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[发明专利]一种图形化用抗反射涂层组合物及图形化方法-CN202011606828.3有效
发明人：李祥华;李大烨;贺晓彬;刘强;丁明正;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09D129/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种图形化用水溶性抗反射涂层，以及使用该水溶性抗反射涂层进行图形化的方法，由于在正、负光刻胶层之间涂布了该水溶性抗反射涂层，避免了直接在正光刻胶层上涂布负光刻胶层引起的二者的反应而导致的不良等问题，从而能够很好的一并进行正光刻胶层和负光刻胶层的双光刻胶层涂布，极大地简化了工艺流程，节约了工艺时间和成本。
一种图形化用反射涂层组合方法

[发明专利]用于半导体制备的刻蚀方法、设备、应用、半导体结构-CN202111339550.2在审
发明人：南兌澔;李大烨 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体制备的刻蚀方法、设备，包括在图案形成后依次对光刻胶层、绝缘膜层、硬掩膜、硬掩膜的下部膜层进行刻蚀，在对硬掩膜的下部膜层进行刻蚀前对硬掩膜硬化处理，增强了硬掩膜层的结构强度，从而增强SOC或SOH的耐蚀性。在进行下部膜层的刻蚀时避免过刻蚀现象，SOC或SOH的膜层厚度就可以达到理想的最佳的厚度，从而满足对尺寸的要求，避免后续工艺的不良。此刻蚀方法及设备可以应用于制备半导体结构。
用于半导体制备刻蚀方法设备应用结构

[发明专利]一种光罩盒及光罩储存柜-CN202010093165.3有效
发明人：刘智龙;权炳仁;李大烨 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明关于一种用于储存光罩之光罩盒及用于储存复数光罩盒之储存柜。所述每一光罩盒用于容纳一光罩组件。所述光罩组件包含一光罩以及一防尘薄膜覆盖于所述光罩上。所述储存柜包含一主架构及一静电产生器。所述主架构具有一内部空间及至少一光罩盒支撑架设置于所述内部空间。所述光罩盒支撑架将所述内部空间分隔成复数储存室对应于所述复数光罩盒。所述储存室用于放置对应的所述光罩盒。所述静电产生器连接于所述光罩组件，用于产生一静电至所述光罩组件。所述静电产生器产生之静电于正电和负电之间交替改变。
一种光罩盒储存

[发明专利]一种光罩载台以及曝光装置-CN202010095141.1有效
发明人：刘智龙;权炳仁;李大烨 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明关于一种用于承载一光罩组件的光罩载台以及曝光装置。所述光罩组件包含一光罩以及一防尘薄膜覆盖于所述光罩上。所述曝光装置包含一光罩载台。所述光罩载台包含一光罩载台基座、一光罩固定件以及一静电产生器。所述光罩固定件位于光罩载台上，用于固定所述光罩组件于所述载台上。所述静电产生器连接于所述光罩组件，用于产生一静电至所述光罩组件。所述静电产生器产生之静电于正电和负电之间交替改变。
一种光罩载台以及曝光装置

[发明专利]用于形成半导体器件图案的方法及半导体器件的制造方法-CN202110515232.0在审
发明人：李祥华;李大烨;贺晓彬;李亭亭;刘金彪;杨涛;杨帆 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开提供了用于形成半导体器件图案的方法及半导体器件的制造方法。其中形成半导体器件图案的方法包括如下步骤。提供半导体衬底，在半导体衬底上方形成待处理层。接着在待处理层上依次形成第二叠层和第一叠层。利用第一掩膜版对第一叠层进行图案化处理，以在第一叠层上形成第一预设图案。并以第一预设图案为基础形成第二预设图案。基于第二预设图案，利用第二掩膜版对第二叠层进行图案化处理，在第二叠层上形成第三预设图案，最后可将第三预设图案转移到待处理层上。本公开巧妙地省略了沉积工序，通过光刻胶双重涂覆工序实现新图案的形成。而且本公开提供的技术方案能够通过PPE工艺替代传统的PEPE工艺，极大简化了工艺步骤，降低了成本。
用于形成半导体器件图案方法制造

