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[发明专利]形成多个晶体管堆叠的方法-CN202211337321.1在审
发明人：曹健浩;金基一;洪炳鹤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了形成多个晶体管堆叠的方法。一种形成多个晶体管堆叠的方法包括使用在多个半导体鳍的侧壁上的多个间隔物作为蚀刻掩模蚀刻多个纳米片，以提供多个间隔开的纳米片堆叠，每个纳米片堆叠在其上具有半导体鳍中的至少一个。
形成晶体管堆叠方法

[发明专利]有源图案结构及包括其的半导体器件-CN201711180414.7有效
发明人： 金基一;文斘敒;梁光容;吴怜默;千雅英;河承模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及有源图案结构及包括其的半导体器件。一种有源图案结构可以包括含有源图案阵列的衬底，有源图案阵列由包括第一沟槽至第三沟槽的多个沟槽、以及分别在第一沟槽至第三沟槽中的第一隔离图案至第三隔离图案限定。有源图案阵列可以包括在第一方向上延伸的多个第一有源图案和多个第二有源图案，第一沟槽至第三沟槽可以在第一有源图案与第二有源图案之间并且可以包括彼此不同的宽度。有源图案阵列可以包括有源图案组，其包括顺序地布置在基本上垂直于第一方向的第二方向上的所述多个第一有源图案中的第一有源图案和所述多个第二有源图案中的第二有源图案。所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案的每个可以具有微小的宽度。
有源图案结构包括半导体器件

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN201810933697.6有效
发明人：金东权;金基一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有下导体侧壁的下导体、具有直接形成在下导体侧壁上的阻挡膜侧壁的阻挡膜、和形成在下导体的顶表面上的通路。阻挡膜侧壁的顶部分是凹入的，使得阻挡膜侧壁的顶表面在比下导体的顶表面低的水平。
半导体器件制造方法

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202210429628.8在审
发明人：任廷爀;徐康一;孙吉焕;金基一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括两个晶体管堆叠，所述两个晶体管堆叠包括具有不同阈值电压的下晶体管和具有不同阈值电压的上晶体管。下晶体管的栅极绝缘体可以具有不同的偶极子元素或偶极子元素的不同面密度，并且上晶体管可以具有不同的栅电极结构。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]纳米片晶体管器件及其形成方法-CN202210522604.7在审
发明人：洪炳鹤;宋昇炫;金基一;曹健浩;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供了纳米片晶体管器件及其形成方法。纳米片晶体管器件包括晶体管堆叠，该晶体管堆叠包括具有第一纳米片宽度和下栅极宽度的下纳米片晶体管。该晶体管堆叠还包括上纳米片晶体管，该上纳米片晶体管在下纳米片晶体管上并具有分别与第一纳米片宽度和下栅极宽度不同的第二纳米片宽度和上栅极宽度。
纳米晶体管器件及其形成方法

[发明专利]多堆叠半导体器件及制造其的方法-CN202210391465.9在审
发明人：曹健浩;金基一;洪炳鹤;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明构思涉及多堆叠半导体器件及制造其的方法。该多堆叠半导体器件包括：基板；以及在沟道宽度方向上排列在基板上的多个多堆叠晶体管结构，其中多堆叠晶体管结构包括至少一个下晶体管结构和堆叠在下晶体管结构之上的至少一个上晶体管结构，其中下晶体管结构和上晶体管结构包括至少一个沟道层作为电流通道，其中至少两个多堆叠晶体管结构的下晶体管结构具有不同的沟道层宽度。
堆叠半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202210150941.8在审
发明人：崔虎浚;金志成;吴旼哲;金基一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种能够提高电特性和集成密度的半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，从衬底突出，该有源图案包括在第一方向上延伸且在第二方向上彼此相对的长侧壁；下外延图案，位于衬底上，并覆盖有源图案的一部分；栅电极，位于下外延图案上，并沿有源图案的长侧壁延伸；以及上外延图案，位于有源图案上，并连接至有源图案的上表面。有源图案包括与有源图案的长侧壁连接的短侧壁，并且有源图案的短侧壁中的至少一个具有弯曲表面。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体架构及其制造方法-CN202110659197.X在审
发明人： S.朴;孙吉焕;徐训硕;任廷爀;金基一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了一种半导体架构及其制造方法。该半导体架构包括：载体衬底；包括在载体衬底中的落着垫；提供在载体衬底的第一表面上的第一半导体器件，第一半导体器件包括提供在落着垫上的第一组件；提供在载体衬底的第二表面上的第二半导体器件；以及第二组件，从第二半导体器件突出并提供在落着垫上。
半导体架构及其制造方法

