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[发明专利]半导体器件-CN201711171980.1有效
发明人：洪承秀;李正允;成金重;郑铉澔;郭玟灿;闵庚石;吴怜默;禹宰勋;林青美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。
半导体器件

[发明专利]集成电路器件和制造其的方法-CN201910231444.9有效
发明人：安学润;李相炫;康诚右;申洪湜;吴省翰;吴怜默;李仁根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。
集成电路器件制造方法

[发明专利]半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法-CN201711120568.7有效
发明人：李相炫;李正允;朴胜周;成金重;吴怜默;洪承秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种能够改善操作性能和可靠性的半导体器件，该半导体器件可以包括用于隔离在长度方向上相邻的栅电极的栅极绝缘支撑物。该半导体器件包括：在基板上的第一栅结构，第一栅结构在第一方向上纵向地延伸以具有相对于彼此的两个长侧和两个短侧，并包括第一栅极间隔物；在基板上的第二栅结构，第二栅结构在第一方向上纵向地延伸以具有相对于彼此的两个长侧和两个短侧，并包括第二栅极间隔物，其中第二栅结构的第一短侧面对第一栅结构的第一短侧；以及栅极绝缘支撑物，设置在第一栅结构的第一短侧和第二栅结构的第一短侧之间并在不同于第一方向的第二方向上纵向地延伸，栅极绝缘支撑物在第二方向上的长度大于第一栅结构和第二栅结构的每个在第二方向上的宽度。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]有源图案结构及包括其的半导体器件-CN201711180414.7有效
发明人：金基一;文斘敒;梁光容;吴怜默;千雅英;河承模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及有源图案结构及包括其的半导体器件。一种有源图案结构可以包括含有源图案阵列的衬底，有源图案阵列由包括第一沟槽至第三沟槽的多个沟槽、以及分别在第一沟槽至第三沟槽中的第一隔离图案至第三隔离图案限定。有源图案阵列可以包括在第一方向上延伸的多个第一有源图案和多个第二有源图案，第一沟槽至第三沟槽可以在第一有源图案与第二有源图案之间并且可以包括彼此不同的宽度。有源图案阵列可以包括有源图案组，其包括顺序地布置在基本上垂直于第一方向的第二方向上的所述多个第一有源图案中的第一有源图案和所述多个第二有源图案中的第二有源图案。所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案的每个可以具有微小的宽度。
有源图案结构包括半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201711394204.8有效
发明人：成金重;李正允;洪承秀;闵庚石;朴胜周;吴怜默;林青美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明构思涉及一种半导体器件。有源图案从衬底突出。有源图案包括第一有源图案、与第一有源图案间隔开第一距离的第二有源图案、以及与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离的第三有源图案。栅极间隔物设置在跨越有源图案的栅电极的侧壁上。源极/漏极区域包括设置在有源图案中的一个的区域上的第一源极/漏极区域至第三源极/漏极区域。有源图案中的一个的所述区域邻近于栅电极的一侧设置。第一保护绝缘图案和第二保护绝缘图案分别设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域下面的第一有源图案与第二有源图案之间以及在第二源极/漏极区域和第三源极/漏极区域下面的第二有源图案与第三有源图案之间的衬底上。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202210049811.5在审
发明人：李馥英;吴怜默;李亨求;丁海建;河承模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底；第一基鳍，其从衬底突出并在第一方向上延伸；以及第一鳍型图案，其从第一基鳍突出并在第一方向上延伸。第一基鳍包括第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁在第一方向上延伸，第一侧壁与第二侧壁相对，第一基鳍的第一侧壁至少部分地限定第一深沟槽，第一基鳍的第二侧壁至少部分地限定第二深沟槽，并且第一深沟槽的深度大于第二深沟槽的深度。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202111374019.9在审
发明人：丁海建;权兑勇;梁光容;吴怜默;李馥英;河承模;李亨求 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，具有第一存储单元和第二存储单元，第一存储单元和第二存储单元在第一方向上彼此相邻；第一至第四存储鳍，在第一存储单元中在第一方向上彼此相邻，第一至第四存储鳍从衬底突出；第五至第八存储鳍，在第二存储单元中在第一方向上彼此相邻，第五至第八存储鳍从衬底突出；以及第一浅器件隔离层，在第四存储鳍和第五存储鳍之间，第一浅器件隔离层的侧壁具有拐点。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710017972.5有效
发明人：金辅淳;金炫知;李正允;朴起宽;朴商德;吴怜默;李庸硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种能够通过变化地调整具有环栅结构的晶体管的阈值电压来提高装置性能的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610893808.6有效
发明人：张锺光;吴怜默;安学润;刘庭均;朴起宽;成百民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅极结构，在基底上；源极/漏极层，在基底的与栅极结构相邻的部分上；第一接触塞，接触源极/漏极层的上表面；第二接触塞，接触栅极结构和第一接触塞的上表面。第二接触塞的底表面具有不接触第一接触塞的上表面的第一部，第一部高于栅极结构的上表面。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201910374990.8在审
发明人：李相炫;康诚右;裴根熙;安学润;吴省翰;吴怜默 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面。
接触插塞绝缘间隔物上表面栅电极半导体器件栅极绝缘层侧壁间隔衬底接触方向延伸相邻栅极间隔物侧壁衬底

