“孙伟锋”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果698个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种静电泄放自保护的异质结半导体器件-CN202110598471.7有效
发明人：刘斯扬;黄静雯;张弛;李胜;马岩锋;陆伟豪;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电泄放自保护的异质结半导体器件，包括：缓冲层、沟道层、异质结沟道、势垒层；势垒层上表面设有金属漏电极、金属源电极；金属漏电极与金属源电极之间且接近金属源电极间隔设有由第一p型半导体层、第一n型半导体层、第二p型半导体层交替组成的栅保护区以及由第三p型半导体层与金属栅电极层叠构成的栅控制区；栅保护区a与栅控制区b之间通过高阻介质层隔离；栅保护区提供ESD电流泄放通道保护栅极免受瞬时大电流的冲击。本发明相比传统的外部ESD保护电路具有集成度高、占用面积小、寄生电容小等优点。
一种静电保护异质结半导体器件

[发明专利]沟槽栅极型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管器件-CN201910933319.2有效
发明人：张龙;曹梦玲;祝靖;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种沟槽栅极型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管器件，具备：P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型体区内并肩设有呈方波形状的重掺杂的N型发射极区和重掺杂的P型发射区，在其两侧分别设有呈方波形状的第一纵向沟槽和第二纵向沟槽。第一纵向沟槽设有由耐压介质包裹的第一多晶硅层。对于第二纵向沟槽，在与重掺杂的P型集电极区平行的部分中填充有耐压介质包裹的第二多晶硅层，在位于由重掺杂的N型发射极区指向重掺杂的P型集电极区方向上的部分中填充有耐压介质包裹的第三多晶硅层和氧化物块体，且氧化物块体位于第三多晶硅层的上方，第二多晶硅层与第三多晶硅层连接。
沟槽栅极绝缘体横向绝缘双极晶体管器件

[发明专利]一种单片集成式GaN基半桥电路及半桥电路-CN202310553782.0在审
发明人：张龙;盘成务;郑贵强;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种单片集成式GaN基半桥电路及半桥电路。单片集成式GaN基半桥电路，在导电衬底上依次设有成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，势垒层和沟道层由隔离层分割，设置二极管和集成电容、低侧管、高侧管、第一集成电阻器及第二集成电阻器。半桥电路包括：低侧管及高侧管，低侧管的漏极与高侧管的源极连接有输出端子Vout，低侧管衬底与高侧管衬底连接，在高侧管漏极与低侧管源极上并接一串联电阻，串联电阻由第一集成电阻器和第二集成电阻器串联构成且串联节点连接于导电衬底；在串联节点与低侧管源极上并接有集成电容；在输出端子Vout与串联节点之间连接有二极管且二极管的阳极连接于输出端子Vout、阴极连接于所述串联节点。
一种单片集成 gan 基半桥电路

[发明专利]基于IGZO薄膜晶体管的低压差线性稳压器及其制备方法-CN202310595665.0在审
发明人：吴汪然;张宇振;俞祚旭;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种基于IGZO薄膜晶体管的低压差线性稳压器及其制备方法。制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO有源层上形成源极、漏极；对部分薄膜晶体管的IGZO有源层进行局部氢等离子体处理，形成耗尽型薄膜晶体管。本发明还提供了一种基于IGZO薄膜晶体管的LDO电路，包括基准电压子电路，误差放大子电路和调整管及反馈网络。对传统CMOS拓扑结构进行了改进，创新地利用增强型、耗尽型两种工作模式的n型IGZO薄膜晶体管实现一种柔性电源管理模块的方案和思想。
基于 igzo 薄膜晶体管低压线性稳压器及其制备方法

[实用新型]一种注塑产品冷却下料装置-CN202223542005.6有效
发明人：黄金;高歌;党鞅博;孙伟锋;李保健;宗超 -专利权人：新乡市灵骏电器有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B29C45/72 文献下载
摘要：本实用新型涉及注塑技术领域，具体为一种注塑产品冷却下料装置，包括：本体、输送辊及风冷箱，所述本体内部对称转动安装有输送辊，所述输送辊上连接有缓冲输送带，所述本体上固定有风冷箱。本实用新型通过半导体制冷片对吹入风冷箱内的空气进行降温后向下通过喷气头对产品风吹，能够快速对其风冷定型；通过缓冲输送带及缓冲保护层的设置能够防止产品碰撞损坏。
一种注塑产品冷却装置

