[实用新型]晶圆去边设备及去边晶圆有效
| 申请号： | 202122259780.X | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN215771081U | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 郭茂峰;熊展;江善波;陶胜;李士涛;马新刚;毕京锋 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;B23K26/362;B23K26/70 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种晶圆去边设备及去边晶圆，其中所述晶圆去边设备包括：承载晶圆的承载装置，以及位于所述承载装置上方的紫外激光器，所述晶圆位于所述承载装置上，所述紫外激光器向所述晶圆的边缘区域发射激光，以实现所述晶圆的去边处理。本实用新型通过采用紫外激光器实现减材工艺，可以有效提升晶圆去边的工作效率和工艺良率，降低热应力和机械作用力带来暗裂或破片的风险，进而实现稳定高效的晶圆去边效果。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆去边 设备 去边晶圆 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司，未经厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202122259780.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
