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[发明专利]形成封装件的方法以及封装件-CN202310460716.9在审
发明人：夏兴国;余致广;余振华;巢瑞麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种形成封装件的方法，该方法包括将光子引擎接合到中介层上，以及将封装组件接合到中介层上。封装组件包括器件管芯。该方法还包括将封装组件和光子引擎封装在密封剂中，将热电冷却器连接到光子引擎，以及将金属盖连接到封装组件。根据本申请的其他实施例，还提供了封装件。
形成封装方法以及

[发明专利]热性能改进的LED器件-CN201610075810.2有效
发明人：夏兴国;余致广;郭鸿毅;陈其贤 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：一种装置，包括其中具有多个开口的晶片。对于每个开口，LED器件以使得每个连接的LED器件和导电载体的一部分至少部分地填充开口的方式连接至导电载体和晶片。制造LED器件的方法包括：在晶片中形成多个开口。该方法还包括将发光二极管(LED)连接至导电载体。LED器件和导电载体至少部分地填充每一个开口。
性能改进 led 器件

[发明专利]制作发光二极管封装结构的方法以及发光二极管元件-CN201510593586.1有效
发明人：夏兴国;余致广 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种制作发光二极管封装结构的方法及发光二极管元件，该方法包括将多个彼此分离的发光二极管芯片接合至一基板，其中各发光二极管芯片包括一n型掺杂层、一量子阱有源层、以及一p型掺杂层；在彼此分离的发光二极管芯片与基板上沉积一隔离层；蚀刻隔离层以形成多个导孔开口，从而暴露出各发光二极管芯片的局部以及部分的基板；形成多个电性连接结构在隔离层上以及导孔开口中以电性连接各发光二极管芯片的n型掺杂层与p型掺杂层之一与基板；以及将彼此分离的发光二极管芯片与基板切割成多个发光二极管封装结构。此外，本发明另一实施例提供一种发光二极管元件。本发明提供了一种可电性连接小尺寸的发光二极管并同时可减少工艺时间与制作成本。
制作发光二极管封装结构方法以及元件

[发明专利]管芯准确接合到晶圆的方法及装置-CN201210316740.7有效
发明人：陈其贤;吴欣贤;余致广;郭鸿毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装发光二极管(LED)的方法，所述方法包括将多个LED管芯与相应的在底板上的接合焊盘连接。具有容纳LED管芯的凹槽的模具装置被设置在底板的上方。底板、LED管芯和模具装置在热回焊工艺中受热，从而使LED管芯与接合焊盘接合。每个凹槽都基本上限制了在加热过程中LED管芯相对于接合焊盘的移动。本发明还提供了管芯准确接合到晶圆的方法及装置。
管芯准确接合到晶圆方法装置

[发明专利]LED结构-CN201210181521.2有效
发明人：夏守礼;余致广;傅文键;郭鸿毅;高弘昭;吴铭峰;杨富智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：发光二极管（LED）结构，即，LED结构，包括第一掺杂剂区、位于该第一掺杂剂区顶部上的介电层、位于该介电层第一部分的顶部上的接合焊盘层以及具有第一LED区和第二LED区的LED层。接合焊盘层电连接至第一掺杂剂区。第一LED区电连接至接合焊盘层。
led 结构

[发明专利]双基板多结发光二极管阵列结构-CN201210093766.X有效
发明人： 余致广;陈其贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了发光结构的一实施例。发光结构包括：载具基板，具有第一金属部件；透明基板，具有第二金属部件；多个发光二极管(LED)，与载具基板和透明基板接合，夹置在载具基板和透明基板之间；以及金属柱，与载具基板和透明基板接合，将金属柱中的每个设置在多个LED中的相邻两个之间，其中，将第一金属部件、第二金属部件、以及金属柱配置为电连接多个LED。
双基板多结发二极管阵列结构

[发明专利]发光二极管封装基板及其制作方法-CN201110221680.6有效
发明人：陈其贤;傅文键;夏兴国;余致广;邱清华;郭鸿毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管封装基板及其制作方法，根据一实施例提供一种发光二极管发射器基板的制作方法，包括在一硅基板上形成多个穿硅导孔；沉积一介电层于硅基板的一第一侧与一第二侧上以及于穿硅导孔的侧壁表面上；于位于硅基板的第一侧与第二侧上的介电层上图案化地形成一金属层，并填满穿硅导孔；以及于硅基板的第二侧上的金属层上形成多个高反射接垫，以作为发光二极管接合与导线接合之用。本发明的发光二极管封装基板，其可增加接合的发光二极管的出光效率、可忍受各种环境因素、以及可轻易地且有成本效益地制得。
发光二极管封装及其制作方法

[发明专利]制作发光二极管封装结构的方法以及发光二极管元件-CN201110133003.9有效
发明人：夏兴国;余致广 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制作发光二极管封装结构的方法及发光二极管元件，该方法包括将多个彼此分离的发光二极管芯片接合至一基板，其中各发光二极管芯片包括一n型掺杂层、一量子阱有源层、以及一p型掺杂层；在彼此分离的发光二极管芯片与基板上沉积一隔离层；蚀刻隔离层以形成多个导孔开口，从而暴露出各发光二极管芯片的局部以及部分的基板；形成多个电性连接结构在隔离层上以及导孔开口中以电性连接各发光二极管芯片的n型掺杂层与p型掺杂层之一与基板；以及将彼此分离的发光二极管芯片与基板切割成多个发光二极管封装结构。此外，本发明另一实施例提供一种发光二极管元件。本发明提供了一种可电性连接小尺寸的发光二极管并同时可减少工艺时间与制作成本。
制作发光二极管封装结构方法以及元件

