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[实用新型]一种分子束外延设备中的衬底托板-CN202320519270.8有效
发明人：赵旭熠;许东;王玮竹;尚金铭;唐天义 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种分子束外延设备中的衬底托板，将晶圆衬底通过卡槽固定，可以缩小晶圆衬底与衬底托板的接触面积，从而扩大了分子束外延工艺过程中晶圆衬底的可利用面积，还可以提升外延生长过程中，晶圆衬底边缘的热均匀性，从而提高晶圆生长良率；此外，由于组成内环的第一半圆环与第二半圆环之间设置有一定宽度的缝隙，从而可以兼容原始晶圆衬底存在的加工误差，并能够进一步限制晶圆衬底在生长过程中的滑动，以减少分子束外延工艺过程中在晶圆边缘产生的划痕和污染，从而提高分子束外延产品的生长良率。
一种分子外延设备中的衬底

[发明专利]赝配高电子迁移率晶体管、外延结构及制备方法-CN202210994932.7有效
发明人： 尚金铭;王玮竹;许东 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种赝配高电子迁移率晶体管、外延结构及制备方法，复合缓冲层可以在较短生长时间内充分的阻止衬底的缺陷向沟道延伸，增强器件质量；InGaAs复合沟道层In组分和各层厚度渐变，以最大限度的增加InGaAs沟道内In的含量，形成良好的二维电子气限制，从而提高二维电子气浓度和迁移率，进而增强器件质量；脉冲掺杂层中引入AlAs薄层和GaAs材料生长速率的变化还可以提高Si的掺杂效率，有效地减少杂质的吸附进一步提高沟道中二维电子气浓度；通过使用生长中断方法生长复合缓冲层以及复合沟道层，以实现不同材料的高质量生长，实现各层之间带隙的平滑过渡，从而减少界面粗糙散射和合金无序散射，进一步提高沟道层中二维电子气浓度，进而增强器件的性能。
赝配高电子迁移率晶体管外延结构制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202211677778.7在审
发明人：王玮竹;许东;沈硕珩;江灵荣;任芳;尚金铭 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：于衬底层上设置介质层；于所述介质层形成多个凹槽；于凹槽内设置成核层，成核层和介质层形成复合层；于复合层上生长金刚石层；去除衬底层，以显露出复合层；于复合层的表面设置三五族化合物层。本发明通过在金刚石层上间隔设置介质层和成核层构成的复合层，复合层作为三五族化合物层生长的成核层，同时利用间隔的成核层横向外延时湮灭位错，降低了垂直外延产生的位错密度，从而形成以金刚石为基底的低缺陷密度的高质量三五族化合物层及其构成的HEMT器件。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]出风装置、空调器及其控制方法、装置-CN202211599559.1在审
发明人：刘峰;王宪吉;罗文君;尚金铭;杨春生;周立伟 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： F24F13/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种出风装置、空调器及其控制方法、装置，其涉及空调器技术领域。其中，出风装置包括：底壳，其上设有一安装腔及与安装腔连通的上风道和下风道，安装腔内设有风机；上挡风机构，其包括第一驱动组件及上挡风板；下挡风机构，其包括第二驱动组件及下挡风板；其中，第一驱动组件驱动上挡风板移动以打开或关闭上风道，第二驱动组件驱动下挡风板移动以打开或关闭下风道。方法包括：若接收到恒温除湿指令，则根据获取的初始室内环境湿度控制上挡风板移动以打开上风道；根据获取的当前室内环境湿度控制上挡风板移动以关闭上风道，并控制下挡风板移动以打开下风道。本发明实施例可避免在除湿过程中一直吹冷风，提高了用户体感的舒适。
装置空调器及其控制方法

[发明专利]一种半导体器件结构及其制备方法-CN202211291561.2在审
发明人：王玮竹;许东;沈硕珩;江灵荣;任芳;尚金铭 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括：衬底层、埋氧层、第一基层、第二基层、第一器件结构和第二器件结构，第一基层上设置三五族化合物半导体层，第一器件结构基于三五族化合物半导体层形成，第一基层材料为金刚石薄膜。本发明通过在单片集成单元中采用金刚石作为三五族化合物器件的基底，提高了三五族化合物器件与其他器件之间的电绝缘隔离性能，减少寄生器件或漏电流，提高单片集成单元的可靠性；同时金刚石作为三五族化合物器件的基底，提高三五族化合物器件的散热效率，加强单片集成单元在大功率器件领域的应用适应性。
一种半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]一种可增大风量的控制逻辑、控制装置、介质及其空调-CN202211308506.X在审
发明人：沈洪伟;罗文君;尚金铭;周立伟;侯小丽 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： F24F11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种可增大风量的控制逻辑、控制装置、介质及其空调，通过运动进风格栅，制冷时，当室内温度值与预设温度值的差值＜X时，运动进风格栅关闭；当室内温度值与预设温度值的差值≥X时，在电机的驱动下，运动进风格栅打开，增加进风面积；制热时，当预设温度值与室内温度值的差值＜X时，运动进风格栅关闭，符合美观；当预设温度值与室内温度值的差值≥X时，运动进风格栅打开增加进风面积；这种高效率的风道结构可以将预设温度值快速的调节至我们的预设温度值，即可达到快速制冷及制热的效果，提高能效，大大提升用户的使用体验。
一种增大风量控制逻辑装置介质及其空调

