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[发明专利]无曲率绝缘胶基板及其加工工艺-CN202310670088.7在审
发明人：张佰龙;刘广海;曲赫然;贾国;赵轶夫;何咏欣;叶千峰 -专利权人： 深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开一种无曲率绝缘胶基板及其加工工艺，该基板包括金属基板层、绝缘胶层和正面金属层，所述绝缘胶层涂覆于金属基板层上表面，所述正面金属层粘接于绝缘胶层上表面，于正面金属层上表面加工有多条线路，相邻线路之间具有蚀刻槽间隔，每条线路分别具有线面和线底，每条线路的线面线宽小于线底线宽，相邻的两条线路之线底呈弧形延伸于蚀刻槽底部，且绝缘胶层露出于蚀刻槽底部将相连两条线路之线底隔开。因此，通过将金属基板层、绝缘胶层和正面金属层层叠结合构成基板，该无曲率绝缘胶基板的曲率可调整为纯平，解决了大功率器件散热问题，提高了产品的运行稳定性，工艺简单，生产效率高，提高生产效率低，能够有效保证产品的一致性。
曲率绝缘胶基板及其加工工艺

[发明专利]抗单粒子烧毁高压快恢复二极管及其制造方法-CN202310198849.3在审
发明人：李环伟;田旭;宋吉昌;贾国;仇锐 -专利权人： 深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种抗单粒子烧毁高压快恢复二极管及其制造方法，快恢复二极管包括N型高阻层、N型缓冲层、氧化层、多晶场板层、TEOS淀积层、氮化硅淀积层、正面电极金属层和背面电极金属层，所述N型高阻层位于N型缓冲层上方，所述氧化层、多晶场板层、TEOS淀积层和氮化硅淀积层依次层叠于N型高阻层上方；正面电极金属层下端位于引线孔中，上端凸出于引线孔外；所述背面电极金属层位于N型缓冲层下表面上。因此，通过在传统高压快恢复二极管的基础上，于材料片背面形成极宽的浓度渐变缓冲层，提升器件的雪崩击穿耐量；并通过终端场板场限环结构，搭配TEOS+氮化硅的复合钝化设计，有效的提升了芯片终端效率，并增加器件终端可靠性。
粒子烧毁高压恢复二极管及其制造方法

[发明专利]大功率智能IGBT模块及其加工工艺-CN202310115833.1在审
发明人：张佰龙;曲赫然;许冬梅;何咏欣;徐宁;宋吉昌 -专利权人： 深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开一种大功率智能IGBT模块及其加工工艺，模块包括外壳、底板、驱动板、芯片、绝缘衬底、粘接胶、功率端子和信号端子，所述外壳具有容置腔，所述底板固定于外壳底部，驱动板位于底板上方，于底板和驱动板之间填充有绝缘涂覆胶；所述芯片位于驱动板侧旁，并位于底板上方，并于底板上设置有绝缘衬底，芯片位于绝缘衬底上方；所述驱动板和芯片之间连接有键合线，所述功率端子连接于外壳上，所述信号端子连接于驱动板上，所述粘接胶位于底板和外壳之间；并于容置腔中灌注有环氧树脂。加工工艺包括清洗、烧结、粘接、键合、灌胶和检测步骤。有效解决了灌封模块厚度问题以及散热问题，使得模块更加轻薄，具备小型化、散热能力强的特点。
大功率智能 igbt 模块及其加工工艺

[发明专利]一种沟槽型双栅结构半导体器件制造方法-CN202310029917.3在审
发明人：张熠鑫;苏晓山;贾国;刘少博;卢昂 -专利权人： 深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型双栅结构半导体器件制造方法，采用沟槽结构和双栅结构相结合的方式，在纵向结构上，实现两个驱动栅极，使用多晶硅作为电极。在器件正向导通时，器件实际为PNP晶体管；在器件反向截止时，器件实际为NPN晶体管。本申请技术方案解决了现有的沟槽结构半导体无法实现低导通电阻、高压、高频的特性。
一种沟槽型双栅结构半导体器件制造方法

[发明专利]一种改善SGT产品多晶形貌的制造方法-CN202310015042.1在审
发明人：张熠鑫;贾国;苏晓山;王大明;卢昂 -专利权人： 深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种改善SGT产品多晶形貌的制造方法，包括如下步骤：进行沟槽刻蚀，所述沟槽设置一拐点，所述拐点下部用于容纳多晶，所述拐点上部的沟槽宽度大于所述拐点下部的沟槽宽度；对沟槽依次进行氧化和多晶沉淀，然后进行退火处理；进行多晶刻蚀，形成多晶预期形貌；对整体结构进行氧化处理，使多晶异常部位完全氧化，并对产生的氧化层进行取出，得到多晶最终形貌。本申请技术方案解决了现有的SGT MOSFET多晶表面不平整导致产品失效的问题。
一种改善 sgt 产品多晶形貌制造方法

