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[发明专利]一种基于钙钛矿/TOPCon的叠层太阳能电池及其制备方法-CN202111659252.1在审
发明人： 叶继春;杨熹;应智琴;郑晶茗;曾俞衡;肖惠;吴铭 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种基于钙钛矿/TOPCon的叠层太阳能电池，所述基于钙钛矿/TOPCon的叠层太阳能电池，包括作为底电池的TOPCon结构、中间层和作为顶电池的钙钛矿结构；所述TOPCon结构包括硅片层，所述硅片层的一侧表面层叠设置有氧化硅层、p型掺杂多晶硅层和金属电极层，所述硅片层的另一侧表面层叠设置有氧化硅层和n型掺杂多晶硅层；其中n型掺杂多晶硅层与中间层贴合，氧化硅层与硅片层接触。采用TOPCon结构对硅电池进行钝化，解决顶电池工艺温度的限制，提高叠层太阳能电池的性能。
一种基于钙钛矿 topcon 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]GaN基双沟道HEMT器件-CN202011264376.5在审
发明人：郭炜;叶继春;戴贻钧 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基双沟道HEMT器件，其包括外延结构，该外延结构包括沿设定方向依次设置的第一、第二、第三半导体层，该第一、第二、第三半导体层的禁带宽度依次增大，该第一、第三半导体层中的任一者与第二半导体层的界面处均形成有二维电子气，并且组成该第二、第三半导体层的半导体材料具有相同晶格常数；该外延结构还与源、漏、栅极配合。本发明提供的GaN基双沟道HEMT器件因具有双沟道层、双势垒层结构，有效提高了二维电子气的面密度，从而大幅提高了HEMT器件的输出电流和输出功率密度，进一步的，通过使第二、第三半导体层的组成材料具有相同的晶格常数，还有效降低了器件外延结构内部的位错密度和应力，提高了器件的工作稳定性和可靠性。
gan 沟道 hemt 器件

[发明专利]一种增强型GaN基HEMT器件、其制备方法与应用-CN202210128236.8在审
发明人：郭炜;赵紫辉;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件、其制备方法与应用。所述HEMT器件包括外延结构，包括第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气；以及形成在所述第二半导体层上的源极、漏极和栅极，所述源极和漏极能够通过所述二维电子气电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间；其中，在所述栅极和第二半导体层之间还设置有铁电层，所述铁电层由六方晶型的铁电材料形成，其至少用于耗尽所述栅极下方的二维电子气，从而实现HEMT器件增强型功能和阈值电压的调控。本发明中提供的一种结合六方晶型的铁电材料制备而成的增强型GaN基HEMT器件，阈值电压稳定性好，制备工艺简单。
一种增强 gan hemt 器件制备方法应用

[发明专利]一种碱金属醋酸盐修饰自组装空穴传输层的方法-CN202210049072.X在审
发明人：寿春晖;陈颖;孙靖淞;杨熹;应智琴;贺海晏;黄绵吉;丁莞尔;盛江;闫宝杰;叶继春 -专利权人：浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种碱金属醋酸盐修饰自组装空穴传输层的方法，包括步骤：清洗透明导电基底；在透明导电基底上以设定转速旋涂前驱体溶液至设定时长。本发明的有益效果是：本发明引入碱金属醋酸盐来修饰SAMs空穴传输层，通过PH测试发现SAMs呈酸性，而碱金属醋酸盐偏碱性，因此碱金属醋酸盐的加入会消耗溶液中的H+，从而导致膦酸的电离平衡向正向移动，促使更多的膦酸根被电离出来，进而提高SAMs材料在透明导电氧化物(TCO)基底上的吸附率(如图1所示)，改善了空穴传输层(HTL)界面的光学响应，促进了空穴的提取率，同时还改善了钙钛矿的晶体质量，提高光伏电池在工作条件下的光电转换效率。
一种碱金属醋酸修饰组装空穴传输方法

[发明专利]一种太阳能电池基底制绒的方法-CN202210058794.1在审
发明人：寿春晖;吴铭;孙靖淞;杨熹;叶继春;闫宝杰;黄绵吉;盛江 -专利权人：浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池基底制绒的方法，包括步骤：将浓度为40％～50％的HF和去离子水混合，制备得到腐蚀液；调节Ar浓度、沉积压强和溅射功率，利用磁控溅射镀膜设备在带有绒面的干净玻璃表面生长透明基底。本发明的有益效果是：本发明采用一种太阳能电池基底制绒的方法，通过HF腐蚀的方式制备纳米结构的绒面，解决光学损失的问题，并对叠层电池进行光管理。本发明一方面通过纳米结构的光管理增加了光的散射以增长光路、减少反射，提高了光的收集效率，在全向减反都有不同程度的提高；另一方面在通过HF处理获得的绒面上形成钙钛矿层，钙钛矿层会获得纳米绒面结构，拥有更好的鲁棒性，有利于减少钙钛矿层缺陷。
一种太阳能电池基底方法

