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[发明专利]具有辅助偏置电极的UMOSFET及其制作方法-CN202210346196.4在审
发明人： 段宝兴;邢蓝天;王彦东;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有辅助偏置电极的UMOSFET及其制作方法，旨在缓解沟槽拐角处的电场集中，同时降低器件的比导通电阻。本发明包括兼作漏区的N+型衬底、N+型衬底的上表面形成的N型外延层；N型外延层纵向刻蚀沟槽形成U形结构；沟槽两侧的N型外延层上部通过离子注入自下而上设置有P型基区和源区；沟槽内壁纵向范围覆盖有栅氧化层；沟槽内设置有“凸”字形辅助偏置电极、包裹在辅助偏置电极的第一多晶硅层间介质层以及偏置电极氧化层，栅极与辅助偏置电极下部上端面之间填充有第二多晶硅层间介质层；源区上表面覆盖有源极，两个源极共接。该器件可以同时获得更高的击穿电压和更低的导通损耗，实现击穿电压与比导通电阻之间的良好折衷。
具有辅助偏置电极 umosfet 及其制作方法

[发明专利]一种非对称性寄生校准分段电容阵列-CN202310672877.4在审
发明人：汤华莲;梁文才;张丽;段宝兴 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种非对称性寄生校准分段电容阵列，包括正端电容阵列和负端电容阵列，所述电容阵列包括采样电容、转换电容、校准电容以及补偿电容；所述采样电容采用简单的开关时序，可消除由高段寄生电容带来的增益误差；所述转换电容采用分段电容阵列结构，减少电容个数和面积；所述校准电容用于校准由桥接电容的寄生电容以及LSB阵列寄生导致的非线性；所述补偿电容使正端与负端两端电容阵列相匹配。本发明的校准电路及其校准时序实现简单，功耗低。
一种对称性寄生校准分段电容阵列

[发明专利]一种10bit寻址模式下的I2-CN202310644277.7在审
发明人： 段宝兴;孙亚威;邓军;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F13/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种I2C总线传输方法，具体涉及一种10bit寻址模式下的I2C总线传输方法。解决了现有I2C的10bit寻址模式存在寄存器配置难度加大、主从机状态数量增加以及主从机状态跳转复杂的技术问题。本发明方法包括以下步骤：1)主机选择10bit寻址模式；2)主机发送SCL时钟并控制从机SCL时钟总线，从机监测起始信号和停止信号；3)主机产生起始信号并发送第一个地址信号；从机接收第一个地址信号，将接收的地址和自身10bit地址的前两位进行匹配，若匹配成功，则返回应答信号；4)主机接收应答信号，将第二个地址信号发送到总线上；从机接收第二个地址信号并与自身地址的后8位进行匹配；若匹配成功，则返回应答信号，建立主机和从机的通讯；5)进行通讯。
一种 10 bit 寻址模式 base sup

[发明专利]AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法-CN202211090728.9在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;邵瑾;刘芳;付振;段宝兴;李秀伟;李腾浩;钟明琛;马俊超;李明哲;杨银堂 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法；解决现有的AlGaN/GaN垂直型器件存在较低耐压和较高导通损耗的问题；超结场效应管包括衬底、漏极、在衬底上表面形成两个P型柱区，两个P型柱区之间形成N型漂移区，在P型柱区和N型漂移区上部形成P型阻挡层，在P型阻挡层上形成GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上形成源区，源区内设置源极，对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部刻蚀形成介质沟槽，在介质沟槽内设置三氧化二铝薄氧化层和SIPOS场板，位于两个SIPOS场板之间的二氧化硅和多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极；位于栅极上表面的钝化层；两个源极共接，本发明还提出半超结场效应管以及超结、半超结场效应管的制作方法。
algan gan 垂直型超结半超结绝缘半导体场效应制作方法

