“厦门士兰明镓化合物半导体有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果138个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]微发光二极管-CN202122616715.8有效
发明人：梁兴华;洪灿皇;张乾;熊展;谢安军 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种微发光二极管，包括衬底及位于所述衬底上的外延层，所述微发光二极管的侧壁具有若干凹陷部，所述凹陷部沿所述微发光二极管的厚度方向连续排布，其中，所述微发光二极管的侧壁包括所述衬底的侧壁和所述外延层的侧壁，所述凹陷部增加了所述LED芯片的侧壁的粗糙程度，因此可以提高所述微发光二极管的出光效率。
发光二极管

[发明专利]红外LED外延结构及其制备方法-CN202210165993.2在审
发明人：赖玉财;李森林;毕京锋 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外LED外延结构及其制备方法，其中所述红外LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、第一应力变化层、有源层、第二应力变化层以及第二型半导体层，其中，所述第一应力变化层为In组分渐变的结构层，所述第二应力变化层为In组分固定不变的结构层。本发明通过在有源层与第一型半导体层之间插入In组分渐变的第一应力变化层，在有源层与第二型半导体层之间插入In组分固定不变的第二应力变化层，能够提高有源层限制电子和空穴的能力，增强电子和空穴的辐射复合几率，进而可以提高LED的发光亮度。
红外 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]红外发光二极管外延结构及其制备方法-CN202210157090.X在审
发明人：廖寅生;李森林;毕京锋 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外发光二极管外延结构及其制备方法，其中所述红外发光二极管外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层、应力释放层以及第二型半导体层，所述应力释放层为组分渐变的结构层。本发明通过在有源层与第二型半导体层之间插入组分渐变的应力释放层，能够增加发光二极管的发光效率，并且能够有效降低电压。
红外发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202210158413.7在审
发明人：王亚宏;李森林;杨美佳;毕京锋 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的缓冲层、n型DBR层、隧穿层、p型半导体层、有源层以及n型半导体层，其中，所述p型半导体层包括依次层叠的p型限制层和p型波导层，所述隧穿层包括依次层叠的掺杂n型层和掺杂p型层。本发明通过在n型DBR层与p型限制层之间引入一个隧穿层，可以减小n型DBR层和p型限制层之间的晶格失配产生的应力，进而可以减少外延结构的生长翘曲；而且所述隧穿层还可以提供隧穿电流，使得n型DBR层和p型限制层形成的反向PN结导通。除此之外，所述LED外延结构的制备方法简单。
led 外延结构及其制备方法

[发明专利]LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法-CN202111581006.9在审
发明人：薛龙;李森林;杨美佳;毕京锋 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：公开了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法，所述LED外延结构包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层；位于所述N型半导体层上的多量子阱；以及位于所述多量子阱上的P型半导体层；其中，所述P型半导体层包括P型过渡层、P型窗口层以及位于二者之间的中间层，所述中间层的晶格常数与所述P型窗口层和所述P型过渡层的晶格常数相匹配。本发明提供的LED外延结构及LED芯片，在P型过渡层与P型窗口层之间引入中间层，中间层为多层渐变式结构，实现P型过渡层与P型窗口层之间的晶格常数逐渐改变，以减少突变式结构生长过程中的缺陷，改善晶体质量。
led 外延结构及其制备方法芯片

[发明专利]一种LED芯片及其制造方法-CN202111620029.6在审
发明人：梁兴华;洪灿皇;张乾;谷天赐;范伟宏 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：公开了一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片包括：衬底；外延层，位于所述衬底的第一表面，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，与所述第一半导体层电连接；第二电极，与所述第二半导体层电连接；以及预切割道，位于所述外延层的侧壁内侧，以阻隔切割对所述外延层产生的亚表面损伤。本发明提供的LED芯片及其制造方法中，外延层与切割道通过预切割道隔离，以阻隔在切割道中形成切口的过程中带来的亚表面损伤扩散至外延层内部，特别有利于降低LED芯片的漏电和提高光电可靠性；同时，外延层由于没有亚表面损伤，增强了LED芯片的强度，减少崩边崩角等外观缺陷，提高了LED芯片的良率和产出。
一种 led 芯片及其制造方法

[发明专利]微型发光二极管及制作方法，微型LED显示模块及制作方法-CN202010636615.9有效
发明人：范伟宏;李东昇;马新刚;赵进超;李超;高默然 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：公开了一种微型发光二极管及制作方法，微型LED显示模块及制作方法，微型发光二极管包括：外延层，依次包括第一半导体层，多量子阱层以及第二半导体层；第二电极，位于所述外延层中所述第二半导体层的表面；反射镜层，位于所述第二电极的表面；保护层，位于所述反射镜层的表面；以及第一电极结构，包括介质层、第一电极以及金属连接层，其中，所述第一电极结构中的所述第一电极与所述第一半导体层连接。本申请的微型发光二极管中，第一电极结构的第一电极和金属连接层共同作为导电层和反射层，提高了微型发光二极管出光率。制作方法采用两次光刻，提高了良率，降低了成本。
微型发光二极管制作方法 led 显示模块