[发明专利]一种高空电缆防脱落安全组件-CN202011510477.6有效
发明人：祁慧莉;李婧御;尚金铭 -专利权人：广东电网有限责任公司佛山供电局
申请日： 2020-12-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H02G7/00 文献下载
摘要：本发明涉及电缆技术领域，且公开了一种高空电缆防脱落安全组件，包括上导轨、下导轨和第一轮盘，所述上导轨的表面滑动连接有上滑块，所述上滑块的轴心处开设有滑槽，所述上导轨的表面固定连接有第一弹簧杆，所述第一弹簧杆的表面固定连接有第一弹簧。该高空电缆防脱落安全组件，通过固定连接有第二弹簧的一对带有卡块第二连杆与开设有卡槽的导柱卡紧，使下滑块连接的电缆紧固装置能更稳定的固定在电缆塔柱上；通过第一轮盘和第二轮盘皮带连接的上滑块和下滑块，使电缆损坏即将脱落时，下滑块向下滑落带动轮盘使上滑块向上滑动拉紧导杆所连接的连杆从而使导柱连接的下滑块被第二挂钩拉住，达到防止电缆脱落的效果，为人们的生命安全提供保障。
一种高空电缆脱落安全组件

[发明专利]渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法-CN201810959840.9有效
发明人：张一;牛智川;张宇;徐应强;杨成奥;谢圣文;邵福会;尚金铭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法，其中，渐变掺杂宽波导带间级联激光器，包括：衬底；以及自下而上依次外延的下波导包层、下分别限制层、级联区、上分别限制层、上波导包层、以及上接触层；其中，下分别限制层和上分别限制层的厚度为百纳米到微米量级，并且下分别限制层和上分别限制层都是渐变掺杂，使得下分别限制层和上分别限制层的两端掺杂浓度相对较高，中心区域掺杂浓度相对较低。该渐变掺杂宽波导带间级联激光器有效提高了光学限制因子，增加光学增益；有效的降低异质结面的电压降，提高光电效率，减小自由载流子吸收，减小器件的损耗；并能降低工作电压，提高工作效率。
渐变掺杂波导级联激光器及其制备方法

[发明专利]多波长集成单模激光种子源-CN202110818874.8在审
发明人：王天放;牛智川;杨成奥;张宇;徐应强;陈益航;张一;尚金铭;刘冰 -专利权人：中国科学院半导体研究所;南京国科半导体有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明提供了一种多波长集成单模激光种子源，包括：一个集成温控的旋转平台；多个激光器管芯，每个激光器管芯分别具有不同的增益谱峰值；一个光纤分束器，包括：输入端的一支输入光纤和输出端的多支光纤光栅，其中，输入光纤固定于与激光器管芯耦合的最佳位置处，多支光纤光栅同时接收与输入光纤耦合的激光器管芯输出的激光；其中，每支光纤光栅分别具有与每个激光器管芯增益谱峰值对应的光栅反射谱，能够对相应的激光器管芯进行选模，从而实现特定波长的单模激光输出。
波长集成单模激光种子

[发明专利]中红外GaSb基半导体碟片激光器-CN202010088210.6有效
发明人： 尚金铭;牛智川;张宇;杨成奥;张一;谢圣文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本公开提供一种中红外GaSb基半导体碟片激光器，包括：铜热沉，该铜热沉上有一凹槽；TEC散热模块，位于所述铜热沉下，用于加电流之后控制热沉的温度；芯片模块，对应所述凹槽设置于所述铜热沉上部，包括一外延芯片，以及分别键合于所述外延芯片上下表面的SiC散热片；铜模块，包覆于所述芯片模块外，其上表面有一锥形的凹槽，并包括一个圆形的透光口；泵浦源，该泵浦源为商用激光器；聚焦准直系统，该聚焦准直系统可以将泵浦源的光聚焦在外延芯片上表面；以及输出耦合镜，位于外延芯片上面的轴线处；其为平凹镜，其凹面镀高反膜，平面镀增透膜。
红外 gasb 半导体碟片激光器