[发明专利]具有结型场板的DMOS器件及其制造方法-CN202111682019.5在审
发明人：林峰;许超奇;陈淑娴;李春旭;卢丽;刘斯扬;孙伟锋 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司;东南大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有结型场板的DMOS器件及其制造方法，漏区在半导体基底的表面，源区在第一沟槽的底部的半导体基底中，栅极在第一沟槽的底部，由此实现了纵向耐压，可以缩小整个器件的尺寸，降低导通电阻，极大的优化了耐压和导通电阻的关系。结型场板使得降低表面电阻的效果得到了提升，同时DMOS器件中的沟槽深度可以减小，从而减小了器件的深宽比，进而提高了提升耐压档位的可行性。所述DMOS器件中的源区和漏区均在同一表面引出，从而可以兼容CMOS器件的制造工艺。第二掺杂多晶硅层包括导电类型不同的第一子掺杂层和第二子掺杂层，由此，在N型栅极的情况下，P型掺杂层也能够直接连接栅极电位，提高了结型场板的功效。
具有结型场板 dmos 器件及其制造方法

[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201911310548.5有效
发明人：魏家行;王琪朝;肖魁;王德进;卢丽;杨玲;叶然;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：沟槽栅极，包括沟槽内的下部和沟槽外的上部，下部在导电沟道宽度方向上的长度小于上部，下部伸入体区且小于体区的深度；绝缘结构，设于漏极区和沟槽栅极之间并向下伸入漂移区，绝缘结构的深度小于漂移区，绝缘结构在漂移区内的深度大于场氧层在漂移区内的深度，绝缘结构在导电沟道宽度方向上的长度小于漂移区，绝缘结构两侧的表面形成有场氧层，上部延伸至场氧层上。本发明的导电沟道为在漂移区和体区中围绕绝缘结构和沟槽栅极设置的立体化结构。因此器件导通时的电流通路得到了扩展，能够大幅降低导通电阻。且绝缘结构可以有效提高器件的耐压性能，并起到辅助耗尽的作用。
横向扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]一种适用于谐振栅极驱动电路的自适应负载优化方法-CN202310371814.5在审
发明人：钱钦松;王宇帆;周子焱;骆强;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明是一种适用于谐振栅极驱动电路的自适应负载优化方法，优化在不同MOSFET负载下的开关损耗、导通损耗和栅极驱动损耗；在数字信号处理芯片(DSP)中预先存储好一份数据表格，表格中有实际测试中的不同负载电流下总体损耗较低时所对应的谐振栅极驱动器电压和预充电时间；在实际应用中数模转换器端(DAC)采样到负载电流后，取与表格中最接近的负载电流值，使能数字信号处理芯片(DSP)进行查表工作，得到优化后的栅极驱动电路电压和预充电时间。解决了现有自适应负载优化方案存在的忽视功率MOSFET导通损耗、驱动电路损耗过大的技术问题。
一种适用于谐振栅极驱动电路自适应负载优化方法

[发明专利]开关电源的数字积分模式恒定导通时间控制系统及方法-CN202310373219.5在审
发明人：徐申;李凌昀;张海青;王睿智;王欣茹;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关电源的数字积分模式恒定导通时间控制系统及方法，系统包括：通过DIMCOT控制模块在负载变化瞬态中输出的脉冲信号控制PWM产生模块的PWM波形由第一电平状态变为第二电平状态，根据第二电平状态触发恒定导通时间产生模块的计数器开始计数，并在计数值达到预设值时，生成重置信号，使得PWM产生模块的PWM波形由第二电平状态变为第一电平状态，从而得到预设占空比的方波信号，进而控制开关电源的开启或断开，实现开关电源的恒定导通时间。由此，通过在负载变化瞬态中改变开关周期来快速增大PWM占空比，没有线性控制中的惯性环节，减小了系统延时，具有更快的瞬态响应、更高的轻负载效率以及更灵活的控制策略。
开关电源数字积分模式恒定时间控制系统方法

[发明专利]一种具有死区控制功能的多路栅极驱动电路-CN202310328443.2在审
发明人：钱钦松;骆强;周子焱;王宇帆;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明是一种具有死区时间控制功能的多路栅极驱动电路，该驱动电路包括PWM发生器(1)、MOS驱动网络(2)、多绕组隔离变压器(3)、钳位电路(4)和死区时间控制电路(5)；MOS驱动网络(2)的输出经过多绕组隔离变压器(3)输出给钳位电路(4)，钳位电路(4)的输出信号作为LLC‑DCX拓扑原边的栅驱动信号；死区时间控制电路(5)用于调整死区时间，实现LLC‑DCX软开关，减少开关切换状态的能量损失。使得死区时间可控，可以提供多路栅极驱动信号，同时降低了驱动损耗，提高了系统稳定性。
一种具有死区控制功能栅极驱动电路

