方；源极位于P型阱区的上方和第一场氧化物层的表面，源极具有一体化连接的延展结构，延展结构贯穿第一场氧化物层、栅极和P型阱区且与N型区接触；漏极位于N型区下表面；N型区、P型阱区的材料包括Ga2O3，N+源极区的材料包括SiC。该氧化镓MOSFET中，N型区和P型阱区的材料采用Ga2O3，可以显著提升器件承受功率和运行温度，使器件具有更强的稳定性和可靠性。
一种 pin 肖特基二极管氧化 mosfet 制备方法

[发明专利]一种高质量氧化镓半导体器件及制备方法-CN202110765248.7在审
发明人：李京波;王小周;赵艳;齐红基;李翎;任家呈 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量氧化镓半导体器件及制备方法，该氧化镓半导体器件包括：Ga2O3衬底、场区、底栅介质层、第一金属层、第二金属层、源区、漏区和第三金属层，其中，场区嵌入Ga2O3衬底的端部，底栅介质层位于Ga2O3衬底的下方，第一金属层位于底栅介质层的下方，第二金属层位于第一金属层的下方，源区位于Ga2O3衬底的表层中且与Ga2O3衬底一端的场区相邻，漏区位于Ga2O3衬底的表层中且与Ga2O3衬底另一端的场区相邻，第三金属层位于场区之间且覆盖源区和漏区。该半导体器件采用氧化镓衬底，Ga2O3衬底在进行高温处理时不会产生多余的杂质，有效去除了杂质对半导体器件的性能的影响，提升了器件的电学及耐压性能。
一种质量氧化半导体器件制备方法

[发明专利]一种基于金刚石终端结构的4H-SiC肖特基二极管及制作方法-CN202110645744.9在审
发明人：李京波;王小周;赵艳 -专利权人：浙江芯国半导体有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于金刚石终端结构的4H‑SiC肖特基二极管及制作方法，该肖特基二极管包括：SiC外延层；有源区，位于SiC外延层的表层中；终端区，位于SiC外延层中且位于有源区的两侧，其中，终端区包括若干第一金刚石终端结构和若干第二金刚石终端结构，若干第一金刚石终端结构间隔排列，若干第二金刚石终端结构间隔排列，且若干第一金刚石终端结构和若干第二金刚石终端结构上下交替分布，若干第一金刚石终端结构与SiC外延层之间、若干第二金刚石终端结构与SiC外延层之间均形成pn结。该肖特基二极管中表面电场被集中逐步引入到器件体内，避免了器件提前击穿现象，提高器件的可靠性，提高了器件在正常的静态特性下的反向耐压能力。
一种基于金刚石终端结构 sic 肖特基二极管制作方法

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