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[发明专利]用于等离子体增强化学气相沉积的膜应力控制-CN201980082054.8有效
发明人：高建德;元泰景;卡尔·A·索伦森;桑杰伊·D·雅达夫;李永东;栗田真一;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式包括用于在大面积基板上沉积多个层的方法与设备。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积的处理腔室。处理腔室包括喷头与基板支撑组件。喷头耦接至射频功率源并且接地，并且喷头包括多个穿孔气体扩散构件。多个等离子体施加器设置于喷头内，其中多个等离子体施加器中的一个等离子体施加器对应于多个穿孔气体扩散构件中的一个穿孔气体扩散构件。进一步地，直流偏压电源耦接至基板支撑组件。
用于等离子体增强化学沉积应力控制

[发明专利]气体分配组件-CN202180033279.1在审
发明人： 桑杰伊·D·雅达夫;苏伦德拉·卡尼米哈利·塞蒂;李永东;元泰景;高建德;孙光伟;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-05-03 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开内容提供了一种气体分配组件，所述气体分配组件包括框架，所述框架具有第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分彼此平行且相对。歧管被设置成与所述第一部分和所述第二部分平行并在所述第一部分与所述第二部分之间。每个歧管具有第一面和第二面。第一面具有气体入口，并且第二面具有出口。所述气体分配组件包括喷嘴。每个喷嘴耦接到所述第二面的出口的一个出口，并且每个喷嘴包括从每个喷嘴的出口延伸的喷嘴针孔。所述气体分配组件包括管，其中每个管具有耦接到所述歧管的第一歧管的第一端部和耦接到所述歧管的第二歧管的第二端部。所述管的每一个管彼此平行地设置。
气体分配组件

[发明专利]改良的薄膜包封-CN202210804828.7在审
发明人：元泰景;崔寿永;桑杰伊·D·雅达夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供一种包封有机发光二极管(OLED)的方法。所述方法包括在工艺腔室中产生第一等离子体，当OLED器件定位在所述工艺腔室内时，所述第一等离子体具有至少1011cm‑3的电子密度。所述OLED器件包括基板和形成在所述基板上的OLED。所述方法进一步包括：用第一等离子体预处理所述OLED与所述基板的一个或多个表面；通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第二等离子体来在所述OLED之上沉积包括硅和氮的第一阻挡层，所述第二等离子体具有至少1011cm‑3的电子密度；以及在所述第一阻挡层之上沉积缓冲层；以及通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第三等离子体来在所述缓冲层之上沉积包括硅和氮的第二阻挡层。
改良薄膜

[发明专利]高密度等离子体增强化学气相沉积腔室-CN201980102887.6在审
发明人： S·K·塞蒂;元泰景;孙光伟;崔寿永;李永东;松本隆之;桑杰伊·D·雅达夫;R·L·迪纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于沉积腔室的喷头的方法和装置。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积腔室的喷头，包括多个穿孔的砖，其每一个耦合至多个支撑构件的一个或多个，及在喷头之中的多个电感耦合器，其中多个电感耦合器的一个电感耦合器相对应至多个穿孔的砖的一个，其中支撑构件提供前驱物气体至形成于电感耦合器及穿孔的砖之间的空间。
高密度等离子体增强化学沉积

[发明专利]改良的薄膜包封-CN201880041661.5有效
发明人：元泰景;崔寿永;桑杰伊·D·雅达夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供一种包封有机发光二极管(OLED)的方法。所述方法包括在工艺腔室中产生第一等离子体，当OLED器件定位在所述工艺腔室内时，所述第一等离子体具有至少1011cm‑3的电子密度。所述OLED器件包括基板和形成在所述基板上的OLED。所述方法进一步包括：用第一等离子体预处理所述OLED与所述基板的一个或多个表面；通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第二等离子体来在所述OLED之上沉积包括硅和氮的第一阻挡层，所述第二等离子体具有至少1011cm‑3的电子密度；以及在所述第一阻挡层之上沉积缓冲层；以及通过在所述工艺腔室中产生包括硅和氮的第三等离子体来在所述缓冲层之上沉积包括硅和氮的第二阻挡层。
改良薄膜

[发明专利]用于显示器应用的CVD薄膜应力控制方法-CN201880032660.4有效
发明人：元泰景;崔寿永;桑杰伊·D·雅达夫;卡尔·A·索伦森;高建德;苏希尔·安瓦尔;李永东 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式大体上描述一种用于利用高密度等离子体化学气相沉积工艺沉积氮化硅(SiN)的阻挡层，特别是通过在沉积工艺期间施加偏压于基板来控制沉积的氮化硅层的膜应力的方法。在一个实施方式中，一种形成膜层的方法包括：加热基板至低于约100℃的基板温度，所述基板设置于处理腔室中的基板支撑件上；使硅前驱物气体和氮前驱物气体流入处理腔室中；施加偏压于电极，所述电极耦接至基板支撑件；形成氮前驱物气体和硅前驱物气体的高密度等离子体；和沉积氮化硅层于基板上。
用于显示器应用 cvd 薄膜应力控制方法

