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[发明专利]用于光刻胶图案化的光刻处理窗增强-CN202180019576.0在审
发明人： 戴辉雄;芒格什·阿肖克·邦阿;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;克里斯托弗·S·恩盖;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：一种用于在光刻处理期间增强焦深处理窗的方法包括在设置在基板上的材料层上施加包括光酸产生剂的光刻胶层，在光刻曝光处理中，使未受光掩模保护的光刻胶层的第一部分暴露于光辐射，在曝光后烘烤处理中向光刻胶层提供热能，在实行曝光后烘烤处理的同时，施加电场或磁场，和在向光刻胶层提供热能的同时，动态地改变所产生的电场的频率。
用于光刻图案处理增强

[发明专利]一种2-取代吲哚螺环化合物的制备方法及产品-CN202110245016.9在审
发明人： 戴辉雄;张俊;马彪 -专利权人：中国科学院上海药物研究所
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明属于有机合成领域，具体地，涉及一种2‑取代吲哚螺环化合物的制备方法及产品。本发明在铑催化剂的催化下，将2‑取代O‑特戊酰1‑吲哚羟肟酸与重氮化合物进行反应，得到式I所示的2‑取代吲哚螺环化合物化合物。本发明的方法不仅效率高、选择性高、经济环保，同时步骤少、操作简便，而且对底物的适用范围广，具有非常良好的原子经济性。
一种取代吲哚环化制备方法产品

[发明专利]图案化的方法-CN202210535376.7在审
发明人：赛门·罗芙尔;约翰·哈塔拉;亚当·普兰德;戴辉雄 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供层，所述层具有多个孔；以及沿轨迹引导多个离子以沿第一方向拉长所述多个孔，所述第一方向在由所述衬底的前表面界定的衬底平面内延伸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。
图案方法

[发明专利]将衬底图案化的方法-CN201680048977.8有效
发明人：赛门·罗芙尔;约翰·哈塔拉;亚当·普兰德;戴辉雄 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征具有沿衬底平面内的第一方向的第一尺寸及沿所述衬底平面内的第二方向的第二尺寸，其中第二方向垂直于第一方向；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于衬底平面的垂线以非零入射角沿第一方向将第一曝光中的第一离子引导至表面特征；其中第一曝光沿第一方向蚀刻表面特征，其中在所述引导之后，表面特征保持沿第二方向的第二尺寸，且其中所述表面特征具有沿第一方向的不同于第一尺寸的第三尺寸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。
衬底图案方法

[发明专利]光刻模拟和光学邻近校正-CN202080065502.6在审
发明人： 戴辉雄;芒格什·阿肖克·邦阿;平克什·罗希特·沙阿;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;史蒂文·希隆·韦尔奇;克里斯托弗·小·唯格·恩盖;怡利·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及光刻模拟和光学邻近校正。场引导曝光后烘烤工艺使得能够改善光刻性能，并且这样的工艺的各种参数包括于根据本文所述的实施方式产生的光学邻近校正模型中。光学邻近校正模型包括以下一个或多个参数：各向异性酸蚀刻特性、离子产生和/或运动特性、电子运动特性、空穴运动特性和化学反应特性。
光刻模拟光学邻近校正

[发明专利]用于电场引导的光刻胶图案化工艺的膜结构-CN201980083895.0在审
发明人： 戴辉雄;芒格什·邦阿;克里斯托弗·S·恩盖;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;怡利·Y·叶;史蒂文·希隆·韦尔奇 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本文提供了用于最小化藉由光刻法所形成的线中的线缘/线宽粗糙度的方法和设备。在一个实例中，一种处理基板的方法包括以下步骤：将包括光酸产生剂的光刻胶层施加到设置在基板上的多层上，其中所述多层包括由有机材料、无机材料、或有机材料与无机材料的混合物所形成的下伏层；在光刻曝光工艺中将所述光刻胶层的未被光掩模保护的第一部分暴露于辐射光；和施加电场或磁场以实质上在垂直方向上变更所述光酸产生剂所产生的光酸的移动。
用于电场引导光刻图案化工膜结构