[发明专利]氧化镓基日盲紫外光电探测器-CN202111404576.0在审
发明人：刘宁涛;张文瑞;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化镓基日盲紫外光电探测器，包括依次层叠设置的第一电极层、铁电层、氧化镓层和第二电极层，其中，第一电极层与铁电层形成欧姆接触。本发明中，铁电层自发极化形成的局域场能够用于耗尽氧化镓层的内部缺陷，调控氧化镓层的能带结构及界面耗尽区宽度，而存在于氧化镓层中的光生电子空穴对在耗尽区及外电场的作用下会被加速，由此提高了氧化镓基日盲紫外光电探测器光生载流子的浓度和分离效率，同时，铁电层的剩余极化能够调控氧化镓层的内部及界面缺陷的分布。因此，本发明的氧化镓基日盲紫外光电探测器的暗电流低、光暗电流比高，进而使得氧化镓基日盲紫外光电探测器具有低功耗性、高可靠性和高灵敏性等特点。
氧化镓基日盲紫外光电探测器

[发明专利]具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器及其制作方法-CN202011078799.8在审
发明人：崔梅;郭炜;叶继春;张耀华;柯强 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波升谱光电股份有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制备方法。所述VCSEL包括第一、第二半导体层和设置在该两者之间的有源层，所述第一、第二半导体层分别与第一、第二DBR结构连接，所述第二DBR结构为导电DBR结构，所述导电DBR结构是采用电学击穿工艺对介质DBR结构进行处理后形成；所述第一、第二半导体层中的任一者为n型半导体层，另一者为p型半导体层。本申请VCSEL因采用了导电介质DBR结构，故而电极注入效率高，能在较大电流下稳定工作，寿命长，且制作工艺简单，可控性好，成本低，产品良率高。
具有导电 dbr 结构 gan 垂直发射激光器及其制作方法

[发明专利]Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜及其制备方法与应用-CN202110870509.1有效
发明人：章建国;张文瑞;叶继春;王维;刘宁涛 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用脉冲激光沉积技术，以Sn掺杂的氧化镓陶瓷靶为靶材，在作为衬底的蓝宝石表面外延生长薄膜，再经退火处理，获得Sn掺杂的介稳态氧化镓晶相薄膜；其中，所述靶材中Sn的摩尔百分含量为0.1～5％。本发明采用Sn掺杂的氧化镓陶瓷靶材，可以稳定调控氧化镓薄膜在α和ε相间的转变，拓宽了氧化镓介稳态晶相的制备方法；同时制备的介稳态氧化镓薄膜晶粒取向一致，结晶度高，且具有较高的生长速率。
sn 掺杂稳态氧化镓晶相薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构-CN202010558387.8有效
发明人：寿春晖;闫宝杰;曾俞衡;盛江;叶继春;丁莞尔;郑晶茗 -专利权人：浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构，包括：底电池和钙钛矿顶电池；所述底电池为晶硅类‑PERC底电池或晶硅类‑PERT底电池；所述钙钛矿顶电池包括钙钛矿电池载流子传输层A、钙钛矿吸收层、钙钛矿电池载流子传输层B、透明导电膜和顶电极栅线；所述顶电极栅线位于透明导电膜顶部。本发明的有益效果是：这种钙钛矿/晶硅类‑PREC或钙钛矿/晶硅类‑PERT可以利用目前晶硅PREC或PERT太阳电池的生产线，只需做少量的改进，即可制备出良好的底电池，提高太阳电池效率，降低钙钛矿/晶硅叠层电池的生产成本；本结构可以形成可靠的全表面隧穿结接触，无整流效应；制备工艺完全兼容现有硅电池生产方法，可全表面均匀制备，工艺简单，可靠性强。
一种钙钛矿晶硅叠层太阳电池结构

[发明专利]选择性发射极结构、其制备方法及应用-CN202011093227.7有效
发明人：曾俞衡;叶继春;闫宝杰;刘尊珂;廖明墩;程皓;林毅然;郑晶茗;卢琳娜;智雨燕;冯蒙蒙 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性发射极结构、其制备方法及应用。所述选择性发射极结构包括依次叠设在晶硅电池基体表面的第一介质层和重掺杂硅化物层，所述重掺杂硅化物层上结合有作为第一电极的金属电极。本发明通过将前述选择性发射极结构应用于晶硅太阳能电池正面，可以消除金属电极与单晶硅衬底的接触，避免高复合区的存在，减少了载流子复合，获得了更为优良的钝化效果，并且还提高了载流子的收集效率，可以获得较低的接触电阻率，进而优化了电池性能，提高了电池效率，此外还简化了晶硅太阳能电池的制作工艺流程，降低了制造成本。
选择性发射极结构制备方法应用

