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[发明专利]发光二极管的外延结构及其制造方法-CN202111140799.0在审
发明人：高默然;郑锦坚;王曼;毕京锋;范伟宏;李森林 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管的外延结构及其制造方法，发光二极管的外延结构包括：衬底；位于衬底上的外延层，所述外延层包括在衬底上依次堆叠的第一半导体层、发光层、电子阻挡层和第二半导体层，所述第一半导体层具有第一掺杂类型，所述第二半导体具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型的极性相反；所述碳掺杂的氮化物层包括碳掺杂的第一氮化物层，所述碳掺杂的第一氮化物层位于所述第一半导体层和所述发光层之间，所述碳掺杂的第一氮化物层的碳掺杂浓度为1E18cm‑3～1E19cm‑3。本发明提供的发光二极管的外延结构及其制造方法，可以提高发光二极管的抗静电能力。
发光二极管外延结构及其制造方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202111294804.3在审
发明人：廖寅生;李森林;毕京锋;王亚宏 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层从下至上依次包括第一型窗口层和第一型限制层，所述第一型窗口层的材质为AlGaAs，并且为Al组分渐变的结构层，所述第一型窗口层的厚度为1.5μm～8μm。本发明通过形成Al组分渐变的第一型窗口层可以提高LED芯片的出光效率、降低LED芯片的工作电压以及提高LED芯片的高温老化稳定性。
led 外延结构及其制备方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN202111163349.3在审
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;马新刚;张学双;赵进超 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包括：衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面；外延层，位于衬底的第一表面；第一介质层，位于衬底的第二表面，且至少覆盖部分衬底的第二表面，第一介质层的折射率介于所述衬底和空气之间。本申请通过在衬底的第二表面形成第一介质层，第一介质层的折射率介于衬底和空气之间。进而通过第一介质层使得发光二极管从衬底到空气的折射率渐变降低以降低全反射效应，有效改善了发光二极管的光提取效率，进而提高了发光二极管的光学性能指标。
发光二极管及其制造方法

[实用新型]晶圆去边设备及去边晶圆-CN202122259780.X有效
发明人：郭茂峰;熊展;江善波;陶胜;李士涛;马新刚;毕京锋 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆去边设备及去边晶圆，其中所述晶圆去边设备包括：承载晶圆的承载装置，以及位于所述承载装置上方的紫外激光器，所述晶圆位于所述承载装置上，所述紫外激光器向所述晶圆的边缘区域发射激光，以实现所述晶圆的去边处理。本实用新型通过采用紫外激光器实现减材工艺，可以有效提升晶圆去边的工作效率和工艺良率，降低热应力和机械作用力带来暗裂或破片的风险，进而实现稳定高效的晶圆去边效果。
晶圆去边设备去边晶圆

[发明专利]微发光二级管的制备方法-CN202111265113.0在审
发明人：梁兴华;洪灿皇;张乾;熊展;谢安军 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种微发光二级管的制备方法，依次循环利用化学刻蚀工艺、钝化工艺及物理轰击工艺对所述外延层及所述衬底进行操作直至完成裂片，形成单个的微发光二级管，这种裂片方式可以降低形成的划片槽的线宽，提高单位可产出的微发光二级管数量；由于没有切割划裂带来的机械损伤，也可以增强所述微发光二级管的强度，提高了微发光二级管的良率；并且裂片和微发光二级管的侧壁图形一道成形，简化了制程步骤，降低了成本，同时可制造出切割划裂难于得到的多边形外形的微发光二级管，提高可制造性。
发光二级制备方法

[发明专利]紫外发光二极管及其制造方法-CN202010879673.4有效
发明人：范伟宏;李东昇;马新刚;赵进超;李超;高默然 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：公开了一种紫外发光二极管及其制造方法，包括：外延层，包括第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层；位于所述第二半导体层表面的透明导电薄膜；位于所述透明导电薄膜表面的反射镜层，其中，所述透明导电薄膜为具有导电性能的宽禁带介质薄膜。本申请的紫外发光二极管及其制造方法中，采用宽禁带材料代替ITO等材料，并通过电击穿工艺使宽禁带材料与P型半导体层形成欧姆接触，从而在实现紫外发光二极管良好的欧姆接触性能的同时具有高紫外透射率。
紫外发光二极管及其制造方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202111093503.4在审
发明人：赖玉财;李森林;毕京锋 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构，从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层包括依次堆叠的第一型限制层、第一阻挡层以及第一型空间层；所述第二型半导体层包括依次堆叠的第二型空间层、第二阻挡层以及第二型限制层，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层为Al组分渐变的结构层。本发明通过在第一型限制层和第一型空间层之间插入Al组分渐变的第一阻挡层，在第二型空间层和第二型限制层之间插入Al组分渐变的第二阻挡层，可以提高LED的内量子效率，进而提高其发光效率。
led 外延结构及其制备方法

[实用新型]深紫外发光二极管-CN202121317867.1有效
发明人：郑锦坚;毕京锋;高默然;范伟宏;曾家明;张成军 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种深紫外发光二极管，包括自下向上的衬底、模板层、应力调变层、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述应力调变层为超晶格层，所述超晶格层包括周期性交替堆叠的第一应力释放层和第二应力释放层，每个周期中的所述第一应力释放层和所述第二应力释放层的厚度之和大于10nm。本实用新型的技术方案使得应力调变层的应力调变效果得到提高，进而使得模板层与n型半导体层之间的晶格失配与热失配能够得到有效缓解，应力能够得到释放，从而使得表面裂纹得到改善。
深紫发光二极管