[发明专利]一种降低MOSFET器件导通电阻的制造方法-CN202310030128.1在审
发明人：张熠鑫;宋吉昌;苏晓山;王大明;卢昂 -专利权人： 深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种降低MOSFET器件导通电阻的制造方法，包括如下步骤：形成MOSFET接触孔的基本形貌；采用第一功率的射频对MOSFET接触孔进行干法刻蚀；采用第二功率的射频对MOSFET接触孔中残留的氧化硅进行过刻；采用低浓度硝酸和氢氟酸混合液对MOSFET接触孔表面的界面损伤进行处理，降低界面态密度；去除光刻胶，然后进行金属淀积，形成欧姆接触。本申请技术方案解决了现有MOSFET器件实际测试过程中，因导通电阻参数超标而失效的问题。
一种降低 mosfet 器件通电制造方法

[发明专利]平面型IGBT结构-CN202011330868.X有效
发明人：吴郁;方明;胡冬青;刘广海;薛云峰 -专利权人：北京工业大学;深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开平面型IGBT结构，包括芯片主体，所述芯片主体上设有多个平行分布的P阱，多个P阱间的步距由芯片主体的中心向边缘由小变大取值设置，且所述多个P阱围绕所述芯片主体的中心。通过对多个平行分布的P阱间的步距进行设置，使得多个P阱在芯片上的分布由中心向边缘由密变疏，该设置使得芯片中心区域的通态压降略高，周围区域的通态压降低，有效改善了芯片的散热性能及芯片上温度分布不均匀而导致的电流分布不均匀的情况，沟道沿(100)晶面的100晶向导电也提高芯片的导电性能。本发明的设计使平面型IGBT具有优异的散热一致性，防止芯片由于温度分布不均，某一点过热而导致烧毁，损毁整个芯片，大大提高芯片的可靠性。
平面 igbt 结构

[发明专利]一种抗单粒子效应的加固驱动电路-CN202210284242.2有效
发明人：万宇航;王莉;宋吉昌;王志敏;耿献亮 -专利权人： 深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗单粒子效应的加固驱动电路，包括上下两个功率管、用于分别驱动上下功率管的驱动电路；每一功率管设置有多个驱动电路，在驱动电路与功率管之间还设置有一错误反馈逻辑电路。本发明通过上下两个功率管的驱动信号IN1，IN2分别连接三个相同的驱动电路；大大减小单粒子效应出现的错误信号；开启上下功率管需要三个驱动电路同时为开启信号；关闭上下功率管只需要一路关闭信号即可；为了防止单粒子效应引起的逻辑错误，导致上下功率管同时导通；反馈上下功率管的栅极输入信号，当栅极输入信号同时为开启信号时，通过两个或非门，同时关闭上下两个功率管；大大减小单粒子效应引起的逻辑错误，有效提高驱动电路的抗单粒子能力。
一种粒子效应加固驱动电路

[发明专利]一种高压功率快恢复二极管结构-CN202011307827.9有效
发明人：王立昊;吴郁;宋吉昌;邓中翰;曹洁 -专利权人：北京工业大学;深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种高压功率快恢复二极管结构，包括横向设置的：有源区、终端区和横向电阻区，所述横向电阻区设于所述有源区和所述终端区之间，所述有源区、横向电阻区和终端区在阴极侧均设有N+掺杂缓冲层；其中，所述有源区内的N+掺杂缓冲层内设有第一背面浮置P+层；所述终端区内的N+掺杂缓冲层内设有第二背面浮置P+层；所述横向电阻区内的N+掺杂缓冲层内设有第一N+掺杂层。本发明的高压功率快恢复二极管结构通过在有源区和终端区的阴极侧设置背面浮置P+层，并在有源区和终端区间设置横向电阻区，减少正向导通时主结边缘载流子的积累量，有效抑制了阴极侧的强电场，显著提高了芯片的过流关断能力，有效避免了高压二极管被烧毁的情况。
一种高压功率恢复二极管结构

[发明专利]无辅助绕组原边反馈采样电路、方法及其PWM驱动器-CN202210339896.0在审
发明人：王莉;宋吉昌;王志敏;许冬梅;万宇航;耿献亮 -专利权人： 深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种无辅助绕组原边反馈采样电路、方法及其PWM驱动器，采样电路包括用于采样功率管漏极电压的第一电阻分压采样电路、用于采样输入电压的第二电阻分压采样电路、用于将功率管漏极电压转换为电流值的第一电压转电流电路、以及用于将输入电压转换为电流值的第二电压转电流电路、用于将功率管漏极电压和输入电压转换后的电流值相减的电流减法器、以及用于将相减后的电流值转换为电压，并输出副边电压的电流转电压器。本发明无需另外的光耦合器或者电容或者辅组绕组进行副边信号传递，而是利用变压器在关闭时刻的反馈信号同时结合输入电压信号进行运算，从而实现了副边信号对原边信号的传递。
辅助绕组反馈采样电路方法及其 pwm 驱动器