[发明专利]一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法-CN202010281514.4有效
发明人：张一;牛智川;张宇;徐应强;杨成奥;谢圣文;邵福会;尚金铭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法，包括：GaSb衬底，以及在GaSb衬底上依次外延生长的下限制层、下波导层、有源级联区、上波导层、上限制层以及上接触层；其中，有源级联区包含多个周期，每个周期包含注入区与有源区，在注入区中，电子的能量被提升至第一能级，在提升至第一能级后，电子被注入有源区，在有源区中，电子从第一能级跃迁至第二能级，并在跃迁过程中发光，第二能级低于第一能级，在跃迁至第二能级后，电子利用声子从第二能级跃迁至第三能级，第三能级低于第二能级，在跃迁至第三能级后，电子被注入下一个周期的注入区。本公开提供的中红外锑化物量子级联激光器可以覆盖整个中红外波段。
一种红外锑化物量子级联激光器及其制备方法

[发明专利]一种中红外波长全覆盖可调谐光模块-CN202010061988.8有效
发明人：张一;牛智川;张宇;徐应强;杨成奥;谢圣文;邵福会;尚金铭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：一种中红外波长全覆盖可调谐光模块，该可调谐光模块包括至少两个有源光器件、一个闪耀光栅和一个高反射金镜，其中：所述至少两个有源光器件，设置于可旋转圆柱体上，且在可旋转圆柱体旋转至指定位置时发射光；闪耀光栅，用于将接收自有源光器件的光分成两部分，其中一部分反射回有源光器件，另一部分反射至高反射金镜；高反射金镜，用于将自闪耀光栅入射的光以固定的方向输出。本发明通过闪耀光栅将反射至高反射金镜中的光的波长进行调谐，扩大有源光器件发射的光的波长范围，实现了中红外波长的全覆盖，可适用于不同波长的气体检测，同时可调谐光模块采用多个单元组成，体积较小，可以便于运输和存储。
一种红外波长覆盖调谐模块

[发明专利]单片集成级联量子阱宽调谐中红外激光器及制备方法-CN202011242900.9在审
发明人：张一;牛智川;张宇;徐应强;杨成奥;谢圣文;邵福会;尚金铭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本公开提供了一种单片集成级联量子阱宽调谐中红外激光器，该激光器的量子阱级联区将具有不同发光波长量子阱级联串联，使该有源区的发光波长的增益谱线可以覆盖较大的波长范围，通过分布反馈式采样光栅对不同发光波长的光进行调谐，并利用光束耦合区的S形弯曲波导进行片上光耦合，最终通过一个平板波导实现单横模的激光输出。该激光器可实现整个单片集成激光器的中红外宽调谐输出，其输出模式为单横模单纵模激光输出，可调谐范围可覆盖中红外波长2‑4μm以上，具有体积小、重量轻、可调谐范围大且覆盖中红外波段的优势。本公开还提供开该激光器的制备方法，制备方法简单，成本低廉。
单片集成级联量子调谐红外激光器制备方法

[发明专利]单片集成双波长半导体激光器及其制备方法-CN201811485068.8有效
发明人：杨成奥;牛智川;张宇;徐应强;谢圣文;张一;尚金铭;黄书山;袁野;苏向斌;邵福会 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片集成双波长半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。该半导体激光器包括：第一激光器、第二激光器、第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一激光器包括第一激光器P电极，所述第二激光器包括第二激光器P电极和第二激光器桥电极；其中，所述第二激光器P电极位于第一激光器P电极与第二激光器桥电极之间，所述第一隔离槽制备于第一激光器P电极和第二激光器P电极之间；所述第二隔离槽制备于第二激光器P电极和第二激光器桥电极之间。本发明中，通过两个激光器电流和隔离槽的特殊设计，使得两个激光器可以同时或者分别单独工作。
单片集成波长半导体激光器及其制备方法

[发明专利]中红外单模激光器-CN202010088233.7在审
发明人： 尚金铭;牛智川;张宇;杨成奥;张一;谢圣文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01S3/042 文献下载
摘要：本公开提供一种中红外单模激光器，包括：激光源，用于发出准直泵浦光；增益模块，用于接收所述泵浦光并生成受激辐射光；所述增益模块，包括：碳化硅散热片；碟片晶体，位于所述碳化硅散热片表面；以及铜热沉，包覆于所述碳化硅散热片及碟片晶体外，且留有通光孔；反射镜，用于反射所述受激辐射光；输出耦合镜，与所述碟片晶体以及反射镜成三角型排布，构成一个V型谐振腔，进而获得激光输出。
红外单模激光器

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