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[发明专利]一种基于木材加工用废气处理的喷漆设备-CN201810876698.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： B05B14/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于木材加工用废气处理的喷漆设备，其结构包括油漆储箱、油漆喷嘴、喷枪扳机、喷漆枪体、喷幅调节钮、防滑手柄，本发明实现了对油漆产生的有异味的气体进行过滤除味处理，净化空气，避免污染环境，减轻有害气体对人体的危害，由于喷枪扳机将油漆储箱中的油漆抽入至传输管道中，油漆气体通过设置滤味层与其内部设置的活性炭球，使油漆的气味与某些不能被过滤的杂质能够被吸附，并且能够过滤掉油漆中存在的细小微粒，使油漆更加无害，有效的将产生的有害气体进行及时吸取排出，大大降低了长期从事此类工作对身体造成的伤害。
一种基于木材工用废气处理喷漆设备

[发明专利]一种耐电压结构及其制备方法-CN201811022174.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐电压结构，N型的衬底，形成在所述衬底上的N型的第一外延层，自所述第一外延层的上表面向所述第一外延层内形成的第一沟槽，所述第一沟槽的侧壁形成P型的扩散区，形成在所述第一外延层上及第一沟槽内的N型的第二外延层，形成在所述第二外延层上的绝缘层，自所述绝缘层向下延伸至所述第二外延层内的P型的第一注入区、第二注入区和第三注入区，所述第一注入区位于所述扩散区的上方。本发明还公开了上述耐电压结构的制备方法。其离子浓度容易控制，且分压能力好。
外延层注入区耐电压绝缘层扩散区衬底制备向下延伸上表面侧壁分压离子

[发明专利]一种功率器件保护芯片及其制作方法-CN201811024183.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件保护芯片及其制作方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上表面形成第二导电类型的第二外延层；在所述第二外延层上表面形成第一导电类型的第三外延层；形成贯穿所述第三外延层和所述第二外延层延伸至所述第一外延层的第一沟槽；在所述第一沟槽内形成第一导电类型的第四外延层；在所述第一沟槽的侧壁形成第一介质层；在所述第四外延层内形成第二导电类型的第一注入区和第一导电类型的第二注入区；在所述第三外延层上表面形成第二介质层；在所述第三外延层上表面形成第一电极；在所述衬底下表面形成第二电极。本发明降低了工艺难度，从而提高了芯片的性能。
外延层第一导电类型上表面功率器件保护导电类型芯片介质层注入区衬底上表面衬底下表面第二电极第一电极工艺难度侧壁衬底制作贯穿生长延伸

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201811024343.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其包括衬底、形成在衬底的阱区、间隔形成在阱区内的第一扩散层、第二扩散层及第三扩散层、分别形成在第一扩散层、第二扩散层及第三扩散层上的补偿层、形成在补偿层上并分别与第一扩散层、第二扩散层及第三扩散层的上表面相连的的第一氧化层、第二氧化层及第三氧化层、形成在第一氧化层与第二氧化层之间的第一掺杂区、形成在第二氧化层与第三氧化层之间的第二掺杂区、形成在第一掺杂区上的薄氧化层、形成在薄氧化层上及部分位于第二氧化层上的多晶硅层，第一掺杂区与补偿层及第一扩散层电连接，第二掺杂区与补偿层、第二扩散层及第三扩散层电连接。本发明还提供半导体器件的制备方法，提高了击穿电压和工作性能。
扩散层氧化层掺杂区补偿层半导体器件薄氧化层电连接衬底制备多晶硅层工作性能击穿电压上表面阱区

[发明专利]一种芯片结构-CN201811022180.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片结构，其包括有源区及终端区，所述终端区环绕在所述有源区的周侧，所述终端区包括外接区和非外接区，所述外接区与芯片外部的金属层相连，所述芯片结构包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层；自所述终端区对应的外延层的上表面延伸至所述外延层的内部的环形结终端结构；形成在所述终端区对应的外延层的上表面的结终端氧化层；形成在所述结终端氧化层的上表面的间隔设置的三个环形的金属场板；填充在外接区的所述金属场板的间隙中的且与所述金属场板短接的金属层。所述芯片结构可以在内部直接串联或并联其他器件。
终端区芯片结构上表面外延层外接金属场板第一导电类型结终端金属层氧化层衬底源区间隔设置直接串联终端结构环形结并联短接填充环绕芯片外部延伸