[发明专利]三维集成半导体架构及制造其的方法-CN202111331491.4在审
发明人：徐康一;金基一;赵锡元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：提供了一种半导体架构，其包括：载体基板；提供在载体基板中的对准标记，对准标记从载体基板的第一表面提供到载体基板的第二表面；第一半导体器件，基于对准标记提供在载体基板的第一表面上；第二半导体器件，基于对准标记提供在载体基板的第二表面上并与第一半导体器件对准。
三维集成半导体架构制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201710063704.7有效
发明人：朴起宽;刘庭均;金基一;成石铉;严命允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括由其面对的末端之间的第一沟槽分开的第一鳍式图案和第二鳍式图案，形成填充第一沟槽的第一绝缘层，去除第一绝缘层的一部分以在第一绝缘层上形成第二沟槽，以及通过增大第二沟槽的宽度形成第三沟槽。
半导体器件制造方法

[发明专利]具有衬层的鳍型场效应晶体管-CN201610791568.9有效
发明人：成石铉;刘庭均;朴起宽;金基一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出；多个衬层，顺序地覆盖鳍型有源区的下侧壁；器件隔离层，覆盖鳍型有源区的下侧壁并且多个衬层在器件隔离层和鳍型有源区之间；以及栅绝缘层，延伸以覆盖鳍型有源区的沟道区、多个衬层和器件隔离层，并包括位于栅绝缘层的覆盖多个衬层的部分上的突起。
具有场效应晶体管

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN201810933529.7有效
发明人：金东权;金基一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有下导体侧壁的下导体、具有直接形成在下导体侧壁上的阻挡膜侧壁的阻挡膜、和形成在下导体的顶表面上的通路。阻挡膜侧壁的顶部分是凹入的，使得阻挡膜侧壁的顶表面在比下导体的顶表面低的水平。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610962976.6有效
发明人： 金基一;朴起宽;刘庭均;金炯东;成石铉;严命允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成包括真实掩模图案和伪掩模图案的多个掩模图案；去除伪掩模图案；以及利用真实掩模图案作为掩模对衬底进行蚀刻，以形成第一沟槽、第二沟槽以及由第一沟槽和第二沟槽限定的鳍式图案。接触鳍式图案的第二沟槽包括凸出并且位于第二沟槽的底表面与侧表面之间的平滑图案、位于第二沟槽的侧表面与平滑图案之间的第一凹进部分和位于凸出部分与第二沟槽的底表面之间的第二凹进部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括鳍型场效应晶体管结构的半导体器件-CN201610825443.3有效
发明人： 金基一;刘庭均;朴起宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括在基板上的场绝缘膜以及在基板上的具有特殊材料的鳍型图案，该鳍型图案具有第一侧壁和相反的第二侧壁。鳍型图案可以包括鳍型图案的从场绝缘膜的上表面突出的第一部分以及鳍型图案的设置在第一部分上的第二部分。鳍型图案的第三部分可以设置在第二部分上，在该处第三部分可以被鳍型图案的顶部倒圆表面覆盖，并且第一侧壁可以具有跨越第一、第二和第三部分的起伏轮廊。
包括场效应晶体管结构半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201610545881.4有效
发明人：刘庭均;金基一;朴起宽;成石铉;严命允 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有第一沟槽的基底、位于基底上由第一沟槽限定的第一鳍图案、位于基底上的栅电极以及位于基底上的场绝缘层。第一鳍图案包括在下部上的上部。第一鳍图案包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁沿第一鳍图案的下部为凹的。第二侧壁沿第一鳍图案的下部为倾斜的。场绝缘层围绕第一鳍图案的下部。栅电极围绕第一鳍图案的上部。
半导体器件

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