[发明专利]用于吸附用于沉积工艺的掩模的基板支撑件-CN202080012402.7在审
发明人：陈志坚;桑杰伊·D·雅达夫;元泰景;李军;邵寿潜;S·K·塞蒂 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式包括用于在沉积腔室中将掩模静电耦接到基板支撑件的方法和设备。在一个实施方式中，公开了一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：基板接收表面；凹陷部分，所述凹陷部分围绕所述基板接收表面的周边设置；静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述基板接收表面下方；和多个可压缩按钮，所述多个可压缩按钮设置在形成于与所述静电吸盘形成电路的所述凹陷部分中的相应开口内。
用于吸附沉积工艺支撑

[发明专利]高密度等离子体增强化学气相沉积腔室-CN201980050508.3在审
发明人：元泰景;李永东;高建德;桑杰伊·D·雅达夫;崔寿永;苏希尔·安瓦尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于沉积腔室的喷头的方法和设备。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积腔室的喷头，所述喷头包括：多个穿孔砖，每个穿孔砖耦接于多个支撑构件中的一者或多者；和位于喷头内的多个电感耦合器，其中所述多个电感耦合器中的一个电感耦合器对应于所述多个穿孔砖中的一者，其中这些支撑构件将前驱物气体提供到在这些电感耦合器和这些穿孔砖之间形成的容积。
高密度等离子体增强化学沉积

[发明专利]在等离子体增强化学气相沉积腔室清洁期间用于终点检测的温度传感器-CN201780050739.5在审
发明人：彭菲;朴范洙;崔寿永;桑杰伊·D·雅达夫;崔永镇;希曼殊·乔希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文所述的实施方式总体涉及一种基板处理腔室，并且更具体地涉及一种用于监测所述基板处理腔室的清洁处理的设备和方法。处理器从设置在基板处理腔室中的一个或多个传感器接收一个或多个温度读数。所述处理器从所述一个或多个温度读数确定每个温度读数的峰值，这指示放热膜清洁反应结束。在确定每个温度读数已经达到峰值时，所述工艺发出通知以停止所述清洁工艺。
温度读数基板处理腔室处理器等离子体增强化学气相沉积腔温度传感器清洁处理清洁工艺终点检测膜清洁传感器放热清洁监测

[发明专利]基板温度监控-CN201780032266.6在审
发明人： 桑杰伊·D·雅达夫;什瑞沙·Y·饶;元泰景;乌梅沙·阿切利;希曼殊·乔希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文公开的实施方式大体涉及一种基板支撑组件中的基板温度监控系统。在一个实施方式中，所述基板支撑组件包括支撑板和基板温度监控系统。所述支撑板具有被配置为支撑基板的顶表面。所述基板温度监控系统设置在所述基板支撑板中。所述基板温度监控系统被配置为从所述基板的底表面测量所述基板的温度。所述基板温度监控系统包括窗口、主体和温度传感器。所述窗口一体地形成在所述支撑板的顶表面中。所述主体穿过所述底表面嵌入所述支撑板中。所述主体限定内部通道。所述温度传感器设置在所述窗口下方的所述内部通道中。所述温度传感器被配置为测量所述基板的温度。
基板温度监控系统支撑板温度传感器基板支撑组件内部通道顶表面配置基板支撑板一体地形成表面测量温度监控支撑基板主体限定嵌入测量穿过

[发明专利]改进的基板支撑件-CN201780025721.X在审
发明人：苏布哈斯什·罗伊;拉哈夫·米勒·西萨拉穆;乌梅沙·阿切利;桑杰伊·D·雅达夫;元泰景 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：描述了一种用于处理基板的设备。更具体地，本公开内容的实施方式涉及一种用于在处理期间使用湍流加热和冷却基板的改进的基板支撑件。通过在通道内产生湍流，在较短的时间段内传递更大量的热。本设计是具有成本效益的并有利地提供温度传递的更均匀的分布。在一个实施方式中，公开了一种基板支撑组件。所述基板支撑组件包括：静电吸盘，具有与基板接触的表面；和支撑板，与所述静电吸盘相邻。所述支撑板包括一个或多个通道、一个或多个端部空间、以及一个或多个插塞。所述基板支撑组件也包括耦接到所述支撑板的轴。
基板支撑组件支撑板基板支撑件静电吸盘湍流加热和冷却成本效益处理基板处理期间端部空间基板接触温度传递时间段插塞基板改进

[发明专利]防水封装方法-CN201510108961.9在审
发明人：元泰景;乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波;桑杰伊·D·雅达夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明大体上是关于有机发光二极管(OLED)结构和其制造方法。为延长OLED结构的寿命时间，会将封装层沉积至OLED结构上。封装层可完全围住或“封住”OLED结构。封装层在与OLED结构和封装层间的界面的对面具有实质平坦的表面。平坦表面容许后继层均匀沉积于OLED结构上。封装层能减少任何氧气穿透进入OLED结构，故可延长OLED结构的寿命时间。
防水封装方法

[发明专利]防水封装方法-CN200980108629.5无效
发明人：元泰景;乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波;桑杰伊·D·雅达夫 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：本发明大体上是关于有机发光二极管(OLED)结构和其制造方法。为延长OLED结构的寿命时间，会将封装层沉积至OLED结构上。封装层可完全围住或“封住”OLED结构。封装层在与OLED结构和封装层间的界面的对面具有实质平坦的表面。平坦表面容许后继层均匀沉积于OLED结构上。封装层能减少任何氧气穿透进入OLED结构，故可延长OLED结构的寿命时间。
防水封装方法

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