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[发明专利]一种纳米Fe3-CN202211665441.4在审
发明人：尤菊平;叶镭;陈东之;陈建孟 -专利权人：浙江海洋大学
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C08J3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米Fe3O4@硅酮粉复合颗粒的制备方法及应用，包括以下步骤：1）共沉淀法合成Fe3O4纳米粒子；2）水热法合成了纳米Fe3O4@硅酮粉复合粒子：将步骤1）制得的Fe3O4纳米粒子和硅酮粉分散在五水乙醇中，并加入氨水，超声后将获得均匀悬浮液转移到四氟乙烯内衬不锈钢高压釜中进行干燥处理，初步得到纳米Fe3O4@硅酮粉复合粒子，过滤后洗涤再次干燥，最终制得纳米Fe3O4@硅酮粉复合颗粒。通过采用水热法修饰碳毡电极并应用于微生物燃料电池后，提升了微生物燃料电池对氯苯的降解性能和产电效果。
一种纳米 fe base sub

[发明专利]一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用-CN202011578341.9有效
发明人：叶镭;彭追日;童磊;李政;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于二维半导体电路领域，具体涉及一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用，包括：衬底，双极可调性二维材料，铁电衬底材料薄膜，以及顶部、底部金属电极；二维材料和铁电衬底材料薄膜层叠设置；二维材料的表面设置有顶部金属电极；铁电衬底材料薄膜的表面设置有底部金属电极；铁电衬底材料薄膜用于在不同极化状态下对二维材料中的沟道载流子类型和浓度进行调制；其中铁电衬底材料薄膜的极化通过在顶部和底部金属电极之间外接脉冲电场实现。本发明对铁电衬底材料极化之后撤掉电场，仅利用铁电衬底材料极化状态对二维材料沟道载流子调控，大幅降低功耗；同时通过设置铁电体不同极化状态调控二维材料沟道，具备可重构电路存储和计算能力。
一种二维材料模拟电路及其制备方法应用

[发明专利]基于二维材料浮栅晶体管的存算一体神经网络构建方法-CN202211538004.6在审
发明人：叶镭;余翔翔;徐浪浪;郑恭明;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G06N3/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料浮栅晶体管的存算一体神经网络构建方法，浮栅晶体管具有非易失性，可以实现信息的长效、低功耗存储；采用crossbar阵列构建神经网络结构，实现矩阵乘和运算；神经网络层与层之间引入模拟电路，同时作为连接层、激活函数和反相器，因此不需要经过模数转换和软件处理，降低了功耗，同时间接引入负权重，提升了计算精度。本发明提供的浮栅晶体管的存算一体神经网络可以取代传统的忆阻器阵列加软件处理模式，实现了神经网络全硬件结构设计，有望于拓展二维材料半导体器件的大规模集成与应用。
基于二维材料晶体管一体神经网络构建方法

[发明专利]一种MoTe2-CN202210497461.9有效
发明人：叶镭;徐浪浪;黄鑫宇;童磊;李政;彭追日;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供一种MoTe2浮栅晶体管、ADC电路、DAC电路及方法，基于二碲化钼的浮栅晶体管具备非易失特性，其中浮栅可以存储电阻信息，当信息写入后即便不加栅压也能保留信息，因此具有低功耗的特性。本发明所使用的二碲化钼属于二维材料，有望取代硅基CMOS器件成为新一代半导体。在以硅基晶体管为基础的CMOS电路中，ADC和DAC是芯片中常用的信号转换单元，本发明提供的二碲化钼二维材料半导体应用到ADC和DAC可以取代传统的硅基CMOS器件，在二维材料半导体领域中，可以有效解决其他基于二维材料半导体的电路模块与ADC和DAC的阻抗匹配问题，有望于解决二维材料半导体器件的大规模集成的兼容性问题。
一种 mote base sub

[发明专利]一种实现负权重的矩阵乘和运算的crossbar器件制备方法-CN202210501761.X有效
发明人：叶镭;徐浪浪;黄鑫宇;童磊;彭追日;陈思涵;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现负权重的矩阵乘和运算的crossbar器件制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括crossbar阵列的多个单点器件，各单点器件均包括依次层叠设置的两个分立式的背栅电极、栅介质层、两个间隔的浮栅电极、隧穿层和二硫化钼，二硫化钼的上表面制备有源、漏电极和输出电极，各单点器件中的输出电极共线输出；将待训练神经网络的输入信息对应映射为各单点器件的漏电极电压，源电极电压与漏电极电压等大且极性相反，同时将待训练神经网络的权重信息对应映射为各单点器件中两个沟道区域的电导差，单点器件的电导差通过分别调节其中两个分立式的背栅电极的电压完成。本发明集成密度高，且制备的crossbar器件可实现具备存算一体的矩阵乘和运算。
一种实现权重矩阵运算 crossbar 器件制备方法

