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[发明专利]多组份表面化有机-无机复合纳米粒子及制备方法和应用-CN202110943447.2有效
发明人：王国伟;周鹏;李朋翰;卢基存 -专利权人：复旦大学;珠海复旦创新研究院
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C08L53/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多组份表面化有机‑无机复合纳米粒子及制备方法和应用，制备过程中，利用活性聚合方法制备系列不同组成和不同分子量的含聚(甲基)丙烯酸叔丁酯的嵌段聚合物；利用三氟乙酸同时对两种及以上嵌段聚合物上的叔丁基基团进行选择性水解，通过水解诱导自组装过程制备得到纳米自组装粒子；利用所得纳米自组装粒子核内的羧基基团与金属离子进行络合，通过还原剂的还原反应原位生成有机‑无机复合纳米粒子。与现有技术相比，本发明制备得到的新型多组份表面化有机‑无机复合纳米粒子的壳层含两种及以上聚合物成份、核内含金属纳米粒子，本方法同时具有表面功能化可调、组装体形貌可控、操作简便、通用性强、固含量高等优点。
多组份表面化有机无机复合纳米粒子制备方法应用

[发明专利]键合用晶圆、键合结构以及键合方法-CN202111581105.7在审
发明人：曹语盟;陈凡;袁琨;卢基存;周华 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种键合用晶圆、键合结构以及键合方法。所述键合方法包括如下步骤：提供键合用的第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆和第二晶圆上形成对准标记，对准标记包括晶圆表面图形或者晶圆通孔。至少有一个晶圆具有通孔，透过该晶圆通孔可以观察到另外一个晶圆的对准标记；以第一晶圆和第二晶圆上的对准标记为基准，将第一晶圆和第二晶圆键合。本发明由于采用晶圆通孔实现可见光同时观察两个晶圆对准标记的直接对准键合，不需要透过硅晶圆的红外辅助装置或者对两个晶圆分别预先定位的机械对准过程，并且对晶圆的透光性无特别要求。
合用结构以及方法

[发明专利]晶圆键合方法及晶圆键合结构-CN202110358013.6在审
发明人： 卢基存;周华 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合结构及晶圆键合方法，键合方法包括三种：第一种包括：第一晶圆和第二晶圆通过粘接层键合，制造第二晶圆硅通孔和粘接层通孔，电镀形成两个晶圆之间的铜通孔连接；第二种包括：制造第二晶圆硅通孔，第一晶圆上涂布粘接层，制造第一晶圆上粘接层通孔，第一晶圆和第二晶圆通过粘接层结合，电镀形成两个晶圆之间的铜通孔连接；第三种包括：制造第二晶圆硅通孔，第一晶圆上涂布粘接层，第一晶圆和第二晶圆通过粘接层结合，透过第二晶圆硅通孔腐蚀制造粘接层通孔，电镀形成两个晶圆之间的铜通孔连接。本发明优势是晶圆铜通孔连接在室温下批量生产完成，室温下晶圆形变小，热应力小，晶圆不易断裂。可以简单地实现多层晶圆的键合。
晶圆键合方法结构

[发明专利]具有保护功能的高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路-CN202110347550.0在审
发明人：陈珍海;袁述;卢基存;黎力 -专利权人：江苏中科汉韵半导体有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有保护功能的高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，该电路包括：输入接收电路、数据通道数字控制电路、数据通道调制发送电路、数据通道高共模瞬态抑制差分信号接收电路、保护通道数字控制电路、保护通道调制发送电路、保护通道高共模瞬态抑制差分信号接收电路、输出驱动电路、发送端低压产生电路、接收端低压产生电路、高压隔离电路。本发明一方面采用高精度保护电路，以避免SiC MOSFET脱离其安全工作区，提高可靠性；另一方面，采用高压绝缘隔离技术，可实现超高耐压绝缘电容；此外，自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiCMOSFET和IGBT器件。
具有保护功能高压绝缘隔离 sic mosfet 驱动电路

[发明专利]超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路-CN202110347567.6在审
发明人：陈珍海;袁述;卢基存;黎力 -专利权人：江苏中科汉韵半导体有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，该电路包括：输入接收电路、数字控制电路、调制发送电路、高压隔离电路、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、输出驱动电路、发送端低压产生电路、接收端低压产生电路和芯片状态监测电路。本发明所提供的超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路一方面采用高压绝缘隔离技术，可实现超高耐压绝缘电容；另一方面，可自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
超高压绝缘隔离 sic mosfet 驱动电路

[发明专利]芯片贴放封装结构及方法-CN202011184729.0在审
发明人： 卢基存;周华 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片贴放封装结构及方法，芯片贴放封装结构包括：基板；芯片，其下表面通过粘接胶粘贴于所述基板的上表面；粘接胶固定层，其由所述粘接胶固化形成；高度控制层结构，其形成于所述基板的上表面或所述芯片的下表面；键合引线，其电性连接所述芯片和所述基板。本发明通过在基板和芯片之间设置高度控制层结构，使得粘接胶固定层的厚度保持均匀。同时高度控制层的引入增加了芯片垂直方向的封装结构强度，确保在引入较厚的粘接胶固定层降低平面方向基板对芯片施加的热应力的同时，使得芯片在垂直方向不易移动，防止后续芯片超声波引线键合等工艺的良率下降。
芯片封装结构方法

