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- [发明专利]形成半导体结构的方法-CN202110709302.6在审
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赖振益
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南亚科技股份有限公司
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2021-06-25
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2022-11-15
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H01L21/308
- 一种形成半导体结构的方法包括形成图案化硬遮罩在半导体材料层上、借由蚀刻工艺和图案化硬遮罩移除半导体材料层的一部分以形成数个半导体柱和数个沟槽。蚀刻工艺的过程中产生残留物在沟槽内。方法还包括移除残留物。移除残留物包括使用第一气相清洁工艺以移除残留物的至少一部分，以及在使用第一气相清洁工艺之后，使用第二气相清洁工艺以移除残留物的剩余部分。第一气相清洁工艺的条件不同于第二气相清洁工艺的条件。本发明提供的形成半导体结构的方法是使用多步骤的气相清洁工艺以移除半导体结构上的残留物作为蚀刻后清洁的操作。借由气体组成的选择以及工艺条件的安排，在进行蚀刻后清洁的操作中最小化对半导体结构的影响。
- 形成半导体结构方法
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