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[发明专利]叉指型变容二极管及其制备方法-CN202310954490.8在审
发明人：付兴中;侯钧杰;周国;宋洁晶;李保第;戴峰;胡泽先;刘亚亮;张力江;崔玉兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明提供一种叉指型变容二极管及其制备方法，其中，制备方法包括在P型欧姆接触层上的第一预设区域制备第一叉指P型欧姆接触电极；对设有第一叉指P型欧姆接触电极的P型欧姆接触层进行刻蚀，使得刻蚀后得到的刻蚀台面的侧壁与N型欧姆接触层之间有一夹角；在N型欧姆接触层上的第二预设区域和第三预设区域分别制备第二叉指N型欧姆接触电极和第三叉指N型欧姆接触电极；对设有第二叉指N型欧姆接触电极、第三叉指N型欧姆接触电极和第一叉指P型欧姆接触电极的N型欧姆接触层进行刻蚀，直至露出半绝缘衬底；然后半绝缘衬底上生长金属层，以形成叉指型变容二极管。本发明制备的变容二极管具有较小的电容和电阻。
叉指型变容二极管及其制备方法

[发明专利]谐振器及滤波器-CN201910328545.8有效
发明人：李亮;李宏军;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;钱丽勋;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器及滤波器。该谐振器包括衬底、下电极层、上电极层和环；其中，环设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上。所述衬底和所述下电极层之间形成有具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上；通过设置环及腔体，使谐振器形成一种新型的谐振器结构，具有较好的性能。
谐振器滤波器

[发明专利]声学谐振器和滤波器-CN201910328566.X有效
发明人：李亮;钱丽勋;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；以及桥部，其与所述多层结构的末端相邻，且与所述上电极层的一部分重叠，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
声学谐振器滤波器

[发明专利]基于机器学习图形自动识别的激光隐形划片装置-CN202211733037.6在审
发明人：李纪东;易飞跃;张彪;杨顺凯;孙晓丹;李保第;张力江;闫荟羽 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于机器学习图形自动识别的激光隐形划片装置，包括：工作台、加工装置、控制器和摄像装置，工作台被构造成用于承载晶圆；加工装置设置于工作台且与晶圆相对设置，加工装置被配置成可提供激光，激光在加工装置的控制下作用到晶圆上，以对晶圆进行切割；控制器被配置成与加工装置通讯连接，控制器用于根据晶圆的图像信息生成晶圆切割路线，并根据晶圆切割路线控制加工装置切割晶圆；摄像装置与工作台相对设置，且摄像装置与控制器通信连接，摄像装置用于采集工作台上承载的晶圆的图像信息，并发送至控制器。这样，由于使用摄像装置进行图像识别，能够节省了切割工序，提升切割效果，降低加工成本，提升使用效率。
基于机器学习图形自动识别激光隐形划片装置

[实用新型]基于图像识别的加工装置和激光隐形切割设备-CN202223603201.X有效
发明人：李纪东;易飞跃;张彪;杨顺凯;孙晓丹;李保第;张力江;闫荟羽 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于图像识别的加工装置和激光隐形切割设备，加工装置包括包括：安装座、驱动组件、激光切割组件和摄像装置；驱动组件承载于安装座上；激光切割组件与驱动组件传动连接，驱动组件驱动激光切割组件移动，激光切割组件包括激光切割头，激光切割头被构造成提供激光到晶圆上进行晶圆切割；摄像装置设于激光切割组件背离驱动组件的一侧，摄像装置与晶圆相对设置，以采集晶圆的图像信息。这样，通过在加工装置上设有摄像装置，摄像装置能够对晶圆进行识别，以节省了确定mark点的工序，提升加工效率。且加工装置会根据摄像装置图像识别的数据进行分析后进行晶圆切割，晶圆的切割过程更为准确可靠，避免晶圆的浪费，降低生产成本。
基于图像识别加工装置激光隐形切割设备

[发明专利]具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法-CN201910328580.X有效
发明人：李亮;李丽;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;钱丽勋;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括晶种层、下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种具有晶种层的新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
具有晶种层谐振器滤波器制备方法

