专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种降低皂苷和提升风味的藜麦发酵方法-CN202310671222.5在审
  • 邱佳瑜;姜梅;曹彧;芮晴;胡旺 - 南京农业大学
  • 2023-06-07 - 2023-10-27 - A23L7/104
  • 本发明公开一种降低皂苷、提升风味和增加益生特性的藜麦发酵方法,涉及食品加工的技术领域。本发明所述制备方法包括发酵剂制备,3~5%(w/w)植物乳杆菌接种到经过挑选、清洗、浸泡、蒸制、冷却的熟藜麦,37℃恒温密闭发酵24~36h,产品4~10℃冷藏;也可采用混菌发酵方式,同样条件发酵或采用分段发酵。所述植物乳酸杆菌(Lactobacillu paraplantarum JMLPS‑1)为保藏号CCTCC NO:M2016256,混菌为植物乳杆菌JMLPS‑1:市售甜酒曲=5∶1~3∶2(w/w)。本发明技术,降低了59.3~78.4%藜麦皂苷,增加藜麦食用安全性、益生性和消化性。植物乳杆菌固态发酵藜麦,产品质地软糯,口感偏酸,可作为藜麦饮料、藜麦面包、藜麦饼干等深加工产品原料。植物乳杆菌与甜酒曲混合发酵制成藜麦醪糟,口感软糯,酸甜适口,具有浓郁甜酒香和益生特性。
  • 一种降低皂苷提升风味发酵方法
  • [发明专利]一种具有低米勒电容的IGBT器件-CN201810961207.3有效
  • 牛博;陈钱;张金平;姜梅 - 江苏中科君芯科技有限公司
  • 2018-08-22 - 2023-10-13 - H01L29/739
  • 本发明涉及一种具有低米勒电容的IGBT器件,其栅极多晶硅体包括屏蔽栅以及控制栅;所述控制栅与下方的第二导电类型体区、第一导电类型源区交叠,屏蔽栅位于第二类型体区之间;屏蔽栅氧化层呈T型,屏蔽栅氧化层的下部伸入第一导电类型漂移区内,控制栅邻近屏蔽栅的端部位于屏蔽栅氧化层上;在所述第一导电类型漂移区上方还设置发射极金属,所述发射极金属与第二导电类型体区、第一导电类型源区以及屏蔽栅欧姆接触,且发射极金属通过绝缘介质层与控制栅绝缘隔离。本发明结构紧凑,能有效降低IGBT器件的米勒电容,提高IGBT开关速度,从而降低IGBT器件的功耗,安全可靠。
  • 一种具有米勒电容igbt器件
  • [实用新型]一种新型次氯酸钠电解槽酸洗机构-CN202321179364.1有效
  • 李教言;姜梅 - 湖南星源环保设备有限公司
  • 2023-05-16 - 2023-09-29 - B08B3/08
  • 本实用新型涉及次氯酸钠电解槽酸洗技术领域,尤其涉及一种新型次氯酸钠电解槽酸洗机构,提升酸洗过程中的冲洗效率。一种新型次氯酸钠电解槽酸洗机构,包括电解槽本体,电解槽本体的外侧连通有循环管,电解槽本体的外侧设置有两个呈左右对称分布的输液管,输液管通过若干个沿输液管的中轴呈线性阵列分布的支管与输液管连通,电解槽本体的上方设置有进液管,进液管的正下方设置有连接管,进液管与连接管通过第一控制阀连通,两个输液管的进水端口均与连接管连通。本实用新型通过引导酸洗药剂沿多种流向并从多个位置处进入电解槽本体内,有效加强了酸洗药剂的冲洗效果,从而提升了酸洗效率。
  • 一种新型次氯酸电解槽酸洗机构
  • [发明专利]高抗闩锁能力的IGBT器件-CN201810993150.5有效
  • 许生根;杨晓鸾;张金平;姜梅 - 江苏中科君芯科技有限公司
  • 2018-08-29 - 2023-09-22 - H01L29/417
  • 本发明涉及一种IGBT器件,尤其是一种高抗闩锁能力的IGBT器件,属于IGBT器件的技术领域。元胞沟槽呈倒T字型,源极接触孔呈T字型,在源极接触孔的第二孔区内设置接触孔电介质层,从而能对第一导电类型漂移区内的载流子流通路径进行引导,即使得空穴载流子绕开元胞沟槽的槽底向元胞区集中,在T字型源极接触孔的作用下,可以使得空穴在有源区零电位的吸引下,绕开第一导电类型源区,并能竖直向上集中流向第一孔区,从而使得IGBT器件中寄生晶闸管更难达到闩锁条件,提高IGBT器件的抗闩锁能力,安全可靠。
  • 高抗闩锁能力igbt器件
  • [实用新型]一种计划生育用普查箱-CN202320535120.6有效
  • 白华;姜梅;高伟 - 中国人民解放军联勤保障部队北戴河康复疗养中心
  • 2023-03-17 - 2023-08-22 - A61B50/31
