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[发明专利]一种变压器接地结构-CN202111543636.7有效
发明人：刘骐豪;陈之光;董汉林;付栋;王会诚;马光禄;荣文光;张波;刘道寰;李进;宋元勇;胡波;孙丽梅;逯飞;耿佃新;张超;王宁信;张玉峰;聂巾帼;孙明德;王子刚;田甜;高彧;陈童;穆洪英;马延超;田昭霞;田真;彭萌;李海龙;刘姝含;宋金秀;张秋艳;吴飞;张楠;赵可富;李晓晨;李峰;周昕;荆现亮;毕征程;吕倩;窦荣博;商红超 -专利权人：国网山东省电力公司桓台县供电公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01R4/66 文献下载
摘要：本发明涉及变压器接地结构技术领域，具体的说是一种变压器接地结构，包括多个接地结构，所述接地结构包括接地板，所述接地板上等距设置有多个安装孔，所述接地板上包裹有绝缘层，相邻的两个所述接地板之间通过固定结构固定，所述固定结构上设有用于对固定结构进行驱动的驱动结构；所述绝缘层的设置便于对接地板进行防护，提高了安全性，同时有效防止接地板腐蚀，提高了接地板的稳定性，当需要将相邻的接地板连接时，只需去除连接部位的绝缘层就可以安装，操作方便，同时绝缘层去除后使安装孔外露，便于与导电板连接，增大了接触面积，使导电效果更好，同时具有对接地板定位作用，使接地板安装更加规范。
一种变压器接地结构

[发明专利]一种PCB板的缺陷打标方法及设备-CN202210846679.0有效
发明人：张超;张骏;陈锐钊 -专利权人：深圳明锐理想科技有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种PCB板的缺陷打标方法及设备，该方法包括：通过获取PCB板的图像信息；根据图像信息中的元件信息确定PCB板的缺陷类型和缺陷严重程度，并根据缺陷类型和缺陷严重程度确定PCB板为复检板或销毁板；控制打标笔对复检板和销毁板按照预设的打标方式进行打标。本发明公开的PCB板的缺陷打标方法，可以识别PCB板的缺陷类型和缺陷严重程度，并将其分类为复检板或销毁板，对复检板和销毁板按照预设打标方式进行打标操作，方便人工复检时能够一眼就看出缺陷类型和缺陷严重程度，并对其进行维修或者回收，有益于工厂节约成本并提高人工复查效率，从而提高生产效率。
一种 pcb 缺陷方法设备

[发明专利]一种盐酸伊伐布雷定及其中间体的制备方法-CN202211024863.3有效
发明人：康彦龙;张超;赵凯;陈婷婷 -专利权人：江苏永安制药有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C07D223/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种盐酸伊伐布雷定及其中间体的制备方法，所述盐酸伊伐布雷定的制备方法包括如下步骤：步骤1：SM‑A0经N‑乙酰‑L‑谷氨酸拆分，得到SM‑A1；步骤2：SM‑A1与氯甲酸乙酯反应，得到SM‑A2；步骤3：SM‑A2经红铝还原得到SM‑A；步骤4：SM‑A与SM‑B对接得到Base；步骤5：Base在氯化氢的乙醇溶液作用下成盐酸盐，得到BA‑IBD粗品；步骤6：BA‑IBD粗品在甲苯与N‑甲基吡咯烷酮作用下转晶，得到盐酸伊伐布雷定。
一种盐酸布雷及其中间体制备方法

[发明专利]电化学抛光方法-CN202211581781.9有效
发明人：张超;张丽;张佳悦 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C25F3/24 文献下载
摘要：本申请提供一种电化学抛光方法，电化学抛光方法包括以下步骤：步骤S1，在待抛光件的外表面形成金属盐液体膜，金属盐液体膜包覆待抛光件的外表面，得到覆膜件；其中，金属盐液体膜由金属盐溶液形成，金属盐溶液包括金属盐和溶剂，金属盐中的金属离子包括电解金属离子，电解金属离子为待抛光件电解后产生的金属离子，溶剂的运动粘度为35mm2/s～45mm2/s；步骤S2，将覆膜件置于电解液中；电解液包括金属盐的阴离子；步骤S3，以覆膜件为工作电极，对覆膜件进行电化学抛光。该电化学抛光方法适用于对金属结构件进行抛光，不仅保证抛光效果好，还能够保持金属结构件的形状精度，利于提升与其他结构件进行装配的装配精度。
电化学抛光方法

[发明专利]模糊测试处理方法、装置、模糊测试系统及存储介质-CN202310665048.3有效
发明人：张超;牟思睿 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本申请提供一种模糊测试处理方法、装置、模糊测试系统及存储介质，涉及软件测试技术领域，方法包括：构建闭源操作系统的虚拟运行环境，并在虚拟运行环境中模拟运行闭源操作系统的内核；录制内核在运行过程中程序的执行轨迹；对执行轨迹进行重放，并在重放过程中根据所捕捉的内核中的关键执行动作，获取内核中的系统调用接口的描述信息；描述信息用于生成符合内核的系统调用接口要求的模糊测试用例，描述信息包括系统调用列表，以及，每个系统调用接口所需的参数数量以及每个参数的数据类型。本申请的方法，提高了针对闭源操作系统的模糊测试效率。
模糊测试处理方法装置系统存储介质