[发明专利]一种适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路-CN202310309861.7在审
发明人： 孙伟锋;周子焱;王宇帆;钱钦松;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明是一种适用于多路驱动的四开关型谐振栅极驱动电路，其中，第一MOSFET和第二MOSFET构成一个半桥，半桥中点连接至变压器的原边的同名端，并且通过桥臂中点连接至主拓扑栅极驱动器第四开关管栅极；第三MOSFET和第四MOSFET同样构成一个半桥，半桥中点通过端口连接至变压器的原边的非同名端，并且连接至主拓扑栅极驱动器的第二开关管栅极；主拓扑栅极驱动器的第四开关管的栅极寄生电容视为并联在第二MOSFET的两端，主拓扑栅极驱动器的第二开关管的栅极寄生电容视为并联在第四MOSFET的两端。解决了现有谐振栅极驱动方案存在的驱动损耗高、控制复杂且死区不可控、磁性和开关元件较多、驱动电流小和无法实现多路驱动的技术问题。
一种适用于驱动开关谐振栅极电路

[发明专利]一种基于恒定导通时间控制的自激降压变换器-CN202310147248.X在审
发明人：张浩东;丁松;钱钦松;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明是一种基于恒定导通时间控制的自激降压变换器，该变换器包括降压主电路，控制电路和驱动电路；输入电源(Vin)接入控制电路的输入端即第二PNP管(Q2)的发射极，控制电路的输出端接驱动电路的输入端即第三PNP管(Q3)的基极，驱动电路的输出端接降压主电路的输入端即功率开关管(Q1)的栅极。采用此结构能够使得电路更为简单，解决电路生产成本高昂，开关频率不易调节的问题。
一种基于恒定时间控制降压变换器

[发明专利]一种适用于功率器件的二次击穿限测试方法及装置-CN202111003610.3有效
发明人：刘斯扬;尹储;李春晓;蒋彦博;童鑫;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于功率器件的二次击穿限测试方法及装置，主要包括：在搭建的测试系统中，开启功率开关器件，齐纳二极管发生雪崩击穿，产生稳定电压B，使待测功率器件导通，关闭功率开关器件，待测功率器件关闭，即可观测到待测功率器件的源漏电压和漏极电流，此后，通过调节直流电压源的电压和变阻器，多次重复本操作，观察器件的工作电压和电流变化情况，调节直流电压源的电压和变阻器保证器件工作在所需要的条件下。本发明通过对直流电源电压和变阻器的调节，使得器件工作在稳定的源漏电压和漏极电流的条件下，在此过程中，通过观测器件导通过程中的源漏电压和漏极电流的变化情况，从而为器件的进一步的改进提供帮助。
一种适用于功率器件二次击穿测试方法装置

[发明专利]一种改善有源钳位反激式变换器原边反馈采样精度的控制系统及控制方法-CN202111008767.5有效
发明人：徐申;钱毅杰;孙乾坤;李凌昀;陈明刚;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善有源钳位反激式变换器原边反馈采样精度的控制系统及控制方法，在本发明中，通过采样保持模块，在钳位开关管关断时对辅助绕组电压采样，从而获得输出电压的精确值，并与参考电压比较得到输出电压的误差信号，将误差信号与输入电压采样模块得到的输入电压信号输入到PWM控制模块，得到合适的开关管导通时间，产生钳位开关管驱动信号和主开关管驱动信号，本发明方案简单易行、成本低，能够改善对输出电压信号的采样精度，提高了控制系统的稳定性。
一种改善有源钳位反激式变换器反馈采样精度控制系统控制方法

[发明专利]一种低功耗的高速电平移位电路-CN202211051640.6在审
发明人： 孙伟锋;袁清;谢宇;郑逸飞;李泳佳;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明提供一种低功耗的高速电平移位电路，包括低压‑高压的电平移位模块、辅助锁存模块、自适应窄脉冲产生模块和辅助上拉模块；低压‑高压的电平移位模块包括低压‑高压电平移位电路和信号处理电路；辅助上拉模块包括两路分别设于低压‑高压电平移位电路高侧两个输出S、R点处的辅助上拉电路；辅助上拉电路包括反相器、与非门和PMOS管；辅助锁存模块包括辅助锁存电路，用于产生两个信号控制信号A和B，连接到两路辅助上拉电路，控制两个PMOS管仅在该管所辅助的支路输出点电位由低向高翻转时提供一个额外的上拉电流。本发明在保证足够的抗dV/dt能力的基础上，能够有效地降低电平移位电路的功耗和延时，实现驱动电路的高频工作，保证电源系统的高效性。
一种功耗高速电平移位电路