[发明专利]一种用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式PECVD装置-CN202010127830.6有效
发明人：闫宝杰;叶继春;曾俞衡;刘景博;王玉明;陈晖 -专利权人：苏州拓升智能装备有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于改善氧化硅沉积厚度波动的管式PECVD装置，包括：沉积炉管，其内部中空并在两端敞开以形成位于其内部的沉积反应室；石墨舟托架，其设于所述沉积反应室中；石墨舟，其被送入沉积反应室后由所述石墨舟托架所承托；以及设于所述沉积反应室顶部的笑气喷淋管，其中，所述笑气喷淋管的一端敞开以形成注气口，所述笑气喷淋管中设有从所述注气口出发沿着笑气喷淋管的长度方向延伸的气路，所述笑气喷淋管的侧面开设有若干个沿其长度方向布置的喷淋孔，所述喷淋孔连通所述笑气喷淋管的内外。根据本发明，其通过将笑气喷淋管穿过炉门法兰后来将笑气均匀喷淋至石墨舟上方，不仅能够确保工艺钝化效果的稳定性，而且处理方法多样化。
一种用于改善氧化沉积厚度波动 pecvd 装置

[发明专利]半导体处理设备-CN202010906416.5在审
发明人：闫宝杰;王玉明;陈晖;曾俞衡;廖明墩;叶继春;程海良;柯贤洋 -专利权人：苏州拓升智能装备有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体处理设备，包括：至少一个第一电极片；至少一个第二电极片，所述第二电极片与所述第一电极片交替设置，且与所述第一电极片之间保持间距；第一固定部，用于固定所述第一电极片，且与所述第二电极片保持间距；第二固定部，用于固定所述第二电极片，且与所述第一电极片之间保持间距，所述第一固定部与所述第二固定部之间的相对位置固定。
半导体处理设备

[发明专利]一种提高自组装单分子载流子传输层吸附密度的方法-CN202111279464.7在审
发明人：寿春晖;孙娟娟;杨熹;应智琴;贺海晏;黄绵吉;丁莞尔;盛江;孙靖淞;闫宝杰;叶继春 -专利权人：浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高自组装单分子载流子传输层吸附密度的方法，包括步骤：在常温下，利用磁控溅射镀膜设备在干净的基底上制备NiOx空穴传输层；调控基底上的结合位点，由于基底表面含有羟基，选择含锚定基团的有机物与表面为NiOx空穴传输层的基底发生反应。本发明的有益效果是：选择含锚定基团的有机物与表面为NiOx空穴传输层的基底发生反应，通过调控基底的结合位点，选择合适(分子量大小，对称性，极性等)的含锚定基团的有机物，再通过调节锚定基团的含量、沉积方式，生长方向等来制备高吸附密度，强极性等所需性能；含‑OR官能团层的加入，阻止透明导电氧化物基底与活性层的直接接触；有利于提高含锚定基团有机物的吸附密度。
一种提高组装分子载流子传输吸附密度方法

[发明专利]一种新型氮化物垂直结构激光器及其制备方法-CN202010787389.4在审
发明人：蒋洁安;徐厚强;郭炜;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：一种新型氮化物垂直结构激光器，其特征在于：包括由下而上依次设置的衬底、下DBR结构、横向P‑N结有源层、电流限制层和上DBR结构，所述横向P‑N结有源层的上表面且位于左右两侧边缘处分别设有P型金属电极和N型金属电极。该新型氮化物垂直结构激光器能较好地实现光场限制和电流注入之间的平衡、降低电流拥堵效应、从而提高了激光器功率并降低激射阈值。另外还提供一种新型氮化物垂直结构激光器的制备方法。
一种新型氮化物垂直结构激光器及其制备方法

[实用新型]镀件镀镍的镀液废水处理系统-CN202022684668.6有效
发明人：邹子玉;盛江;叶继春;张修飞;王泽明 -专利权人：宁波中科纬诚新材料科技有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：一种镀件镀镍的镀液废水处理系统，其特征在于：包括含镍废水收集装置、加药装置、氧化破络装置、生化处理装置、污泥脱水处理装置和含镍废水处理回用装置；所述的含镍废水收集装置、氧化破络装置、生化处理装置和含镍废水处理回用装置顺次连通，所述的氧化破络装置和生化处理装置上设置有污泥排放管，该污泥排放管与污泥脱水处理装置连通；所述的加药装置与氧化破络装置连通、且加药装置至少包括含硫酸亚铁的产线酸洗液加药装置。具有不需要反复投加酸碱以及昂贵的重金属捕捉剂，不会使亚磷酸盐与次磷酸盐转变的电解效率降低至零，简单高效地实现化学镀镍废水达标排放的优点。
镀件镀镍废水处理系统