[发明专利]半导体设备自动化维护检测系统以及方法-CN202110267691.1在审
发明人：南兑浩;李大烨;丁明正;贺晓彬;刘强;刘金彪;王桂磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供的一种半导体设备自动化维护检测系统以及方法，涉及半导体技术领域，包括：获取单元用于获取半导体设备中包含的工艺单元的列表信息；记录单元用于获取每个工艺单元的维护记录，并根据该维护记录生成历史维护信息；处理单元用于根据历史维护信息对全部工艺单元进行分类，并根据该分类的结果生成分类维护信息；计划单元用于根据分类维护信息对每个工艺单元生成对应的维护计划，并根据维护计划生成维护控制信息。在上述技术方案中，在自动控制下可以保证不同工艺单元中的零部件均能够得到及时且正确的维护检测控制，保证零部件在发生问题前得到及时的维护处理，保证半导体设备能够正常运转，形成良好的工作状态。
半导体设备自动化维护检测系统以及方法

[发明专利]一种形成半导体图案的方法及半导体器件的制造方法-CN202110205893.3在审
发明人：刘智龙;李大烨;贺晓彬;刘金彪;杨涛;李亭亭 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本公开具体可提供一种形成半导体图案的方法及半导体器件的制造方法。形成半导体图案的方法可以包括但不限于如下的步骤：提供半导体衬底，并在该半导体衬底上形成第一膜层。在第一膜层上形成牺牲层，在牺牲层上形成第一图案。在牺牲层内形成第二图案，其中第二图案与第一图案组成目标图案，然后将该目标图案转移到第一膜层上。半导体器件的制造方法包括但不限于本公开形成半导体图案的方法。本公开能够在已生成的图案基础上生成新的图案，已生成的图案与新的图案共同组成最终的图案，从而能够解决现有间距倍增技术无法适用于某些特殊图形的问题。本公开容易实现间距倍增的技术效果，能够较好地形成具有小间距的复杂半导体图案，适用范围较广。
一种形成半导体图案方法半导体器件制造

[发明专利]一种先通孔双镶嵌的制作方法-CN202110120078.7在审
发明人：南兑浩;李大烨;贺晓彬;杨涛;丁明正;刘强 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种先通孔双镶嵌方法，包括以下步骤：在半导体衬底的介质层内形成通孔；共形沉积一层薄的底部抗反射层；沉积旋涂硬掩模层以填充所述通孔；执行光刻、刻蚀工艺，以在所述通孔的上方形成与通孔连通的沟槽；在所述通孔以及所述沟槽内填充金属层。本申请中的先通孔双镶嵌方法通过在以旋涂硬掩模等掩模保护材料填充通孔之前，先共形沉积了一层薄的底部抗反射涂层，从而能够更好地对通孔进行填充而避免后续旋涂硬掩模层填充时出现的缺陷，同时能防止下方发生过刻蚀而导致的性能不良。
一种先通孔双镶嵌制作方法

[发明专利]光刻胶去除方法-CN202110057909.0在审
发明人：南兑浩;李大烨;丁明正;贺晓彬;刘强;刘金彪;周娜 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供的一种光刻胶去除方法，涉及半导体技术领域，包括：提供衬底；在所述衬底上进行光刻胶的沉积、曝光和显影，形成图案化的光刻胶层；在所述衬底上进行离子注入工艺和/或刻蚀工艺；最后，利用高温烘烤方式和/或稀释剂腐蚀方式去除所述光刻胶层。在上述技术方案中，该光刻胶去除方法与现有的去除方法相比，主要是摒弃了在刻蚀和清理阶段利用灰化法或湿法去除工艺去除光刻胶层的方式，转而在光刻设备中直接实现对光刻胶层的去除操作，有效的提高半导体的制备效率。
光刻去除方法

[发明专利]减少掩模版上图形布局误差的处理方法-CN202011547670.7在审
发明人：刘智龙;李大烨;贺晓彬;李亭亭;刘金彪;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本申请公开了一种减少掩模版上图形布局误差的处理方法，包括：提供一空白掩模版；所述空白掩模版包括由下而上层叠设置的透明基板、缓冲层和遮光层；对所述遮光层进行图形化处理，得到图形化处理后的遮光层；对所述图形化处理后的遮光层进行图形检查及修正；对所述缓冲层进行刻蚀及清洗；对经过上述步骤处理后得到的掩模版进行退火处理，得到退火后的掩模版。本申请的减少掩模版上图形布局误差的处理方法，包括对遮光层进行图形化处理、图形检查及修正，对缓冲层进行刻蚀及清洗，对掩模版进行退火处理，退火处理的步骤能够释放累积的掩模版压力，进而减少局部图形布局误差。
减少模版图形布局误差处理方法