[发明专利]一种半导体元件隔热封装系统-CN202010380432.5在审
发明人： 卢基存;吴大可 -专利权人：南京皓赛米电力科技有限公司;卢基存
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体元件隔热封装系统。该系统包括：高温元件、低温元件、载板、塑封料和隔热槽沟，所述高温元件和所述低温元件设置在所述载板上，所述隔热槽沟设置在所述高温元件和所述低温元件之间。所述塑封料包覆所述高温元件和低温元件，所述塑封料用于将所述高温元件和所述低温元件进行塑封。本发明能够解决半导体封装中高低温元件之间隔热的问题。
一种半导体元件隔热封装系统

[实用新型]一种能提高表面贴装器件焊点可靠性的低应力印刷电路板-CN201821629212.6有效
发明人： 卢基存;徐玲;陈凡 -专利权人：苏州霞光电子科技有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能提高表面贴装器件焊点可靠性的低应力印刷电路板，包括：设置在表面贴装器件焊点阵列下面的PCB板部分区域有吸收应力的槽沟或者柔性材料，减少由于表面贴装器件和PCB板热膨胀系数不同对器件焊点产生的热应力，特别是器件角上和边缘处焊点的较大应力。本实用新型的创新在于改变平面方向器件焊点阵列下面PCB板部分区域的硬度和应力，从而降低器件边缘特别是角上焊点的热应力，提高焊点可靠性。
一种提高表面器件可靠性应力印刷电路板

[发明专利]基于MEMS工艺的高Q值三维螺旋结构电感及其制作方法-CN201811186644.9在审
发明人：徐玲;周盛锐;卢基存;杨颖琳;史传进 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体为基于MEMS工艺的高Q值三维螺旋结构集成电感及其制作方法。本发明的三维螺旋结构集成电感包括硅基体、基层绝缘层、螺旋线圈、螺旋线圈间支撑物；所述基层绝缘层用于隔离电感螺旋线圈与硅基体，螺旋线圈通过线圈间绝缘层中的柱状金属形成电气连接。本发明采用改良的三维垂直集成方案，通过基层绝缘层隔离电感和硅衬底，降低衬底损耗，并通过绝缘材料支撑垂直螺旋结构，在较小的面积内向上垂直集成多层线圈，最终形成损耗低、杂散寄生电容小、具有高Q值、同时与封装工艺兼容、机械稳定的微型集成电感。
螺旋线圈三维螺旋结构基层绝缘层电感垂直集成隔离电感集成电感硅基体绝缘层微电子技术领域垂直螺旋电气连接多层线圈封装工艺机械稳定寄生电容绝缘材料微型集成柱状金属硅衬底支撑物衬底杂散制作三维兼容改良支撑

[发明专利]一种能提高表面贴装器件焊点可靠性的低应力印刷电路-CN201811170332.9在审
发明人： 卢基存;徐玲;陈凡 -专利权人：苏州霞光电子科技有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高表面贴装器件焊点可靠性的低应力印刷电路板(PCB)。通过器件下面PCB的部分软性结构，降低焊点热应力，提高可靠性。PCB软性结构位置包括焊点阵列角部，中央或者两者之间区域。PCB板热胀冷缩时，角部焊点下较软局部PCB的形变，可以直接减少角部焊点应力。焊点阵列中央的较软PCB形变，减少了给角部焊点传递的应力。中央和角部之间PCB局部变软，隔离了中央PCB形变对角部焊点的应力传递。具体来说，减少PCB板局部区域的硬度采用槽沟或者埋入柔性材料结构。槽沟或者柔性材料可以对PCB一侧开孔，也可以埋在PCB内部，制作采用PCB板热压，机械切割和柔性材料填充等方法实现。
焊点角部形变表面贴装器件焊点可靠性焊点阵列柔性材料软性结构低应力槽沟柔性材料结构印刷电路板机械切割局部区域热胀冷缩印刷电路应力传递对角部热应力变软开孔埋入热压填充隔离传递制作