[发明专利]具有栅极隔离层的半导体器件及其制造方法-CN201910249427.8在审
发明人：全庸淏;金廷炫;明成禹;吴怜默;李东锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。半导体器件包括从衬底突出的沟道区。半导体器件包括沟道区上的栅极线。此外，半导体器件包括位于栅极线的第一部分和栅极线的第二部分之间的栅极隔离层。栅极隔离层与栅极线接触并且包括在栅极隔离层中的间隙。还提供了制造半导体器件的相关方法。
半导体器件栅极线栅极隔离层沟道区衬底制造

[发明专利]半导体装置-CN201910384996.3在审
发明人：洪承秀;林青美;成金重;吴怜默;李正允;池雅凛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体装置具有：在衬底上的由隔离图案限定的有源鳍，每个有源鳍沿第一方向延伸，并且有源鳍沿与第一方向交叉的第二方向彼此间隔开；栅电极，其在有源鳍和隔离图案上沿第二方向延伸；以及隔离结构，其在第二方向上彼此相邻的有源鳍之间的隔离图案的一部分上。隔离结构包括：具有第一材料的第一图案和具有与第一材料不同的第二材料的第二图案。第二图案覆盖第一图案的下表面和下侧表面，但不覆盖第一图案的上侧表面。
隔离图案图案第一材料方向延伸隔离结构半导体装置第二材料方向交叉上侧表面图案覆盖下侧表面下表面栅电极衬底覆盖

[发明专利]半导体装置-CN201910052730.9在审
发明人：成金重;洪承秀;吴怜默;李正允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍式图案，在基底上沿第一方向延伸；场绝缘层，位于基底上，场绝缘层包围鳍式图案的侧壁；栅电极，位于鳍式图案上，栅电极在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一分隔件，位于栅电极的下部的侧壁上；以及蚀刻停止层，沿栅电极的上部的侧壁和上表面延伸，沿第一分隔件的侧壁延伸，并且沿场绝缘层的上表面延伸。
栅电极半导体装置场绝缘层侧壁鳍式分隔件上表面图案基底延伸蚀刻停止层侧壁延伸方向交叉方向延伸包围

[发明专利]半导体器件-CN201910067000.6在审
发明人：申洪湜;李相贤;安学润;吴省翰;吴怜默 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在半导体基板上的金属图案；覆盖金属图案的蚀刻停止层，该蚀刻停止层包括顺序堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；在蚀刻停止层上的层间电介质层；和穿透层间电介质层和蚀刻停止层的接触插塞，该接触插塞连接到金属图案，其中第一绝缘层包括包含金属性元素和氮的第一绝缘材料，其中第二绝缘层包括含碳的第二绝缘材料，以及其中第三绝缘层包括不含金属性元素和碳的第三绝缘材料。
绝缘层蚀刻停止层金属图案绝缘材料半导体器件接触插塞层间电介质层半导体基板金属性元素电介质层属性元素顺序堆叠不含金穿透层覆盖

[发明专利]刻蚀方法以及利用该刻蚀方法制造半导体器件的方法-CN201811416581.1在审
发明人：李相炫;李全一;康诚右;申洪湜;吴怜默;李升玟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法和一种制造半导体器件的方法。所述刻蚀方法包括：将第一处理气体的等离子体提供到刻蚀对象，以在所述刻蚀对象上形成沉积层，所述第一处理气体包括碳氟化合物气体和惰性气体，并且所述刻蚀对象包括包含氧化硅的第一区和包含氮化硅的第二区；将惰性气体的等离子体提供到在所述刻蚀对象上具有所述沉积层的所述刻蚀对象，以活化所述氧化硅的刻蚀反应，其中，将负直流电压施加到与所述刻蚀对象分隔开以面对所述刻蚀对象的刻蚀表面的相对部，所述相对部包括硅；以及随后，提供第二处理气体的等离子体，以去除刻蚀反应产物，所述第二处理气体包括惰性气体和含氧气体。
刻蚀对象刻蚀处理气体等离子体惰性气体半导体器件沉积层氧化硅碳氟化合物气体负直流电压含氧气体刻蚀表面氮化硅第一区分隔活化去除制造施加

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