[实用新型]一种基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统-CN202120852390.0有效
发明人：邬元杰;时浩泽;李东昇;操晓敏;芦佳;张燕平 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司;厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于MOCVD设备的金属有机源输送管道系统，包括与MOCVD设备上配备的多个金属有机源存储装置一一对应布置的输送管道，每个输送管道分别用于将其对应的一个金属有机源存储装置的出口单独连接至MOCVD设备的反应室，且每个输送管道上均设置有第一开闭阀门。在实际应用过程中，由于各个输送管道与反应室单独连接，继而各个输送管道在每次使用时仅流经携带有同一种金属有机源的载气，相比于传统的金属有机源存储装置共用传输管道的方式，避免了输送管道内残留上次使用的载气所携带的金属有机源导致管道交叉污染的问题。
一种基于 mocvd 设备金属有机输送管道系统

[发明专利]垂直结构LED芯片及其制造方法-CN202110854167.4在审
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;金全鑫 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：公开了一种垂直结构LED芯片及其制造方法，垂直结构LED芯片包括：第一衬底；位于第一衬底的第一表面上且由下至上依次堆叠的键合层、反射镜层、第一欧姆接触层以及外延层，外延层包括位于第一欧姆接触层表面上且由下至上依次堆叠的第二半导体层、发光层、第一半导体层和本征半导体层；多个贯穿本征半导体层并露出第一半导体层表面的通孔；以及位于本征半导体层表面和通孔的侧壁底部的透明导电层和金属纳米线层。本申请通过在本征半导体层表面和多个通孔侧壁和底部设置电阻率低于本征半导体层的透明导电层和金属纳米线层，提升了电流注入的均匀性、且获得更好的电流扩展效果。
垂直结构 led 芯片及其制造方法

[实用新型]晶圆取放装置-CN202120892306.8有效
发明人：李龙;张帅 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆取放装置，该晶圆取放装置中用于吸附晶圆的承载管组件为弯折设置且弯折的角度可调。如此一来，在需要向不同方位取放晶圆时，通过调整承载管组件弯折的角度即可实现多方位多角度取放晶圆的目的。
晶圆取放装置

[发明专利]深紫外LED芯片及其制造方法-CN202110651718.7在审
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;马新刚;赵进超 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法，该深紫外LED芯片包括：外延结构，具有相对的第一表面和第二表面，外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层，P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；以及P型半导体层的空穴补偿层，位于外延结构的第一表面。该深紫外LED芯片利用P型半导体层的空穴补偿层保证了P型半导体层获得较高的空穴浓度的同时，减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。
深紫 led 芯片及其制造方法

[实用新型]高压倒装发光二极管芯片-CN202023297698.8有效
发明人：赵进超;李超;马新刚;吴珊 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司;厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：公开了一种高压倒装发光二极管芯片，包括：衬底；多个芯片单元，位于衬底上，相邻两个芯片单元被桥接凹槽分隔；桥接层，覆盖每个芯片单元与桥接凹槽，桥接层具有每个芯片单元分别对应的第一通孔与第二通孔；P电极、N电极、串联电极，其中，每个芯片单元包括：N型半导体层；有源层；以及P型半导体层；多个芯片单元包括第一芯片单元和第二芯片单元，P电极经相应第二通孔与第一芯片单元的P型半导体层电连接，N电极经相应第一通孔与第二芯片单元的N型半导体层相连，每个串联电极经相应桥接凹槽、第一通孔以及第二通孔将相邻两个芯片单元中的一个的N型半导体层相连与另一个的P型半导体层电连接。
高压倒装发光二极管芯片

[实用新型]高压倒装发光二极管芯片-CN202023297763.7有效
发明人：赵进超;李超;马新刚;吴珊 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司;厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：公开了一种高压倒装发光二极管芯片，包括：衬底；多个芯片单元，位于衬底上，相邻两个芯片单元被桥接凹槽分隔；桥接层，覆盖每个芯片单元和桥接凹槽，桥接层具有每个芯片单元分别对应的第一通孔与第二通孔；P电极、N电极、串联电极，其中，每个芯片单元包括：N型半导体层；有源层；P型半导体层；第一保护电极；以及第二保护电极，多个芯片单元包括第一芯片单元和第二芯片单元，P电极经相应第二通孔与第一芯片单元的第二保护电极相连，N电极经相应第一通孔与第二芯片单元的第一保护电极相连，每个串联电极经相应桥接凹槽、第一通孔以及第二通孔将相邻两个芯片单元中的一个的第一保护电极与另一个的第二保护电极相连。
高压倒装发光二极管芯片

[发明专利]深紫外发光元件及其制备方法-CN202110661376.7在审
发明人：郑锦坚;高默然;毕京锋;范伟宏;曾家明;张成军 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中，所述深紫外发光元件从下至上依次包括：衬底、多重缓冲层、合并层、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述多重缓冲层包括第一缓冲层以及位于所述第一缓冲层上的第二缓冲层，且所述第二缓冲层包括生长温度呈梯度变化的至少两层结构，且所述第二缓冲层的生长温度为900℃～1200℃。本发明通过形成多重缓冲层结构，可有效释放合并层与衬底间的晶格失配应力和热应力，以减少深紫外发光元件的缺陷和位错密度，进而提升深紫外发光元件的发光效率至5％～10％。
深紫发光元件及其制备方法