[发明专利]一种基于miRNA检测的二维材料半导体传感器制备方法-CN202210413282.2有效
发明人：叶镭;徐浪浪;陈思涵;黄鑫宇;彭追日;林润峰;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C12Q1/6825 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于miRNA检测的二维材料半导体传感器制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括8个单点器件构成的crossbar阵列；制备PDMS通道，然后将PDMS通道转移热压至半导体器件的沟道区域上；向PDMS通道中的每个PDMS子通道中注射含有特定miRNA探针的PBS溶液，使得各PDMS子通道中二硫化钼表面均吸附固定有miRNA探针；构建全连接神经网络，获取训练好的全连接神经网络的权重因子，并将权重因子通过调节栅极电压对应映射至各单点器件的电导上。本发明检测流程简单快速，且还可实现对多种miRNA的联合检测，提高对心血管疾病检测的准确度。
一种基于 mirna 检测二维材料半导体传感器制备方法

[发明专利]一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置-CN202111450173.X在审
发明人：叶镭;黄鑫宇;林润峰;彭追日;童磊;李政;徐浪浪;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置，属于自旋电子学技术领域。异质结的下层为二维铁磁材料，下层为二维反铁磁材料，方法包括：在二维铁磁/反铁磁异质结样品正面设置单层石墨烯纳米粉；使激光器发出的激光聚焦于所述单层石墨烯纳米粉所在平面，控制样品移动，在移动的过程中所述激光对样品施加面外压力，通过改变激光功率大小调整异质结的层间距，实现对交换偏置效应的调控。本发明基于范德华反铁磁/铁磁系统层间距强烈影响着层间相互作用，利用激光冲击强化工艺来控制范德华异质结构层间距，对范德华磁性异质结中的交换偏置效应进行连续可调，提升该效应的可控性。
一种调控二维反铁磁异质结交偏置方法装置

[发明专利]一种将金属电极转移至二维材料上的方法-CN202111420791.X在审
发明人：叶镭;林润峰;黄鑫宇;童磊;彭追日;李政;徐浪浪;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种将金属电极转移至二维材料上的方法，其包括：获取待转移结构，所述待转移结构包括衬底、形成于衬底上的过渡层以及形成于过渡层上的金属电极图案；对所述过渡层进行湿法刻蚀，去除未被金属电极图案覆盖的所述过渡层；通过有机柔性材料将待转移结构中的金属电极图案从所述过渡层上整体粘起并贴合至目标结构中的二维材料上；去除所述有机柔性材料，完成金属电极与二维材料的范德华接触。通过引入过渡层并结合湿法刻蚀和干法转移，使得容易实现待转移图案的整体剥离，大大提高了制备的成功率，且通过范德华力结合金属电极和二维材料，能够大大提高两者的接触性能。
一种金属电极转移二维材料方法

[发明专利]MOF衍生气体分离膜及其制备方法和应用-CN201910466489.4有效
发明人：张国亮;叶镭;范铮;孟琴;秦磊 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： B01D71/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOF衍生气体分离膜及其制备方法和应用，所述MOF衍生气体分离膜的制备方法为：将H3BTC和Al(NO3)3·9H2O溶于去离子水中，调节体系pH至1.9～2.0，并加入助剂，反应完全得到MIL‑100Al和三嵌段共聚物在室温、超声条件下溶于醇中，然后加入37％wt盐酸溶液中，在室温下超声混合24h，再在100℃～120℃下共聚反应24h，待反应完全后，得到固体混合物，经高温碳化得到MIL‑100Al多孔碳材料，然后溶于NMP溶液中，混合搅拌得到清晰均匀的粘性溶液，然后经浇铸得到MOF衍生气体分离膜。制得的膜结构微孔丰富，在常压下CO2捕获能力出色，且对CO2和CH4的分离选择性好，具有良好的循环使用能力，为MOF衍生材料在膜材料领域的应用提供了有价值的借鉴。
mof 衍生气体分离及其制备方法应用

[发明专利]一种基于图案化裁剪技术聚焦声波的方法-CN201711211037.9有效
发明人：臧剑锋;唐瀚川;祝雪丰;喻研;叶镭 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G10K11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图案化裁剪技术聚焦声波的方法，包括：确定相位调控薄膜，所述相位调控薄膜能够将其透射的声波的相位改变180度；对相位调控薄膜进行裁剪，使得经过裁剪后的相位调控薄膜透射后的声波平面聚焦于焦点或者空间聚焦于焦点，其中，通过控制裁剪的尺寸，使经过裁剪区域后的声波与其相邻的经过非裁剪区域透射后的声波到达焦点的波程差为声波波长的一半。本发明基于能够将透射相位改变180度的薄膜和特定图案化设计规律以实现声学聚焦。得到的声聚焦点可用于超声波碎石，等方面，具有广阔的应用前景。
一种基于图案裁剪技术聚焦声波方法