[发明专利]内酰胺类化合物及其制备方法-CN201510882223.X有效
发明人：余金权;戴辉雄;孔维俊;刘悦进;徐辉 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C07D205/02 文献下载
摘要：本发明公开了内酰胺类化合物及其制备方法。本发明的制备方法包括：在惰性溶剂的存在下，在钯催化剂的催化下，在氧化剂的作用下，将式I化合物与式II化合物进行反应，得到式III或者式IV化合物。本发明的制备方法可使用空气作为氧化剂，无需任何的添加剂，反应速度快，反应体系干净，而且反应的副产物仅为一分子H2O，非常原子经济，符合经济环保的可持续发展技术要求，且操作简便，能在温和条件下实施，成本低廉。
内酰胺化合物及其制备方法

[发明专利]辊对辊式晶片背面颗粒及污染移除-CN201580032653.0有效
发明人： C·S·恩盖;戴辉雄;L·戈代;E·Y·叶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：公开了颗粒清洁组件以及用于清洁的方法。一个范例中，描述一种用于从基板的背侧表面移除颗粒的装置。该装置包括：腔室主体，具有基板夹持装置；颗粒清洁制品，定位于该基板支撑表面上方；光学感测装置，定位在该颗粒清洁制品下方；以及基板定位装置，将该颗粒清洁制品与基板分开。另一范例中，公开一种用于从基板移除颗粒的方法。该方法包括将具有处理表面与支撑表面的基板定位在处理腔室中。该基板的至少一部分可被夹持到基板夹持装置，该基板夹持装置具有基板支撑表面，且颗粒清洁制品定位于该基板支撑表面上。该基板随后从留下颗粒的该颗粒清洁制品分离。
晶片背面颗粒污染

[发明专利]利用离子植入的极紫外光光致抗蚀剂的效能改善-CN201880048752.1在审
发明人：崔斯坦·马;戴辉雄;安东尼·雷诺;约翰·哈塔拉;约瑟·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种对衬底进行图案化的方法可包括：在所述衬底上提供毯覆式光致抗蚀剂层；向所述毯覆式光致抗蚀剂层中执行植入物质的离子植入程序，所述植入物质在极紫外光(EUV)范围中的波长下包括增强的吸收效率；以及在所述执行所述离子植入程序之后，执行图案化曝光，以将所述毯覆式光致抗蚀剂层曝光于极紫外光辐射。
利用离子植入紫外光光致抗蚀剂效能改善

[发明专利]使用离子处理图案化特征的技术-CN201780016912.X在审
发明人：赛门·罗芙尔;戴辉雄;郎军;约翰·哈塔拉 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。
表面特征离子衬底衬底平面特征位置特征形状反应性入射角曝光蚀刻图案化特征离子处理离子撞击撞击表面不带电垂线对层非零射出沉积

[发明专利]一种制备3-亚氨基异吲哚啉酮类化合物的方法-CN201410307064.6有效
发明人：余金权;戴辉雄;刘悦进;徐辉;孔维俊;商明 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C07D209/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备3‑亚氨基异吲哚啉酮类化合物的方法。具体地，本发明公开了一种通过钯催化C–H键活化方式来制备式I所示的3‑亚氨基异吲哚啉酮类化合物的方法，包括步骤：在惰性溶剂的存在下，在钯催化剂的催化下，在氧化剂的作用下，将式II化合物(N‑烷氧基酰胺类化合物)与式III化合物(异腈类化合物)进行反应，得到式I化合物。其中，式I、式II、式II化合物结构详见说明书。该方法效率高、选择性好、经济环保，同时该方法步骤少、操作简便，而且对底物的适用范围非常地广，具有非常良好的原子经济性。本发明还提供了式I化合物的进一步转化的方法。
酮类化合物异吲哚啉亚氨基式II 制备类化合物氧化剂化合物结构烷氧基酰胺原子经济性惰性溶剂钯催化剂钯催化式III 底物活化异腈催化转化环保

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