[发明专利]热性能改进的LED器件-CN201110358379.X有效
发明人：夏兴国;余致广;郭鸿毅;陈其贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种装置，包括其中具有多个开口的晶片。对于每个开口，LED器件以使得每个连接的LED器件和导电载体的一部分至少部分地填充开口的方式连接至导电载体和晶片。制造LED器件的方法包括：在晶片中形成多个开口。该方法还包括将发光二极管(LED)连接至导电载体。LED器件和导电载体至少部分地填充每一个开口。
性能改进 led 器件

[发明专利]结合热电装置的发光二极管组件及其制造方法-CN201110087878.X有效
发明人： 余致广;夏兴国 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-04-06 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管组件及其制造方法，其结合热电装置和在发光二极管发射器基板上的发光二极管装置以冷却发光二极管。本发明也关于结合发光二极管裸片和热电元件的方法。发光二极管组件包含一发光二极管发射器基板，其具有位于发光二极管发射器基板的向下表面的凹槽，以及一散热孔，其自凹槽的底部延伸至邻近发光二极管发射器基板的向上表面的区域。上述装置也包括置于凹槽中的热电元件，其中热电元件与其对应的散热孔相接合。上述装置还包括在凹槽中的热电基板以电性连结至热电元件。上述装置更包括位于发光二极管发射器基板的向上表面的发光二极管裸片，其位于上述凹槽的对侧。本发明可更准确控制发光二极管的结温度。
结合热电装置发光二极管组件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010569544.1有效
发明人：夏兴国;余致广;邱清华;吴易座 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供具有激光蚀刻通孔的半导体装置及其制造方法。在一实施例中，半导体装置的制造方法包含提供一具有一前侧及一后侧的基材，及提供一膜层于此基材的前侧上，此膜层具有与此基材不同的组成。此方法还包含控制激光功率及激光脉冲次数，以激光蚀刻出一贯穿此膜层及此基材至少一部分前侧的开口，以导电材料填入此开口中以形成通孔，移除此基材的一部分的背端以暴露出此通孔，及透过此通孔电性连接一第一元件及一第二元件。此外，本发明亦提供由上述方法所制造的半导体装置。本发明能够提供形成高深宽比通孔。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]导热绝缘复合膜层及芯片堆叠结构-CN201010004690.X有效
发明人：吕明生;刘君恺;黄振东;吴金宝;余致广 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供一种导热绝缘复合膜层及芯片堆叠结构。该导热绝缘复合膜层，包括位于金属基材的上表面及下表面上的介面层，以及位于介面层上的绝缘层。由于本发明的绝缘复合层兼具导热及绝缘特性，因此可设置于芯片堆叠结构之间并直接接触芯片，以同时于水平及垂直方向散热。
导热绝缘复合芯片堆叠结构

[发明专利]整合热电组件与芯片的封装体-CN200910178643.4有效
发明人： 余致广;刘君恺;谭瑞敏 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开一种整合热电组件与芯片的封装体，包括一芯片具有贯穿其中的电性导孔，一导电组件设置于该芯片的一侧上与该对电性导孔电性接触，一热电组件设置于该芯片的另一侧上，且对应于该导电组件，一载板设置于该热电组件上。该载板具有一布线，经该热电组件、该对电性导孔及该导电组件形成一热电流通路，将该芯片所产生的热泵离。
整合热电组件芯片封装

[发明专利]芯片堆叠封装结构及其制作方法-CN200910151818.2有效
发明人：刘君恺;余致广;戴明吉;谢明哲 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-06-29 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片堆叠封装结构，其包括多个芯片组、散热装置、基板、电路板以及多个焊球，其中芯片组彼此堆叠在一起，且每一芯片组包括散热结构与芯片。散热结构具有芯片置放凹槽、分布于芯片置放凹槽内的多个贯孔以及自芯片置放凹槽向外延伸的延伸部。芯片设置于芯片置放凹槽内，芯片上具有多个凸块，每一凸块对应设置于散热结构的其中一贯孔内。每一芯片组的散热结构的延伸部与邻接的芯片组的散热结构的延伸部接触。散热装置位于芯片组的顶部。基板位于芯片组的底部。电路板位于基板的下方。焊球位于电路板与基板之间。本发明还包括一种芯片堆叠封装结构的制作方法。
芯片堆叠封装结构及其制作方法

[发明专利]热电转换装置-CN200910128221.6有效
发明人：冯树匀;刘君恺;谢明哲;余致广 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L35/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种热电转换装置，其包括冷端基板、热端基板及堆叠结构，堆叠结构配置于冷端基板与热端基板之间。堆叠结构包括多个热电转换层，每一热电转换层包括热电对层、第一导电材料层与第二导电材料层、第一导热不导电结构及第二导热不导电结构。每一热电转换层分别排列于堆叠结构中。第一导电材料层包括有多个第一导电材料，第一导电材料设置于P型与N型热电转换元件的上方。第二导电材料层包括有多个第二导电材料，第二导电材料设置于P型与N型热电转换元件的下方。第一导热不导电结构分别连接于相邻的两第一导电材料层间，而第二导热不导电结构分别连接于相邻的两第二导电材料层间。
热电转换装置

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