  • 本实用新型提出了一种计划生育用普查箱,包括箱体,箱盖的一端与所述箱体铰接,另一端与箱体扣合,箱体内设有放置空间;第一隔板沿竖直方向设置在放置空间内;升降板水平设置在放置空间内,且一端沿竖直方向滑动设置在第一隔板上;弹簧位于升降板与箱体底面之间;第二隔板为若干个,排列设置在升降板上,若干第二隔板与第一隔板、升降板、箱体内壁之间形成试纸放置腔和卡片放置腔;压块设置在第二隔板上,且上端高于第二隔板,用于与箱盖内壁抵接;第三隔板为多个,依次排列设置在放置空间内,多个第三隔板将放置空间依次分隔为器械放置腔、药品放置腔和储物腔。通过上述技术方案,解决了普查携带物品在包内存放杂乱无章,使用不方便的问题。
  • 一种计划生育普查
  • [发明专利]能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件-CN201810993078.6有效
  • 杨晓鸾;许生根;张金平;姜梅 - 江苏中科君芯科技有限公司
  • 2018-08-29 - 2023-08-15 - H01L29/739
  • 本发明涉及一种能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件,其在第二导电类型基区内设置第一导电类型源区,所述第一导电类型源区与第一导电类型杂质区分别位于元胞沟槽的两侧,元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅,所述栅极导电多晶硅通过元胞沟槽内的绝缘栅氧化层与元胞沟槽的侧壁、底壁绝缘隔离;在第一导电类型漂移区的上方设置源极金属以及栅极金属,所述源极金属与第一导电类型源区、第二导电类型基区以及第二导电类型杂质区欧姆接触,栅极金属与栅极导电多晶硅以及第一导电类型杂质区欧姆接触。本发明结构紧凑,能同时降低导通压降和关断损耗,优化IGBT器件的折衷特性,安全可靠。
  • 降低导通压降损耗沟槽igbt器件
  • [发明专利]提升抗闩锁能力的低通态压降IGBT-CN201711442489.8有效
  • 杨珏林;姜梅;许生根;杨晓鸾 - 江苏中科君芯科技有限公司
  • 2017-12-27 - 2023-08-15 - H01L29/739
  • 本发明涉及一种IGBT器件,尤其是一种提升抗闩锁能力的低通态IGBT,属于IGBT器件的技术领域。在所述第一导电类型漂移区内还设有第一导电类型的载流子引导体,所述载流子引导体包括位于元胞沟槽正下方的第一导电类型第一载流子引导层以及位于第二导电类型基区下方的第一导电类型第二载流子引导层;第一导电类型第二载流子引导层在第二导电类型基区下方呈对称分布,第一导电类型第二载流子引导层的上部与第二导电类型基区以及相邻元胞沟槽的外壁接触,第一导电类型第二载流子引导层的下端与第一导电类型第一载流子引导层接触。本发明结构紧凑,能在不影响IGBT正常工作特性的情况下,提高IGBT的抗闩锁能力,实现低通态压降,安全可靠。
  • 提升抗闩锁能力低通态压降igbt
  • [发明专利]具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件-CN201810962076.0有效
  • 李哲锋;许生根;姜梅 - 江苏中科君芯科技有限公司
  • 2018-08-22 - 2023-08-15 - H01L29/06
  • 本发明涉及一种具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件,其在所述IGBT器件的截面上,元胞内的两个元胞沟槽之间设置第二导电类型注入区;在第一导电类型外延层的上方设置场氧化层以及包裹于所述场氧化层内的屏蔽栅多晶硅,所述屏蔽栅多晶硅位于第二导电类型注入区的正上方,屏蔽栅多晶硅通过场氧化层与第二导电类型注入区绝缘隔离;在元胞沟槽内填充有控制栅多晶硅,所述控制栅多晶硅通过元胞沟槽内的控制栅氧化层与元胞沟槽的侧壁、底壁绝缘隔离,所述控制栅多晶硅还覆盖在场氧化层上,且控制栅多晶硅与场氧化层内的屏蔽栅多晶硅交叠。本发明结构紧凑,提高器件耐压,降低器件的寄生电容,减少开关损耗,安全可靠。
  • 具有屏蔽沟槽igbt器件

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