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN202010656666.8有效
发明人：欧秀玲;黄庆;章旋;梁志阳 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管及其制造方法，包括支撑衬底；外延叠层，包括依次堆叠在所述支撑衬底上方的第二外延层、有源层、第一外延层；反射镜结构，包括位于所述支撑衬底上方的凸起。本申请通过在键合结构远离支撑衬底的表面上设置包含凸起的反射镜结构，可使得发光二极管沿四个侧壁逃逸出的光线被反射到有效出光角度范围内，有效提高芯片的外量子效率。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]外延结构及其制造方法-CN202010716886.5有效
发明人：范伟宏;李东昇;邬元杰;蒋敏;张成军 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种外延结构及其制造方法，位于衬底上的第一载流子供应层；调控结构，位于第一载流子供应层上，包括多量子阱层；多个V型凹陷，自调控结构的表面延伸至调控结构中；以及第二载流子供应层，位于调控结构上，其中，至少两个V型凹陷不同。本发明的外延结构通过调控结构控制每个V型凹陷在调控结构中的延伸深度，不仅提高了在外延结构的纵向方向上V型凹陷分布的均匀性，分散了应力，而且增加了外延结构机械强度的均匀性，从而提高了发光元件的内量子效率。
外延结构及其制造方法

[发明专利]外延结构及其制造方法-CN202010718509.5有效
发明人：范伟宏;李东昇;邬元杰;蒋敏;张成军 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种外延结构及其制造方法，该外延结构包括位于衬底上方的GaN电子供应层；多量子阱层，位于GaN电子供应层上方，包括交替堆叠的多个垒层与多个阱层；以及GaN空穴供应层，位于多量子阱层上方，其中，多量子阱层中的每个垒层的厚度不大于60埃米。该外延结构通过将多量子阱中的垒层厚度控制在60埃米以下，形成超薄垒结构，从而减少了阱垒的晶格失配应力，降低了多量子阱的量子限制斯塔克效应，进而提升了多量子阱的电子空穴复合效率。
外延结构及其制造方法

[发明专利]显示屏、Micro-LED显示基板及其制备方法-CN202111590278.5在审
发明人：李波;杨凯;林鸿亮;梁兴华 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示屏、Micro‑LED显示基板及其制备方法，其中所述Micro‑LED显示基板包括：衬底；发光单元，其设置在所述衬底上，所述发光单元包括三基色Micro‑LED芯片，所述三基色Micro‑LED芯片呈阵列排布，且所述发光单元包括堆叠的三层，每一层排布一种基色的Micro‑LED芯片，相邻的三个不同基色的Micro‑LED芯片搭配组成一组发光阵列组，所述发光阵列组具有全彩发光功能。本发明提供的Micro‑LED显示基板及其制备方法能够解决三基色Micro‑LED芯片存在的色差和串扰的问题。
显示屏 micro led 显示及其制备方法

[实用新型]发光二极管-CN202122403315.9有效
发明人：毕京锋;郭茂峰;李士涛;张学双;赵进超 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：公开了一种发光二极管，发光二极管包括：衬底；外延层，位于衬底的第一表面；第一介质层，位于衬底的第二表面且位于衬底的周围区域；第二介质层，位于衬底的第二表面且位于衬底的中心区域，第二介质层表面无图形化，第一介质层的第一表面与衬底的第二表面接触，第一介质层的第二表面凹凸起伏。本申请在衬底的第二表面的周围区域设置第一介质层以及在衬底的第二表面的中心区域设置第二介质层，第二介质层表面无图形化，第一介质层图形化，使得发光二极管的周围区域的全反射相对于中心区域的全反射有明显减小，发光二极管出光面的周围区域与中心区域的出光形貌不同，改善了发光二极管的出光形貌和光提取效率。
发光二极管

[实用新型]深紫外发光二极管-CN202122404682.0有效
发明人：毕京锋;郭茂峰;李士涛;张学双;赵进超 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请公开了一种深紫外发光二极管，深紫外发光二极管包括：衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面；外延层，位于衬底第一表面；第一介质层，位于衬底的第二表面，第一介质层的第一表面与衬底的第二表面接触，第一介质层的第二表面凹凸起伏。本申请通过在衬底的第二表面形成图形化的第一介质，打破了镜面全反射，有效改善了深紫外发光二极管的光提取效率，进而提高了深紫外发光二极管的光学性能指标。
深紫发光二极管

[实用新型]垂直结构LED芯片-CN202121607206.2有效
发明人：范伟宏;毕京锋;郭茂峰;李士涛;赵进超;金全鑫 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：公开了一种垂直结构LED芯片，包括第一衬底；位于第一衬底第一表面的键合层、反射镜层、第一欧姆接触层、第二半导体层、发光层和第一半导体层；多个贯穿反射镜层、第一欧姆接触层、第二半导体层、发光层并露出第一半导体层的通孔；位于通孔中并与第一半导体层接触的第二欧姆接触层；位于反射镜层与键合层之间和位于通孔侧壁的介质层；位于第一衬底第二表面的第一电极，多个通孔呈阵列排布。本申请设置阵列分布的多通孔电极，实现了垂直结构LED芯片在物理空间上的电流高效均匀分布注入，有效降低了量子阱中因载流子在大注入条件下俄歇复合机制产生的主要影响，改善了器件发光效率降低的现象。
垂直结构 led 芯片

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202111353735.9在审
发明人：李森林;薛龙;王亚宏;廖寅生;赖玉财;杨美佳;毕京锋 -专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层从下至上依次包括第一型窗口层、第一型粗化限制层、第一型限制层以及第一型波导层，且所述第一型粗化限制层为Al组分渐变的结构层。本发明通过形成Al组分渐变的第一型粗化限制层可以提高LED芯片的出光效率、降低LED芯片的工作电压以及提高工艺稳定性。
led 外延结构及其制备方法