[发明专利]一种功率器件及其制作方法-CN201811022181.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种功率器件及其制作方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在第一导电类型的第一外延层内形成第二导电类型的第一注入区和第二注入区；在所述第一外延层上形成第一导电类型的第二外延层；在第一沟槽内交替形成第一导电类型的第三外延层以及第二导电类型的第四外延层；在所述第二外延层内形成第二导电类型的第三注入区；在所述第三注入区内形成第一导电类型的第四注入区及第二导电类型的第五注入区；在所述第二外延层上表面形成第二介质层；形成连接所述第一注入区的第二多晶硅层；在所述第二介质层上表面形成源极；在所述第二介质层内形成与所述第二多晶硅层连接的栅极；在所述衬底的下表面形成漏极；从而降低功率器件的开关损耗。
外延层注入区第一导电类型导电类型介质层多晶硅层功率器件上表面衬底降低功率交替形成开关损耗下表面漏极源极制作

[发明专利]一种晶体管的制作方法-CN201810927547.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体管的制作方法，所述制作方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的第一表面生长具有第二导电类型的外延层；在所述外延层内形成第一沟槽，所述第一沟槽贯穿所述外延层且一端与所述衬底相连接；在所述外延层的侧壁上形成侧墙，所述侧墙形成于所述沟槽内且一端接触于所述衬底；在所述沟槽内形成发射区；所述发射区包括在所述衬底的第一表面向上依次形成的第一隔离层，发射极层以及第二隔离层；除去所述侧墙，形成基区沟槽；在所述基区沟槽内形成第一导电类型的基区。本发明提出的晶体管结构简单，放大系数稳定。
衬底外延层侧墙基区第一导电类型第一表面发射区隔离层晶体管制作晶体管结构导电类型发射极层放大系数侧壁生长贯穿

[发明专利]一种三极管及其制作方法-CN201810879777.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种三极管及其制作方法，所述三极管包括：第一导电类型的衬底；形成在所述衬底上的第一导电类型的外延层；形成在所述外延层内的沟槽；形成在所述沟槽底部以及侧壁的第一导电类型的发射区；形成于所述外延层内且包围所述沟槽的第二导电类型的基区；形成于所述外延层区域内连接所述基区的基极接触区；所述基区的形成步骤包括：在所述沟槽底部及侧壁上形成第二导电类型的第一多晶硅层；做所述第一多晶硅层的高温氧化工艺，使得所述第一多晶硅层氧化为第一氧化层，所述第一多晶硅层内的杂质向所述外延层扩散，形成包围所述沟槽的第二导电类型基区。所述三极管的基区与发射区之间具有良好界面态，放大系数稳定。
基区多晶硅层三极管外延层第一导电类型导电类型发射区侧壁衬底高温氧化工艺包围基极接触区外延层区域放大系数界面态内连接氧化层制作扩散

[发明专利]一种晶体管及其制作方法-CN201810872539.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管及其制作方法，该方法包括：提供衬底和外延层；在所述外延层上表面形成第一沟槽，其底部及侧壁形成栅氧化层并填充多晶硅以形成栅极结构；在所述外延层上表面形成第二沟槽；在所述第二沟槽底部及侧壁形成第二导电类型的体区；在所述第二沟槽内形成第二导电类型的深体区；在所述体区和所述深体区形成第一导电类型的源区；在所述外延层上表面形成介质层；在所述晶体管的上表面形成源极金属层，在所述晶体管下表面形成漏极金属层。本发明从优化功率器件的制作流程和改变功率器件的结构出发，通过形成精确的第二沟槽及第二沟槽形成的深体区，使得器件的开启电压更加稳定，减小体区电阻，提升了器件EAS能力。
上表面外延层晶体管深体体区导电类型功率器件侧壁制作第一导电类型漏极金属层源极金属层沟槽形成开启电压栅极结构栅氧化层多晶硅介质层下表面衬底电阻减小源区填充优化

[发明专利]一种机械圆块零件打磨用气缸-CN201810891403.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本发明涉及气缸技术领域，尤其涉及一种机械圆块零件打磨用气缸。本发明要解决的技术问题是气缸固定机械圆块有弊端。为了解决上述技术问题，本发明提供了一种机械圆块零件打磨用气缸，包括气缸本体，其特征在于：所述气缸本体上的活塞杆的一端裸露在其外部，所述活塞杆的顶端固定连接有载盘，所述载盘顶部的边缘处活动连接有若干个下曲板，所述下曲板的顶端与上曲板的底端活动连接，且若干个上曲板的顶端分别与活盘底部四周的边缘活动连接，所述下曲板与上曲板相对的一侧通过弧形弹簧连接。该发明中下曲板与上曲板之间的对折距离可作为活塞杆与圆块之间的过度间距，从而能够避免冲压力过大而对圆块的表面造成损坏。
圆块气缸曲板活塞杆下曲板打磨活动连接气缸本体活动连接有对折固定机械弧形弹簧边缘处冲压力底端活盘载盘裸露外部