[实用新型]SiC沟槽MOSFET器件-CN202223044477.9有效
发明人：李波;刘相伍;廖龙忠;陟金华;张志国;安国雨;付兴中;刘佳霖;张力江;周国;商庆杰;高昶;冯旺 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SiC沟槽MOSFET器件，包括衬底层，所述衬底层的上侧有外延形成的N‑漂移区，所述N‑漂移区的上表面形成有栅区沟槽，所述栅区沟槽的底部和侧壁形成有二氧化硅层，所述沟槽内二氧化硅层上的剩余间隙被栅极多晶硅填充，所述栅区沟槽的左右两侧均有一个P阱区域，每个所述P阱区域上分别形成N+区域和P+区域，所述多晶硅的上表面形成有栅极，所述栅极的两端延伸到所述N+区域边缘，所述P+区域的上表面各形成有一个源极，且所述源极延伸到所述N+区域的上表面，所述衬底层的下表面形成有漏极。所述器件中沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度，解决了沟槽拐角处易提前击穿问题，提高了器件可靠性。
sic 沟槽 mosfet 器件

[发明专利]激光划片测高方法-CN202210755469.0在审
发明人：李纪东;易飞跃;杨顺凯;李保第;张力江;闫荟羽 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供一种激光划片测高方法，包括：控制水平运动平台在水平平面内运动，其中，所述水平运动平台在水平平面内的运动过程至少包括加速阶段和减速阶段；在水平运动平台开始运动时，控制测高仪开始以预定的周期采样，以使测高仪至少在加速阶段和减速阶段的其中之一获得测量目标在多个位置的高度数据；对所述测高仪获得的高度数据进行函数逼近处理，以获得所述高度数据与运动坐标所构成的函数；依据激光划片的加工坐标，在所述函数上确定测量目标的高度。本发明提供的激光划片测高方法，能够在水平运动平台的运动全过程进行测量，有利于提高激光划片的效率和精度。
激光划片测高方法

[发明专利]SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法-CN202211434790.5在审
发明人：李波;刘相伍;廖龙忠;陟金华;张志国;安国雨;付兴中;刘佳霖;张力江;周国;商庆杰;高昶;冯旺 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法，包括如下步骤：在清洗后的SiC外延片上完成对P阱区域、N+区域、P+区域的离子注入及高温激活；在外延片对应栅区的位置通过刻蚀形成栅区沟槽；在SiC外延层上表面淀积一层二氧化硅，淀积厚度大于等于沟槽开口宽度的一半，使沟槽闭合；光刻定义侧壁剩余厚度，使用干刻设备刻蚀沟槽侧壁多余厚度的二氧化硅层，使沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度并淀积多晶硅；多晶硅刻蚀及源接触孔刻蚀，保留沟槽内的多晶硅；完成源、漏端的欧姆接触和栅电极的制备。所述方法可以更好的控制槽栅氧化层的形貌，使沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度，解决沟槽拐角处易提前击穿问题，提高器件可靠性。
sic 沟槽 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]微带电路调试方法及调节模块-CN202110350859.5有效
发明人：默江辉;王川宝;马杰;张力江;崔玉兴;高永辉;徐守利;蔡树军;卜爱民 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种微带电路调试方法及调节模块，包括：制作调节模块，调节模块为金属块状物，金属块状物的宽度小于等于待测微波器件波长的四分之一，组装微波测试系统，将一个或多个调节模块放置在微带电路上；调试：借助绝缘夹将调节模块沿微带线延伸方向移动，并实时记录微波测试仪测定的微波器件的功率；阻抗匹配：标记微波器件功率最大时、调节模块对应的位置，在该位置上固定与调节模块的长度和宽度匹配的铜带或铟片；对固定铜带或铟片的微带电路重复调试和阻抗匹配步骤，直至所述微波器件的功率不再变化。本发明提供的微带电路调试方法及调节模块保证了器件测试的稳定性、准确性，保证了微波模块效率的持续提升。
微带电路调试方法调节模块

[发明专利]体声波谐振器、其制作方法和半导体器件-CN201910329139.3有效
发明人：李亮;钱丽勋;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器、其制作方法和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；所述下电极层或所述上电极层的内部设有凹槽，所述凹槽内部填充有与对应电极层的电极材料不同的填充材料。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，在所述下电极层或所述上电极层的内部设置凹槽，凹槽内部填充与对应电极层的电极材料不同的填充材料，形成了一种新型的体声波谐振器结构，且具有较好的性能。
声波谐振器制作方法半导体器件