[实用新型]一种提高功率半导体器件可靠性的封装用基板-CN201721883886.4有效
发明人：徐玲;卢基存;吴大可 -专利权人：南京皓赛米电力科技有限公司;徐玲;卢基存
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高功率半导体器件可靠性的封装用基板，封装用基板包括陶瓷基板设位于其表面的金属层；通过刻蚀工艺在金属层上形成线路图形，线路之间的间隙内填充胶，填充胶固化后，通过丝网印刷工艺在底板上印刷焊膏，将陶瓷基板底部的金属层对准贴在焊膏上，进行第一次回流焊接；再在陶瓷基板顶部的金属层上丝网印刷焊膏，将芯片对准贴在焊膏上，进行第二次回流焊接；通过键合引线实现芯片之间的电气连接，通过母线实现芯片与外部的电气连接；最后，用硅凝胶进行灌封，再安装外壳，即完成封装用基板制作。本实用新型在金属层线路之间的填充胶，可以减小基板和金属层线路边缘交界处的应力集中，从而提高基板及器件整体的可靠性。
金属层基板封装陶瓷基板填充胶焊膏功率半导体器件金属层线路电气连接回流焊接芯片底板丝网印刷工艺本实用新型边缘交界处安装外壳基板制作键合引线刻蚀工艺丝网印刷线路图形芯片对准印刷焊膏应力集中硅凝胶灌封减小母线固化对准外部

[发明专利]一种提高功率半导体器件可靠性的封装用基板及制造工艺-CN201711466469.4在审
发明人：徐玲;卢基存;吴大可 -专利权人：南京皓赛米电力科技有限公司;徐玲;卢基存
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高功率半导体器件可靠性的封装用基板及制造工艺，封装用基板包括陶瓷基板设位于其表面的金属层；通过刻蚀工艺在金属层上形成线路图形，线路之间的间隙内填充胶，填充胶固化后，通过丝网印刷工艺在底板上印刷焊膏，将陶瓷基板底部的金属层对准贴在焊膏上，进行第一次回流焊接；再在陶瓷基板顶部的金属层上丝网印刷焊膏，将芯片对准贴在焊膏上，进行第二次回流焊接；通过键合引线实现芯片之间的电气连接，通过母线实现芯片与外部的电气连接；最后，用硅凝胶进行灌封，再安装外壳，即完成封装用基板制作。本发明在金属层线路之间的填充胶，可以减小基板和金属层线路边缘交界处的应力集中，从而提高基板及器件整体的可靠性。
一种提高功率半导体器件可靠性封装用基板制造工艺

[发明专利]无蓝光LED发光二极管睡眠灯珠及过滤单元圆片级工艺-CN201610434329.8在审
发明人： 卢基存;陈凡;王军 -专利权人：苏州霞光电子科技有限公司
申请日： 2016-06-19 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了无蓝光LED发光二级管睡眠灯珠及过滤单元圆片级工艺，本发明所述的LED灯珠采用无蓝光的绿光LED芯片或者过滤的方法，实现无蓝光的LED灯珠；具体的第一类方法是采用绿光LED芯片，在所述绿光LED芯片上涂覆黄色和红色荧光粉，使绿光和黄红色混合后形成橙色的照明光，故光谱中没有蓝色光；第二类方法是采用过滤的方法，在蓝光LED芯片和荧光粉的表面增加过滤单元，也可以在封装好的LED灯珠外面加上过滤单元；采用这类无蓝光的黄红色LED灯珠，可以制作多种形式的LED灯珠和睡眠灯产品；去除蓝光对人脑产生助眠褪黑素的抑制作用，有利于人体睡眠和个人健康。
无蓝光 led 发光二极管睡眠过滤单元圆片级工艺

[发明专利]一种低应力MEMS传感器芯片的基板结构及制造方法-CN201310396689.X无效
发明人：王军;卢基存 -专利权人：苏州霞光电子科技有限公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低应力MEMS传感器芯片的基板结构及制造方法，所述芯片通过粘结材料连接于基板上，所述基板包括阻焊层、BT树脂层、铜导电层和焊垫，所述BT树脂层上下两层均设置有铜导电层，所述BT树脂层与铜导电层通过层压连接，所述铜导电层外层均设置有阻焊层，所述下层阻焊层的底部设置有焊垫；本发明通过降低基板的强度，降低芯片应力；第一种方法是减薄基板的厚度，去除芯片放置处的BT树脂层，阻焊层或铜导电层；第二种方法是通过在基板中心埋入柔性低应力高分子层代替BT树脂层，使基板变软；第三种方法是在芯片位置处的基板表面涂布柔性低应力高分子层。由于芯片下的基板结构和材料强度降低，芯片上的应力减少，提高了MEMS传感器的质量和热稳定性能。
一种应力 mems 传感器芯片板结制造方法

[实用新型]一种低应力MEMS传感器芯片封装的基板结构-CN201320546843.2有效
发明人：王军;卢基存 -专利权人：苏州霞光电子科技有限公司
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低应力MEMS传感器芯片封装的基板结构，所述芯片通过粘结材料连接于基板上，所述基板包括阻焊层、BT树脂层、铜导电层和焊垫，所述BT树脂层上下两层均设置有铜导电层，所述BT树脂层与铜导电层通过层压连接，所述铜导电层外层均设置有阻焊层，所述下层阻焊层的底部设置有焊垫。本实用新型通过降低基板的强度，降低芯片应力，由于芯片下的基板结构和材料强度降低，芯片上的应力减少，提高了MEMS传感器的质量和热稳定性能。
一种应力 mems 传感器芯片封装板结

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