[发明专利]一种全自动中药制丸机-CN201810863220.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： A61J3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种全自动中药制丸机，包括第一箱体，所述第一箱体的内部设置有输送管和搅拌筒，所述搅拌筒的一侧外壁上安装有活塞腔，所述活塞腔的内部设置有活塞，所述活塞上远离搅拌筒的一侧外壁上焊接有活塞杆，所述活塞杆上远离活塞的一端焊接有把手，所述活塞腔的内部底部开设有出料口，本发明设置了毛刷、出丸板、储物盒、侧板和固定座，在使用时，毛刷将搓丸刀上的药渣扫落至出丸板，毛刷扫落下的药渣通过侧板掉入储物盒，成型的药丸无法通过侧板之间的间隙，一方面可以将药丸中的药渣除去，减少后续加工的麻烦，省时省力，提高工作效率，另一方面收集后的药渣可以倒入搅拌筒再利用，避免药品浪费，节约成本。
搅拌筒药渣活塞活塞腔侧板毛刷中药制丸机内部设置药丸储物盒活塞杆外壁焊接工作效率后续加工出料口搓丸刀固定座输送管再利用落下省力省时成型把手节约

[发明专利]一种功率二极管及其制作方法-CN201810800736.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种功率二极管及其制作方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上表面注入形成第二导电类型的埋层；在所述第一外延层上表面形成第一导电类型的第二外延层；在所述第二外延层上表面注入形成第一导电类型的第一注入区；在所述第二外延层内与所述埋层相对应的位置形成第二导电类型的第二注入区，且所述第二注入区与所述埋层连接；在所述第二外延层内位于所述第二注入区的上方形成第二导电类型的第三注入区，所述第二注入区与所述第三注入区连接；在所述第二外延层上表面形成第一电极；在所述衬底的下表面形成与所述衬底连接的第二电极，从而降低通态压降，提高击穿电压。
外延层注入区第一导电类型上表面导电类型衬底埋层功率二极管衬底上表面第二电极第一电极击穿电压通态压降下表面制作生长

[发明专利]一种市政建筑工程使用的基于螺旋片的混凝土搅拌机-CN201810764788.1在审
发明人：陈小玉;朱琳;寇玲 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： B28C5/20 文献下载
摘要：本发明属于搅拌机技术领域，尤其涉及一种市政建筑工程使用的基于螺旋片的混凝土搅拌机，它包括搅拌壳、调节机构、螺旋搅拌片、弧形刮片、螺纹杆、螺纹套，当使用本发明设计的搅拌机时，在使用之前，通过调节机构将搅拌壳上所开的填料口朝上；然后通过装料机构将混凝土的原料通过搅拌壳上的填料口装入搅拌壳内；本发明设计的搅拌机通过设计的弧形刮片可以对粘在搅拌壳内圆面上的混凝土进行清理；防止粘在搅拌壳内圆面上的混凝土未被充分搅拌而影响混凝土的正常使用；同时如果搅拌壳内圆面上粘上未被充分搅拌的混凝土，在卸载混凝土时，粘在搅拌壳内圆面上未被充分搅拌的混凝土就会掉落到搅拌充分的混凝土内，对混凝土的整体质量造成影响。
混凝土内圆混凝土搅拌机搅拌机弧形刮片螺旋片填料口建筑工程搅拌机技术领域螺旋搅拌片影响混凝土市政装料机构螺纹杆螺纹套掉落朝上卸载装入

[发明专利]一种桶装牛奶检测用可同步取等量不同深度样品的取样器-CN201810863224.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市福来过科技有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G01N1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种桶装牛奶检测用可同步取等量不同深度样品的取样器，其结构包括取样器外壳、同步多处取样装置、取样控制把手，取样器外壳的上部呈空心圆柱形结构。本发明通过设有的同步多处取样装置，利用不同长度的储液管及不同位置的吸液头，实现对桶装牛奶取不同深度的样品，便于后期牛奶进行全面检测，无需为了取到具代表性的样品而摇晃整个牛奶桶，实现省时省力取样；通过设有的取样控制把手，可同时控制住四个推拉把手，实现一只手一次性即可完成不同深度样品的取样，且实现等量取样，有效提高取样速率，且其与抽气杆为活动连接，可根据实际需求，自由选择取样机构完成单独取样，实现多用途。
取样桶装取样器外壳牛奶牛奶检测取样控制取样装置取样器等量把手空心圆柱形结构等量取样活动连接取样机构全面检测实际需求推拉把手自由选择抽气杆储液管吸液头一次性省时省力摇晃

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