[发明专利]存储器件及其多遍编程操作-CN202180001045.9有效
发明人：张超;李跃平;李海波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：在某些方面中，一种存储器件包括：具有多行存储单元的存储单元阵列；分别耦合至多行存储单元的字线；以及通过字线耦合至存储单元阵列的外围电路。每个存储单元被配置为将N位数据段存储在2N个级中的一个级中，其中，N是大于1的整数。该级对应于2N个N位数据段中的一个N位数据段。外围电路被配置为在第一遍中对一行目标存储单元编程，从而基于将存储在目标存储单元中的N位数据段将该行目标存储单元中的每个编程到2N/m个中间级中的一个中间级中，其中，m是大于1的整数。外围电路还被配置为在第一遍之后的第二遍中对该行目标存储单元编程，从而基于将存储在目标存储单元中的N位数据段将每个目标存储单元编程到2N个级中的一个级中。
存储器件及其编程操作

[发明专利]一种充电装置及其应用其的车辆搬运器充电系统-CN201811251699.3有效
发明人：马杏华;张超;伍锡红 -专利权人：深圳怡丰自动化科技有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B60L53/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种充电装置及其应用其的车辆搬运器充电系统，其中，充电装置包括：基座、设置在基座上的充电接头以及滑盖，其中，滑盖盖设与充电接头上且与基座滑动配合；充电装置通过滑盖相对基座滑动以使得充电接头露出后与待充电装置相匹配连接。本申请通过在车辆搬运器上的挡板抵接滑盖使得滑盖可以相对基座滑动使得充电接头露出后与待充电装置充电，因此可以提高充电装置的安全性能，以避免人员不小心碰触到充电接头而发生触电事故。
一种充电装置及其应用车辆搬运系统

[发明专利]一种基于电流变液的分形结构声学超材料-CN202010315100.9有效
发明人：张超;刘国强;夏慧;郁殿龙;尹剑飞 -专利权人：中国科学院电工研究所;中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G10K11/162 文献下载
摘要：一种基于电流变液的分形结构声学超材料，其分形结构声学超材料基体(1)为长方体结构，由水平截面为凹形和凸形的两部分嵌套组成，凹形部分和凸形两部分之间的空腔形成流道(2)；流道(2)的水平截面形状为Hilbert分形曲线；流道(2)中填充满电流变液(3)，两侧壁贴附金属电极(4)，金属电极的出线端子与直流电源(10)连接。当声波传输至声波入射面(6)时，由于基于电流变液的分形结构声学超材料(11)的强反射及等效高折射率的特性，使特定频率下目标区域的声压降低。调节直流电源(10)的电压，使基于电流变液的声学超材料(11)的隔声频率发生偏移，以此调控声学超材料的隔声频率。
一种基于流变结构声学材料

[发明专利]一种钢结构建筑填充墙制造方法-CN202010623093.9有效
发明人：陈孟鑫;张航通;田磊;宋新利;张超 -专利权人：河南天丰钢结构建设有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： E04B2/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种钢结构建筑填充墙制造方法，采用两遍喷涂成型工艺，第一遍向支模板和内侧龙骨架喷涂石膏素浆，经过设定时间初凝后形成打底浆料层，所述支模板位于内龙骨架的一侧；第二遍直接喷涂石膏复合浆料至设定厚度，然后凝固成型墙体；最后找平并拆除所述支模板。两遍喷涂即可喷筑成型石膏墙体，不需要在现场转运石膏砌块，不会过多占用现场施工环境下，现场施工效率高，施工方便。
一种钢结构建筑填充制造方法