[发明专利]大功率智能功率模块反偏试验方法-CN202110459227.2有效
发明人：李朋钊;曲赫然 -专利权人： 深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及智能功率模块技术领域，尤其涉及一种大功率智能功率模块反偏试验方法，包括如下步骤：步骤S1：对大功率智能功率模块的上、下桥芯片同时进行反偏试验，或对上、下桥芯片分别进行反偏试验；步骤S2：将大功率智能功率模块与反偏板连接；步骤S3：将大功率智能功率模块分别与高压电源及低压电源连接；步骤S4：将大功率智能功率模块放置高温环境内进行反偏试验。本发明的大功率智能功率模块反偏试验方法实现了一具体大功率智能功率模块进行高温反偏试验的方案，有利于工作人员根据该方案了解大功率智能功率模块的可靠性，有利于保证产品的合格率，利于提升企业的信誉及生产效益。
大功率智能功率模块试验方法

[发明专利]一种超低VF软快恢复二极管-CN202110241329.7有效
发明人：李环伟;田旭;雷正龙;许冬梅;孙亚倩;卢昂 -专利权人： 深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开一种超低VF软快恢复二极管及其制造方法，该超低VF软快恢复二极管从上到下依次为：第一金属电极、氧化层、肖特基势垒、P+环和P‑阱、N‑高阻层、N+衬底层、第二金属电极，其中，所述肖特基势垒覆盖有源区的非P‑阱区，所述肖特基势垒占有源区面积的4/6‑5/6，所述P‑阱占有源区面积的1/6‑2/6。其通过将SBD二极管与PIN二极管相结合构成一新型的二极管，在PIN二极管的基础上，在有源区额外增加肖特基势垒的小岛，在有源区构成P‑阱区与肖特基势垒交替存在的并联结构，结合了SBD二极管和FRD(Fast Recovery Diode)二极管的优点，正向压降低且软快恢复参数优异。
一种 vf 恢复二极管

[发明专利]抗单粒子烧毁的超结MOS器件结构-CN202110814800.7有效
发明人：贾云鹏;周新田;贾国;胡东青;吴郁;苏晓山 -专利权人：北京工业大学;深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体领域，尤其涉及一种抗单粒子烧毁的超结MOS器件结构，包括源极金属、漏极金属、衬底、缓冲层、N柱、P柱、连接区组、栅极组、隔离氧化层及栅氧化层，所述衬底一端与漏极金属接触，另一端与缓冲层接触，所述P柱设置有两个，所述N柱设置在两P柱之间并分别与两P柱接触，两所述P柱与N柱的一端分别与缓冲层接触，所述连接区组设置有两个且对称设置，其中一所述连接区分别与源极金属、隔离氧化层及一P柱的另一端接触，另一所述连接区分别与源极金属、隔离氧化层及另一P柱的另一端接触，所述N柱的另一端分别与两连接区组及隔离氧化层接触，所述栅极组及栅氧化层设置在源极金属及隔离氧化层之间。
粒子烧毁 mos 器件结构

[实用新型]集成式IGBT器件-CN202120329956.1有效
发明人：曲赫然;刘志伟;宋吉昌 -专利权人： 深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种集成式IGBT器件，包括外壳、厚膜基板、TVS二极管、发射极信号端、栅极信号端及IGBT芯片，所述厚膜基板与IGBT芯片设置在外壳内，所述TVS二极管、发射极信号端及栅极信号端设置在厚膜基板上，所述发射极信号端及栅极信号端分别与TVS二极管电性连接，所述IGBT芯片与TVS二极管电性连接。本实用新型的集成式IGBT器件通过设置TVS二极管，可有效防止栅极因过压而损坏，同时也能将栅极与发射极维持在一固定水平，使得短路电流不会超过擎住电流，即降低了短路时的电流，有利于降低集成式IGBT器件因短路电流过大而损坏的概率，有利于保持工作进程的平稳。
集成 igbt 器件

[发明专利]新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件-CN202110509714.5有效
发明人：贾云鹏;方星宇;周新田;李新宇;吴郁;胡冬青;许冬梅;王修中 -专利权人：北京工业大学;深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件，包括发射极金属电极、栅极氧化物、IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅，所述发射极金属电极包括连接部及两个凸起部，所述连接部呈平板型，两所述凸起部一体成型于连接部的两端且两凸起部位于栅极氧化物的两端，所述栅极氧化物设置在连接部与两个凸起部之间并分别与连接部与两个凸起部连接，所述IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅设置在栅极氧化物的表面且间隔设置。本发明的新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件通过设置沟道二极管多晶硅栅，显著提高了反向恢复特性且降低了栅电荷特性，提升了开关特性同时使得功率损耗大大降低。
新型具有沟道二极管逆导型 igbt 器件

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