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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造半导体器件和电子器件的方法-CN202110048995.9在审
发明人：殷立钊;林鸿彬;吴欣贤;柯志明;陈其贤;罗明华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在方法中，制备包括具有不同热膨胀系数的两种或更多种材料的结构，并且对该结构进行低温处理。在前述和以下实施例中的一个或多个中，该结构包括半导体晶圆，并且一个或多个层形成在该半导体晶圆上。本申请的实施例还涉及制造半导体器件和电子器件的方法。
制造半导体器件电子器件方法

[发明专利]离子布植机及离子布植机腔室的制造方法-CN201810000743.7有效
发明人：林宜静;陈其贤;吴欣贤;张钧琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：一种离子布植机及离子布植机腔室的制造方法。此离子布植机包含腔室。腔室包含至少一第一腔壁及第一类金刚石碳层。所述至少一第一腔壁定义出制程空间。第一类金刚石碳层配置于所述至少一第一腔壁上。第一类金刚石碳层包含经修饰的第一表面，经修饰的第一表面面向制程空间。
离子布植机布植机腔室制造方法

[发明专利]阴影掩模组件-CN201310236689.3有效
发明人：李明兴;陈其贤;吴欣贤;陈永昌;罗明华;蔡竹青 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： B05B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种阴影掩模组件，其包括被配置用于保持衬底的固定组件，该衬底被配置成保持多个管芯。固定组件包括多个定位销和阴影掩模，该阴影掩模包括用于定位销的孔，这些孔允许定位销在一个方向上具有移动自由度。固定组件包括多个嵌入式磁铁，该嵌入式磁铁被配置成将阴影掩模与固定组件相固定。
阴影模组

[实用新型]基板清洁装置-CN201520285782.8有效
发明人： 吴欣贤;刘文明;陈薇云 -专利权人：弘塑科技股份有限公司
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供的基板清洁装置，包括弹性柱体、无尘布及移动机构。所述弹性柱体是由吸水材质制成，所述弹性柱体的一端面上具有注水孔，所述注水孔用于将水导入所述弹性柱体。所述无尘布固持于所述弹性柱体的柱面的两侧，且所述无尘布部分接触所述弹性柱体的所述柱面，而于所述柱面上形成所述无尘布与基板接触的条状区域。所述移动机构耦接于所述弹性柱体及所述无尘布，用于同时移动所述弹性柱体及所述无尘布，使得所述条状区域在所述基板上移动以均匀地擦拭所述基板，降低基板的损坏率。
清洁装置

[发明专利]管芯准确接合到晶圆的方法及装置-CN201210316740.7有效
发明人：陈其贤;吴欣贤;余致广;郭鸿毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装发光二极管(LED)的方法，所述方法包括将多个LED管芯与相应的在底板上的接合焊盘连接。具有容纳LED管芯的凹槽的模具装置被设置在底板的上方。底板、LED管芯和模具装置在热回焊工艺中受热，从而使LED管芯与接合焊盘接合。每个凹槽都基本上限制了在加热过程中LED管芯相对于接合焊盘的移动。本发明还提供了管芯准确接合到晶圆的方法及装置。
管芯准确接合到晶圆方法装置

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201210107454.X有效
发明人： 吴欣贤;陈其贤;张钧琳;萧景文;徐光宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种方法包括提供LED元件，该LED元件包括衬底和在该衬底上设置的氮化镓(GaN)层。对该GaN层进行处理。处理包括对该GaN层实施离子注入工艺。该离子注入工艺可以提供该GaN层的粗糙化的表面区域。在实施例中，该离子注入工艺在低于约25摄氏度的温度下进行实施。在另外的实施例中，该衬底在该离子注入工艺期间处于低于约零摄氏度的温度下。本发明还提供了一种发光二极管及其制造方法。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]形成硅通孔开口的方法-CN201110317983.8有效
发明人：陈其贤;吴欣贤;张钧琳;夏兴国;郭鸿毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成硅通孔(TSV)开口的方法包括穿过衬底形成TSV开口。利用第一化学产品去除在该TSV开口的侧壁上的衬底材料的重铸物。利用第二化学产品基本上去除第一化学产品的残留物来清洁TSV开口的侧壁。
形成硅通孔开口方法