[发明专利]一种基于图案化裁剪技术形成声涡旋的方法-CN201711210859.5有效
发明人：臧剑锋;唐瀚川;祝雪丰;喻研;叶镭 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G10K11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图案化裁剪技术形成声涡旋的方法，包括：确定相位调控薄膜，所述相位调控薄膜能够将其透射的声波的相位改变180度；对相位调控薄膜进行裁剪，将所述相位调控薄膜裁剪成费马螺线图案，使得经过所述裁剪的相位调控薄膜透射后的声波产生稳定传播的声涡旋。本发明能够产生稳定的声涡旋，声涡旋能够在透射场的一定距离内稳定传播，并且涡旋中心强度为0，本发明可以通过薄膜以及控制裁剪图案即可得到声涡旋，得到的声涡旋可用于噪声隔离，声通讯，粒子操控等方面，具有广阔的应用前景。
一种基于图案裁剪技术形成涡旋方法

[发明专利]一种用于旋翼锥体与动平衡仪检测的仿真平台-CN201711343796.0有效
发明人：冉广奎;叶镭;赵振平;孙灿飞;段超;彭德润 -专利权人：中国航空工业集团公司上海航空测控技术研究所
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： B64F5/60 文献下载
摘要：本发明公开一种用于旋翼锥体与动平衡仪检测的仿真平台，所述仿真用于旋翼锥体与动平衡仪设备的功能、性能检测，通过为旋翼锥体与动平衡仪的传感器测量提供所需的物理信号，能够检测旋翼锥体与动平衡仪的旋翼的转速、锥体(频闪灯方式和通用轨迹设备方式)及动平衡功能，从而解决旋翼锥体和动平衡仪测试成本高，耗时长的问题。
一种用于锥体动平衡检测仿真平台

[发明专利]一种柔性纤维的制备方法及柔性纤维-CN201910253409.7有效
发明人：叶镭;李政;童磊;黄鑫宇;宋璐瑶;祝雪丰;臧剑锋;喻研 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性纤维的制备方法及柔性纤维，包括：向TEP中加入聚偏氟乙烯，得到聚偏氟乙烯铸膜液，所述聚偏氟乙烯溶于TEP；将聚偏氟乙烯铸膜液涂到聚PET无纺布衬底上，得到聚偏氟乙烯初生膜；先将聚偏氟乙烯初生膜浸入磷酸三乙酯与水的混合溶液，再将聚偏氟乙烯初生膜浸入纯水中，使聚偏氟乙烯固化成膜，同时去除溶剂磷酸三乙酯，得到聚偏氟乙烯微孔膜；将烘干后的聚偏氟乙烯微孔膜中的PET无纺布剥离，得到阵列式多级多孔聚偏氟乙烯微孔膜，当聚偏氟乙烯微孔膜处于水中时，其表面会形成空气膜，导致声信号发生全反射。本发明利用聚偏氟乙烯可以制备柔性声学纤维，屏蔽环境噪声对水下声信号的影响，可以实现水下声无损通信。
一种柔性纤维制备方法

[实用新型]一种5G网络点对点视频传输用的录像设备-CN202021369665.7有效
发明人：叶镭 -专利权人：南京镭视影像科技有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H04N5/76 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种5G网络点对点视频传输用的录像设备，涉及录像设备技术领域，具体为一种5G网络点对点视频传输用的录像设备，包括录像设备、录像底座，所述录像设备底部的两侧开设有固定孔，所述录像底座的内部设置有固定件，所述固定件的外部设置有扭簧，所述固定件的右侧固定连接有卡块，所述卡块与固定孔卡接在一起，该5G网络点对点视频传输用的录像设备，通过设置卡块，利用卡块从录像设备进行固定，提高了录像设备固定时的稳定性，当要拿起录像设备时，只需要按压固定件，使卡块与录像设备分离即可，方便拿起录像设备进行拍摄。
一种网络点对点视频传输录像设备

[发明专利]一种掺锰无机卤素钙钛矿量子点及其制备方法-CN201810458026.9有效
发明人：臧剑锋;董侣明;陈卓;叶镭;喻研 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锰无机卤素钙钛矿量子点及其制备方法。该制备方法为将铅盐和氯化锰溶解后，在80℃‑110℃条件下加热，得到卤素前驱体；将铯盐溶解后得到铯前驱体；将铯前驱体加入到卤素前驱体中，在80℃‑110℃的条件下加热，即得到掺锰无机卤素氯钙钛矿量子点。本发明提供了一种不需惰性气体保护，且在较低温度下大产率制备掺锰无机卤型钙钛矿量子点的方法，不仅降低了制备成本，并且提高了制备效率，量子产率高达62.41％，比目前最高的热注入法的54％，高出12.41％，可用于大规模生产。
一种无机卤素钙钛矿量子及其制备方法

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