[发明专利]一种先通孔双镶嵌的制作方法-CN202011443168.1在审
发明人： 李大烨;南兑浩;周娜;李俊杰;李琳;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种先通孔双镶嵌方法，包括以下步骤：在半导体衬底的介质层内形成连接孔通孔；在所述介质层的上方以及连接孔通孔内形成水溶性聚合物层；在所述水溶性聚合物层上依次形成硬掩膜层旋涂硬掩膜层、底部抗反射层以及光刻胶图案；执行光刻、刻蚀工艺，以在所述通孔的上方形成与通孔连通的沟槽；在所述通孔以及所述沟槽内填充Cu。
一种先通孔双镶嵌制作方法

[发明专利]半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件-CN202011434941.8在审
发明人：刘智龙;李大烨;金一球;贺晓彬;李亭亭;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件的接触孔形成方法、半导体器件，包括：形成覆盖第一介质层的第一阻挡层，第一介质层内有着陆焊垫和电极；对第一阻挡层进行部分刻蚀以在电极对应位置形成刻蚀阻挡图案；在刻蚀阻挡图案和第一阻挡层上依次形成多层被第二介质层隔开的第二阻挡层，对第二阻挡层、第二介质层、第一阻挡层进行刻蚀以在着陆焊垫对应位置形成电容器；回填第二介质层直至将电容器覆盖，对回填的第二介质层进行倾斜刻蚀以形成与电极接触的接触孔，位于刻蚀阻挡图案上部的形状为圆锥形，由于刻蚀阻挡图案作用，位于刻蚀阻挡图案下部的刻蚀相当于是垂直刻蚀，垂直刻蚀不会出现底部无法刻开的问题，进而使得接触孔尺寸可以做得更小。
半导体器件接触形成方法

[发明专利]双大马士革结构成形方法-CN202011355394.4在审
发明人：南兑浩;李大烨;贺晓彬;丁明正;刘强;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供的涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种双大马士革结构成形方法，包括如下步骤：在介质层上设置一层光刻胶层，在该光刻胶层上设置阻挡层，在该阻挡层上设置另一层光刻胶层，两层所述光刻胶层采用不同的显影技术；对其中一层所述光刻胶层曝光处理，并在曝光后的该光刻胶层和所述阻挡层上显影成像；对另一层所述光刻胶层曝光处理，并在曝光后的该另一层光刻胶层上显影成像。在上述技术方案中，该双大马士革结构成形方法是连续进行两次光刻工艺，光刻工艺后仅需要在进行一次刻蚀工艺即可，减少了操作的步骤，有效降低了产出和设备投资费用，降低了成本。
大马士革结构成形方法

[发明专利]一种可调狭缝装置、光刻机和调节狭缝的方法-CN202011017818.6在审
发明人：刘智龙;权炳仁;李大烨;贺晓彬;丁明正;刘强 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种可调狭缝装置、光刻机和调节狭缝的方法，包括：控制器、多个移动杆和多个调光窗；所述多个调光窗中的每两个在第一方向上相对布置，形成一对调光窗，每一对调光窗在垂直于第一方向的第二方向上呈依次排列；所述多个移动杆中的每个对应连接一个调光窗；所述控制器连接所述多个移动杆。通过控制器控制调光窗的透过率，不需要使用电机控制过滤棒移动，可以缩小透光窗的尺寸，增加透光窗的数量，从而快速且细微的调整关键尺寸一致性。并且，还能够提升产品的收率。
一种可调狭缝装置光刻调节方法

[发明专利]制备癌症干细胞球状体的方法或试剂盒和筛选药物的方法-CN202010684093.X在审
发明人：全相镕;宋晙赫;李大烨;李瑜渼 -专利权人：韩国科学技术院
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C12N5/095 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备癌症干细胞球状体的方法或试剂盒以及利用制备的癌症干细胞球状体筛选癌细胞抗性治疗药物的方法。癌症干细胞球状体可以以简单的方式制备，制备的癌症干细胞球状体可以有效地用于筛选癌细胞抗性治疗药物。
制备癌症干细胞球状方法试剂盒筛选药物

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