[发明专利]制造发光二极管器件的方法-CN201110349002.8有效
发明人：陈永昌;吴欣贤;陈其贤;萧景文;刘福文;徐光宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种，制造发光二极管器件的方法，具体公开了一种制造多个发光二极管(LED)的方法，该方法包括：提供多个LED管芯；将多个LED管芯接合到载体基板；形成经过图案化的掩模层，经过图案化的掩模层在载体基板上包括多个开口，其中，多个LED管芯中的每个都分别通过多个开口中的其中一个暴露出来；将多个开口中的每个中填充荧光粉，从而将多个LED管芯中的每个都覆盖有荧光粉；将荧光粉固化；将荧光粉和经过图案化的掩模层抛光，从而将覆盖多个LED管芯中的每个的荧光粉减薄；以及在抛光荧光粉之后，移除经过图案化的掩模层。
制造发光二极管器件方法

[发明专利]半导体晶片的多区域温度控制-CN201210022051.5有效
发明人：张钧琳;吴欣贤;魏正泉;杨棋铭;陈其贤;叶俊林;林日泽;王若飞;范明煜;牟忠一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体晶片的多区域温度控制。本发明还公开一种设备，其包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。
半导体晶片区域温度控制

[发明专利]用于半导体炉的可旋转可调节的加热器-CN201010133401.6有效
发明人：魏正泉;吴欣贤;张钧琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：一种适于晶片的化学汽相淀积工艺的半导体炉。该炉包括热反应室，其具有顶部、底部、侧壁和用于可移动地保持批量垂直堆叠的晶片的内部腔。提供了加热系统，包括多个可旋转的加热器，其设置并运行以加热该室。在一个实施例中，侧壁加热器之间的间距是可调整的。加热系统控制该室内的温度变化，并改进均匀的晶片上的薄膜淀积厚度。
用于半导体旋转调节加热器

[发明专利]多区半导体炉-CN200910173957.5无效
发明人： 吴欣贤;张钧琳;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： F27B1/09 文献下载
摘要：适用于晶片的化学气相淀积工艺的半导体炉。该炉包括一个热反应室，该室具有顶部、底部、侧壁和内部空腔，用以容纳一批垂直堆叠的晶片。具有一加热系统，包括多个配置的加热器，可以加热反应室。加热系统包括至少一个顶加热器、至少一个底加热器和多个沿反应室的高度间隔排布的侧壁加热器，以控制室内温度变化和提高晶片膜淀积厚度的一致性。
半导体

[发明专利]半导体晶片的多区域温度控制-CN200910252738.6无效
发明人：张钧琳;吴欣贤;魏正泉;杨棋铭;陈其贤;叶俊林;林日泽;王若飞;范明煜;牟忠一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种设备包括配置用来执行离子注入工艺的处理室。在处理室内部提供冷却滚筒或静电盘被。冷却滚筒或静电盘被配置用来支撑半导体晶片。冷却滚筒或静电盘具有多个温度区。每个温度区包括位于冷却滚筒或静电盘内部或者与冷却滚筒或静电盘邻近的至少一个流体管道。提供至少两个冷却剂源，每个冷却剂源流体连接到对应的流体管道的一个上，并被配置以在离子注入工艺过程提供对应不同的冷却剂到多个温度区中一个对应的区域中。冷却剂源分别包括不同的冷却或冷冻单元。
半导体晶片区域温度控制

[发明专利]用于低温离子注入的方法和系统-CN200910162396.9有效
发明人：张钧琳;魏正泉;吴欣贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-08-13 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：一种方法，包括：在工艺室之外将第一半导体晶片从15℃或以上的温度预冷却到5℃以下的温度。该预冷却的第一晶片在进行预冷却步骤之后被置于工艺室之内。在放置第一晶片之后在第一晶片上进行低温离子注入。
用于低温离子注入方法系统

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