[发明专利]一种由肖特基结势垒控制的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN202110623695.9有效
发明人： 段宝兴;孙李诚;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了一种由肖特基结势垒控制的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。通过N型漏区提供的额外电子抽取通道，该IGBT器件在常规逆导型结构的基础上，利用漏极与电子抽取通道之间形成肖特基接触。由于较高的金属功函数，肖特基接触部分产生的结势垒会在通道中形成具有一定面积的空间电荷区，当漏极偏压较低时能够起到阻挡电子的作用。本发明提出的晶体管保留了逆导结构的优点，能够明显抑制器件关断时的电流拖尾现象，降低器件的关断损耗，并且通道中产生的空间电荷区随着漏极偏压的变化实现了变化的漏区电阻，有利于彻底消除器件导通时由常规逆导结构引起的电流折返现象，最终缓解了器件在正向特性和开关特性之间的矛盾关系。
一种肖特基结势垒控制逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210346188.X在审
发明人： 段宝兴;马俊超;杨珞云;王雨龙;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法，解决了传统的AlGaN/GaN垂直型器件在使用时，存在较低的耐压以及较高的导通损耗的技术问题。本发明晶体管包括：衬底、漏极、N型漂移区11、GaN沟道层7和AlGaN势垒层；N型漂移区11为氮化镓外延层；在AlGaN势垒层上表面形成源区；设置在源区内的源极；在N型漂移区11上部形成P型阻挡层9；通过对N型漂移区11、GaN沟道层7和AlGaN势垒层中部贯通刻蚀形成介质沟槽；设置在介质沟槽内壁的二氧化硅10薄氧化层和SIPOS场板；位于两个SIPOS场板之间的二氧化硅10和多晶硅8；设置在多晶硅8上方的栅极；位于栅极上表面的钝化层；两个源极共接。
一种 algan gan 垂直电子迁移率晶体管及其制作方法

[实用新型]一种皮带瞬停锁定电路-CN202223090103.0有效
发明人：吴云栋;田全强;张翰林;段宝兴;石振中;杨金花;齐艳军;陈良瑞;孟猛;陈文彬 -专利权人：临沂恒昌焦化股份有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H02H3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种皮带瞬停锁定电路，其特征在于，所述皮带瞬停锁定电路包括并联的皮带主控回路、皮带故障分析电路和皮带锁定瞬停指示回路，所述皮带主控回路、皮带故障分析电路和皮带锁定瞬停指示回路并联后与线路控制保险器ⅡFU串联。采用此瞬停锁定电路，可以快速锁定瞬时失灵导致设备自停的故障点，保障设备稳定运转和安全生产。
一种皮带锁定电路

[发明专利]一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202211100004.8在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;邵瑾;付振;段宝兴;刘芳;张鹏;胡毅;吴峰霞;马俊超;李明哲;杨银堂 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法；是解决场板技术应用到具有垂直型漂移区的器件中时，会出现垂直型漂移区容易受电荷不平衡的影响，从而影响到导通电流的问题；包括GaN材料的衬底；依次生长在衬底上方的N型漂移区、GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上表面形成的源区，源区内设置源极；在N型漂移区左右两侧形成相同数量的P型浮空埋层，在N型漂移区上部形成P型阻挡层；通过对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部贯通刻蚀形成多层台阶状介质沟槽，介质沟槽的每侧内壁上设置有多层台阶状的氧化层，在两侧氧化层之间淀积SIPOS场板；在SIPOS场板上方淀积多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极和钝化层，两个源极共接。
一种 algan gan 垂直电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]基于三层绝缘介质的低功耗柔性薄膜晶体管及其制作方法-CN202110557734.X有效
发明人： 段宝兴;唐春萍;孙佳;刘婉蓉;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学;中南大学;钱塘科技创新中心
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三层绝缘介质的低功耗柔性薄膜晶体管及其制作方法。该器件采用底栅顶接触结构，依次由柔性衬底、栅电极、绝缘介质层、有源层、源、漏电极构成。该结构采用介电常数较高的A l2O3作为无机材料绝缘介质层，能够有效降低工作电压和阈值电压，但高介电常数带来较高界面极性；为降低其界面极性，又增加了PMMA制作的绝缘介质薄膜和由交联剂4,4'‑(六氟异丙烯)二酞酸酐与聚(4‑乙烯基苯酚)混合而得的交联PVP‑HDA绝缘介质薄膜。本发明的柔性薄膜晶体管能够较好的平衡介电常数与界面极性之间的矛盾，还同时兼具较低功耗、较小漏电流、较低亚阈值摆幅等优点，工艺简单、成本较低，有利于大规模生产。
基于三层绝缘介质功耗柔性薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的U-MOSFET及其制作方法-CN201910754067.7有效
发明人： 段宝兴;杨鑫;王夏萌;张一攀;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的U‑MOSFET及其制作方法。该U‑MOSFET器件主要特点是将氮化镓材料与硅材料相结合形成异质结，以氮化镓衬底和N型氮化镓外延层整体的凸字型结构表面为基础形成N型硅外延层，N型硅外延层的中间区域刻蚀形成凹槽，凹槽的宽度小于N型氮化镓外延层的宽度，凹槽底部深入N型氮化镓外延层上部中间区域，凹槽深度大于P型基区与N型硅外延层之间PN结的深度；利用氮化镓半导体材料的高临界击穿电场特性，通过击穿点转移将器件槽栅拐角处栅氧的强电场引入氮化镓材料中，抬高了器件的纵向电场峰，有效改善了器件性能。
具有部分氮化半导体材料异质结 mosfet 及其制作方法