[发明专利]一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN202011422946.9有效
发明人：谭秋红;任丽;张超;张霞;赵吉玉;杨志坤;蔡武德 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括柔性透明导电基底、P型薄膜晶硅窗口层、柔性钙钛矿光吸收层、柔性电子传输层和柔性背电极，柔性透明导电基底由第一柔性衬底通过直流溅射法沉积透明导电金膜制成；P型薄膜晶硅窗口层设在柔性透明导电基底的背侧；柔性钙钛矿光吸收层设在P型薄膜晶硅窗口层、柔性电子传输层之间，柔性电子传输层为超薄聚乙烯亚胺薄膜修饰的二氧化锡电子传输层，柔性背电极由第二柔性衬底通过磁控溅射法沉积多层Mo薄膜形成。本发明结构设计合理，大幅提高太阳电池的柔性，制得的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池适用于作为光伏粘贴膜使用。
一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种基于数字孪生技术的多能源系统稳定性判别方法-CN202210047577.2有效
发明人：陈远东;孟辉;张海龙;史文江;张超;汪振宇;阎乃臣;顾大可 -专利权人：国网内蒙古东部电力有限公司检修分公司;国家电网有限公司;东北电力大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于数字孪生技术的多能源系统稳定性判别方法，涉及电力系统技术领域。该方法采集多能源系统中的光伏发电站、风电站、热电厂和储能装置的运行状态数据，并得到这些能源出力的影响因子；通过数字孪生技术将多能源系统运行在不同状态下，并将关键设备运行考虑进来，计算出数字孪生后多能源系统各能源出力的影响因子；通过数字孪生后的各能源出力的影响因子计算多能源系统稳定性影响因子；根据计算出的多能源系统稳定性影响因子进行能源系统的稳定性判定。该方法通过数字孪生后各能源出力的影响因子计算多能源系统稳定性影响因子，进而通过该稳定性影响因子判断多能源系统的稳定性。
一种基于数字孪生技术多能系统稳定性判别方法

[发明专利]一种静电旋杯喷枪-CN202310904092.5有效
发明人：张超;张昭;刘娜;刘金锋;陈晓杰 -专利权人：山东九鸿新材料集团有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B05B5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电旋杯喷枪，涉及静电喷射装置领域能使喷雾带电的喷射装置，包括喷枪外壳、进漆接头、马达、隔离罩、排气机构和雾化旋杯，所述喷枪外壳的中部嵌入安装有导气盘，所述喷枪外壳的开口侧边缘通过螺纹环与隔离罩进行螺纹连接。该静电旋杯喷枪，推拉电磁铁带动调节柱沿着操作孔横移，使得菱形结构的挡块在变向槽内调换位置来实现直通道和V形通道的切换使用，当连接套旋转带动辅助轮沿着定向槽进入到V形通道时，雾化旋杯在旋转打散油漆液时还能沿着旋转轴的轴线方向伸缩运动，可以改变雾化旋杯与隔离罩开口侧边缘之间的出风口间隙，进而将涂料喷涂面进行波动式调整，避免静电旋杯喷枪在喷涂工件时产生喷涂死角和盲区。
一种静电喷枪

[发明专利]一种航班业务主键处理方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310961856.4有效
发明人：周天禄;陈建;刘卫东;卿波;李旺;房天谋;邓定宇;张超;倪佳;赵靖杰;方锐;吴万兵 -专利权人：中国民用航空总局第二研究所;民航成都信息技术有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F16/22 文献下载
摘要：本申请提供了一种航班业务主键处理方法、装置、电子设备及存储介质，航班业务主键处理方法包括：检测当前航班数据的航班运行状态信息是否满足标准航班运行条件；若是，则获取当前航班数据的航班号信息、航司信息、计划执行日期，基于航班业务主键生成规则对航班号信息、航司信息以及计划执行日期进行处理，生成当前航班数据的目标航班业务主键，并将当前航班数据以及相对应的目标航班业务主键存储至航班数据库之中，以使根据航班业务主键获取到当前航班的全面业务数据信息；其中，目标航班业务主键为航班相对应的多个飞行航段的唯一业务账号信息。以方便根据一个航班业务主键对应的航班数据了解到该航班的全貌数据，提高了航班数据处理的效率。
一种航班业务主键处理方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种基于自动化和CR技术的X射线焊缝检测装置-CN202311044210.6有效
发明人：陈航;马兰;张超;范瑞峰;崔健;刘谋斌;罗琳;王晨 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自动化和CR技术的X射线焊缝检测装置，该X射线焊缝检测装置包括工件定位模块、工件输送模块、工件存储模块、CR成像模块、图像分析模块、检测结果生成模块以及控制模块，工件定位模块、工件输送模块、工件存储模块、CR成像模块、检测结果生成模块和图像分析模块分别与控制模块电连接。实施本发明有利于提高焊缝品质检测的自动化程度。
一种基于自动化 cr 技术射线焊缝检测装置

[发明专利]低压降二极管及其制造方法-CN202311051317.3有效
发明人：张超;黎重林;庄翔;胡潘婷 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供了一种低压降二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，在N+型掺杂类型的衬底上，光刻出注入孔内疏外密且内小外大的注入图形，并注入第二设定浓度的掺杂离子，进行去胶和清洗，在去胶和清洗结束后，外延生长N型漂移区，随后进行高温扩散，以使注入的掺杂离子在N型漂移区的底部四周形成N型补偿区，并在N型漂移区上形成主结和场限环，以制造出低压降二极管，使二极管的N型漂移区的底部四周存在越靠近边缘浓度越高的N型补偿区，从而使主结的耗尽层刚好截止在N型补偿区边界，不影响击穿电压，并提高N型漂移区四周及场限环下方的载流子浓度，以降低N型漂移区的电阻，进而极大地减小二极管的导通压降。
低压二极管及其制造方法