[发明专利]高迁移率的SiC MOSFET器件及其制作方法-CN202211472747.8在审
发明人：廖龙忠;杨志虎;吕鑫;刘相伍;陟金华;张力江;吴嘉兴;周国;付兴中;商庆杰;刘佳佳;吕孟山 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种高迁移率的SiC MOSFET器件及其制作方法，所述方法包括如下步骤：清洗SiC外延片，清除圆片表面沾污；在圆片表面制备掩膜，之后进行P阱离子注入。进行P+和N+的注入，注入完成后退火激活注入离子；在圆片表面淀积一层poly Si，淀积结束后在氧化，并退火，生成SiO2；刻蚀掉P+区域和N+区域多余的SiO2，露出源极区域；将电极区域进行涂胶‑曝光‑显影，之后采用溅射的方法沉积金属体系，之后去除光刻胶完成正面金属化的制作；淀积一层Si3N4保护层，隔离栅源区域，并刻蚀电极区域完成正面制作。在背面溅射金属并形成背面欧姆接触，完成背面金属电极制作。所述方法可以有效减少栅中存在的碳团簇和近界面陷阱密度，使得沟道载流子迁移率明显增高，进而使得电流能力明显提升。
迁移率 sic mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]JFET注入型N沟道SiC MOSFET器件及其制备方法-CN202211434734.1在审
发明人：刘相伍;王永维;陟金华;廖龙忠;安国雨;周国;冯旺;张力江;付兴中;商庆杰;高昶 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种JFET注入型N沟道SiC MOSFET器件及其制备方法，所述方法包括如下步骤：在外延层上淀积第一介质层作为离子注入缓冲层；将JFET区上方的第二介质层刻蚀，刻蚀后进行JFET区离子注入；淀积第三介质层，再大面积刻蚀第三介质层并终止于第二介质层，腐蚀第二介质层，自对准形成P阱注入图形，进行P阱注入；再淀积第四介质层，对第四介质层进行光刻形成N型重掺杂源区图形，自对准形成沟道；腐蚀掉第三介质层与第四介质层，光刻形成P型重掺杂接触区，进行离子注入；热氧化形成栅介质层，通过LPCVD淀积多晶硅作栅极完成正面结构。所述方法避免了光刻精度不足，且光刻步骤少，易于精确控制沟道长度，并能够降低JFET电阻，提升器件性能。
jfet 注入沟道 sic mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]半导体芯片封装外壳导热特性测试方法和测试模块-CN202210413955.4在审
发明人：默江辉;吴文刚;王川宝;马杰;王金延;孙绍瑜;张力江;崔玉兴;蔡树军;卜爱民 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所;北京大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片封装外壳导热特性测试方法和测试模块，属于半导体芯片封装外壳测试技术领域，所述测试方法包括在导热基板的上表面制作金属薄膜电阻；将制作有金属薄膜电阻的导热基板固定装配在待测的封装外壳内、并与待测的封装外壳电连接，组成封装外壳测试模块；将封装外壳测试模块安装到红外测试系统中，对金属薄膜电阻通电模拟半导体芯片的工作状态；测试金属薄膜电阻和封装外壳的表面温度，计算封装外壳的导热特性参数。本发明提供的半导体芯片封装外壳导热特性测试方法，通过简单的方法及工艺即可实现对封装外壳的热特性进行测试，不仅提高了测试的准确率，还降低了测试的成本。
半导体芯片封装外壳导热特性测试方法模块

[发明专利]碳化硅器件终端结构及其制作方法-CN201811408241.4有效
发明人：王永维;马杰;吕树海;王国清;张力江 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅器件终端结构及其制作方法。该碳化硅器件终端结构包括N+型SiC衬底、第一N‑型外延层、第二N‑型外延层、第一P型主结、P型终端、第二P型主结、第一电极层和第二电极层，通过将P型终端置于第一N‑型外延层内部远离表面的位置，使得碳化硅器件反向偏置时峰值电场位于SiC材料内部，从而能够解决现有碳化硅器件终端结构容易发生表面击穿的问题，同时还能够降低对SiC和钝化介质界面质量的要求，提高了器件的可靠性。
碳化硅器件终端结构及其制作方法

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