[发明专利]具有积累层外延栅极MIS结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110845349.5有效
发明人： 段宝兴;杨珞云;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有积累层外延栅极MIS结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法,该器件设置积累介质层覆盖AlGaN层表面以及GaN层表面，分别与欧姆源极、欧姆漏极相接；积累介质层上方生长外延层，外延层左端和右端通过离子注入形成P+区和N+区；N+区上方形成外延栅极，作为器件的栅极，外延层右端上方形成外延漏极；欧姆漏极与外延漏极通过导线连接，作为器件的漏极；当该器件正向工作时，可通过积累介质层在GaN层表面产生大量电子，该积累电子与二维电子气相连，构成导通沟道，使得器件具有较低的比导通电阻；器件关断时，积累层电子消失，部分的二维电子气类似于分区掺杂的作用，可显著改善器件的电场分布，大幅度提高器件的击穿电压。
具有积累外延栅极 mis 结构 algan gan 电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种由肖特基结势垒控制的短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN202110378330.4有效
发明人： 段宝兴;孙李诚;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种由肖特基结势垒控制的短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。该器件利用了阳极与N型缓冲区形成的肖特基接触，N型阳极区提供了额外的电子抽取通道，同时在肖特基结势垒产生的自建电势作用下，由此形成的空间电荷区能够占据电子抽取通道。该器件保留了短路阳极结构的优点，能够明显抑制器件关断时的电流拖尾现象，降低器件的关断损耗，并且由自建电势形成的空间电荷区可以控制电流通道的开启，有利于彻底消除器件导通时由传统短路阳极结构引起的电流折返现象，最终缓解了器件在正向特性和开关特性之间的矛盾关系。
一种肖特基结势垒控制短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110843929.0有效
发明人： 段宝兴;杨珞云;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种结型积累层增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,该晶体管在AlGaN层和GaN层表面生长积累介质层，相应分别与欧姆源极、欧姆漏极相接；在栅源区域积累介质层上生长外延层，外延层的左端和右端通过离子注入形成P+区和N+区；并通过欧姆接触在外延层左端N+区上方形成外延栅极，右端P+区上方形成外延漏极；欧姆漏极与外延漏极通过导线连接，作为器件的漏极；肖特基栅极与外延栅极通过导线连接，作为器件的栅极；当栅极加正电压时，积累介质层在GaN层中产生大量电子与二维电子气连接，形成导通沟道，实现了器件增强型；器件反向偏置时，通过AlGaN外延层可优化内部电场，使电场分布更均匀，可大幅度提高器件的击穿电压。
积累增强 algan gan 电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种扫地机器人与洗涤设备的联动控制方法及系统-CN202211534254.2在审
发明人：宋广翔;陈瑜;郝亚东;王长绪;段宝兴 -专利权人：青岛海尔洗涤电器有限公司;海尔智家股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： D06F33/36 文献下载
摘要：本发明属于家电设备技术领域，公开了一种扫地机器人与洗涤设备的联动控制方法及系统，所述控制方法包括：在处理所述洗涤设备中待洗涤衣物之前，获取扫地机器人检测地面污渍的检测记录；所述检测记录中包括至少一种地面污渍的污渍类型；判断所述检测记录中是否存在第一目标污渍类型；所述目标污渍类型为洗涤设备数据库中存储的多种特殊污渍中的任意一种；若所述检测记录中存在第一目标污渍类型，则根据所述第一目标污渍类型从所述数据库中确定第一目标洗涤程序；所述数据库中包括目标污渍类型和洗涤程序的映射关系。本发明扫地机器人检测到的地面污渍为洗涤设备推荐洗涤程序时作参考，提高了衣物清洗效果。
一种扫地机器人洗涤设备联动控制方法系统

[发明专利]一种由阳极耗尽区控制的短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN202110378328.7有效
发明人： 段宝兴;孙李诚;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种由阳极耗尽区控制的短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。该器件在传统LIGBT结构的基础上引入了轻掺杂的N型阱区和重掺杂的N+型阳极区，N型阱区被N型缓冲区包围，P+型阳极区和N+型阳极区被N型阱区包围，此外N+型阳极区位于柱状P+型阳极区之间，并在下方留出了电流通道。N型阱区加强了结自建电势的作用，有利于促进阳极耗尽区的形成，N+型阳极区则提供了额外的电子抽取通道。该器件能够明显缓解器件关断时的电流拖尾现象，降低器件的关断损耗，并且由结自建电势形成的耗尽区可以控制电流通道的开启，彻底消除器件导通时由传统短路阳极结构引起的电流折返现象，改善了器件在正向特性和开关特性之间的性能折中关系。
一种阳极耗尽控制短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

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